本发明专利技术公开了一种ＴＦＴ ＬＣＤ面板静电放电保护电路，包括：一基板；一组栅极线；一组数据线，数据线与栅极线交叉设置，并定义一像素区域，其中每一像素区域包含有薄膜晶体管器件和像素电极；一栅极线引线衬垫和一数据线引线衬垫，形成在基板边缘，分别与栅极线和数据线连接；一主公共电极配线和一缓冲公共电极配线，形成在基板外围；一第一静电放电保护器件，连接栅极线和缓冲公共电极配线；一第二静电放电保护器件，连接数据线和缓冲公共电极配线；一第三静电放电保护器件，连接主公共电极配线和缓冲公共电极配线。本发明专利技术的保护电路能够事先切断了进入面板内部的静电，能够有效防止静电对面板驱动的影响以及电极配线之间的短路现象。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示器件的周边电路及具有该周边电路的液晶显示 器，特别涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)面板静电放电保护电 路及具有该电路的液晶显示器。
技术介绍
与过去的阴极射线管(CRT)相比，非常薄而且具有极好的色彩特性的薄 膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)已经高度发展，而且已经变得普遍了。通常， 液晶显示器设备是一种用于根据单独施加到以矩阵排列的像素上的数据信号 来显示图像的设备，这些像素控制透光率以产生一幅图像，因此一个液晶显 示器设备包括一个像素矩阵和用于驱动这些像素的驱动器集成电路(IC)。由于上述薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)的上下玻璃基板是绝缘体， 所以在薄膜晶体管阵列的制造过程期间产生的静电能够在该玻璃上聚集，而且，静电能够由施加到各种衬底上的各种处理过程产生。这种静电能够导致 对薄膜晶体管阵列的静电放电损害。此外，静电能够导致粉尘颗粒被吸附到 玻璃基板上，这会污染薄膜晶体管阵列和彩色滤光片阵列。为了减少静电， 可以处理用于生产薄膜晶体管液晶显示器的制造设备和采用各种工艺以使静 电最小化。然而， 一个良好设计的薄膜晶体管阵列仍然必须包括对静电放电 的防护。图1为现有技术的静电放电保护电路示意图，该静电放电保护电路包括 一组向栅极线施加信号的栅极线引线衬垫8; —组向数据线施加信号的数据 线引线衬垫9; 一组栅极线3，形成于薄膜晶体管阵列基板上； 一组数据线 4,形成于薄膜晶体管阵列基板上；主公共电极配线2，形成于薄膜晶体管阵列基板外围上； 一组用于形成存储电容的公共电极(Cst on Co隱on)形成于 薄膜晶体管阵列基板上，并与主公共电极配线2连接； 一组第一静电放电保护 器件5,连接栅极线3和主公共电极配线2; —组第二静电放电保护器件6, 连接数据线4和主公共电极配线2。现有技术中薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)面板制造过程中静电放 电保护电路将产生的高电静电的分散方法如下如果高电压静电发生在一条数据线4上，则此高电压静电会分散至这条 数据线4并进一步通过第二静电放电保护器件6分散至与数据线连接的整个 面板上的主公共电极配线上2,使整个面板保持同一电位。第二静电放电保 护器件6的电阻为数万千欧姆(KQ )，所以此时的第二静电放电保护器件6 起开关作用。同理当高电压静电发生在栅极线3上，则此高电压静电会分散 至这条栅极线3并进一步通过第二静电放电保护器件5分散至与数据线连接 的整个面板上的主公共电极配线2上，使整个面板保持同一电位。上述现有技术中的静电防护方法能够有效地防止面板内部发生的静电击 穿现象。但是，对于外部流入的静电比较脆弱，尤其是在线与线交叉重叠部 位及过孔等地方容易引发短路，导致栅极线和公共电极之间的短路 (Gate-Common Short),数据线和公共电极之间的短路(Data Common Short) 及像素缺陷(Pixel Defect)等不良。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的缺陷，提出一种薄膜晶体管液晶显示器 (TFT LCD)面板静电放电保护电路，通过事先切断进入面板内部的静电电为了实现上述目的，本专利技术提供一种TFT LCD面板静电放电保护电路， 包括一基板；一组栅极线，形成于所述基板上；一组数据线，形成于所述基板上，与所述栅极线交叉设置，并定义一像素区域，其中每一像素区域包含有薄膜晶体管器件和像素电极；一栅极线引线村垫，形成于所述基板边缘，与所述栅极线连接； 一数据线引线衬垫，形成于所述基板边缘，与所述数据线连接； 一主公共电极配线，形成于所述基板外围； 一缓冲公共电极配线，形成于在所述基板外围； 一第一静电放电保护器件，连接所述栅极线和緩冲公共电极配线； 一第二静电放电保护器件，连接所述数据线和緩沖公共电极配线； 一第三静电放电保护器件，连接所述主公共电极配线和緩沖公共电极配线。上述方案中，所述像素电极上形成有由公共电极《1线与像素电极共同组 成的存储电容，其中公共电极引线与所述的公共电极配线连接。所述第一静 电放电保护器件、第二静电放电保护器件、第三静电放电保护器件具有相同 的结构，分别由四个薄膜晶体管组成，第一个薄膜晶体管的源电极与它的栅 电极连接在一起，并形成静电放电保护器件的一个输入端；第四个薄膜晶体 管的源电极与它的栅电极连接在一起，并形成静电放电保护器件的一个输出 端；第一个薄膜晶体管的源电极和第二个薄膜晶体管漏电极连接；第一个薄 膜晶体管的漏电极、第二个薄膜晶体管的源电极、第三个薄膜晶体管的源电极、及第四个薄膜晶体管的漏电极连接在一起，并与第二个薄膜晶体管的栅 电极和第三个薄膜晶体管的栅电极连接；第三个薄膜晶体管漏电极和第四个 薄膜晶体管源电极连接。为了实现上述目的，本专利技术提供一种液晶显示器，包括 一薄膜晶体管阵列基板，其中所述薄膜晶体管阵列基板包含前述方案中描述的静电放电保护电路；一彩色滤光片基板，与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置，其间注入液曰.曰曰，一公共电极，形成在所述的彩色滤光片基板或薄膜晶体管阵列基板上；本专利技术相对于现有技术，在主公共电极配线外围增设了一层緩沖公共电 极配线和一组第三静电放电保护器件。本专利技术的緩冲公共电极配线及第三静 电放电保护器件事先切断了进入面板内部的静电，有效防止了对面板驱动的 影响以及电极配线之间的短路现象。下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行进一步更为详细地说明。附图说明图1为现有技术的静电放电保护电路示意图； 图2为本专利技术的静电放电保护电路示意图； 图3为本专利技术一种使用四个薄膜晶体管的静电放电保护器件。 图中标记1、緩沖公共电极配线；2、主公共电极配线；3、栅极线；4、 数据线；5、第一静电放电保护器件；6、第二静电放电保护器件；7、第三 静电放电保护器件；8、栅极线引线衬垫；9、数据线引线衬垫；10、第一 个薄膜晶体管的栅电极；ll、第一个薄膜晶体管的源电极；12、第一个薄膜 晶体管的漏电极；13、第二个薄膜晶体管的栅电极；14、第二个薄膜晶体管 的源电极；15、第二个薄膜晶体管的漏电极；16、第三个薄膜晶体管的柵电 极；17、第三个薄膜晶体管的源电极；18、第三个薄膜晶体管的漏电极；19、 第四个薄膜晶体管的栅电极；20、第四个薄膜晶体管的源电极；21、第四个 薄膜晶体管的漏电极；22、第一个外引线；23、第二个外引线。具体实施方式图2是本专利技术的薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)面板使用的一种静 电放电保护电路示意图。如图2所示，本专利技术的静电放电保护电路包括一组向栅极线施加信号的栅极线引线衬垫8; —组向数据线施加信号的数据线 引线衬垫9; 一组形成于薄膜晶体管阵列基板上的栅极线3; —组形成于薄 膜晶体管阵列基板的数据线4;形成与薄膜晶体管阵列基板外围的主公共电 极配线2,这些组成部分与现有技术中的类似，本专利技术区别于现有技术的特 征在于在薄膜晶体管阵列基板的外围，增加了緩沖公共电极配线1;第一 静电放电保护器件5连接栅极线3和缓冲主公共电极配线1;第二静电放电 保护器件6连接数据线4和緩冲主公共电极配线1;在主公共电极配线2与 缓冲公共电极配线1连接位置附近设置了第三静电放电保护器件7。下面结合图2所示的静电放电保护电路，对本发本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＴＦＴＬＣＤ面板静电放电保护电路，其特征在于，包括：一基板；一组栅极线，形成于所述基板上；一组数据线，形成于所述基板上，与所述栅极线交叉设置，并定义一像素区域，其中每一像素区域包含有薄膜晶体管器件和像素电极； 一栅极线引线衬垫，形成于所述基板边缘，与所述栅极线连接；一数据线引线衬垫，形成于所述基板边缘，与所述数据线连接；一主公共电极配线，形成于所述基板外围；一缓冲公共电极配线，形成于所述基板外围；一第一静电放电 保护器件，连接所述栅极线和缓冲公共电极配线；一第二静电放电保护器件，连接所述数据线和缓冲公共电极配线；一第三静电放电保护器件，连接所述主公共电极配线和缓冲公共电极配线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金在光，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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