【技术实现步骤摘要】
一种雪崩耐量测试电路及其测试方法
[0001]本申请涉及电力电子器件测试
，尤其涉及一种雪崩耐量测试电路及其测试方法。
技术介绍
[0002]功率半导体器件主要用于电力电子设备的电能变换与电路控制，在实际应用中，不仅其主回路存在电感，其内部还分布着杂散电感，当功率半导体器件关断时电感能量的释放通路会断开，使得电感产生一个施加于关断的功率半导体器件上的高压，而当此高压超过一定值后功率半导体器件会进入雪崩击穿的状态，如果雪崩能量超过一定值，那么功率半导体器件将会彻底损坏。由此可见，对功率半导体器件雪崩耐量的研究是十分必要的，这对分析功率半导体器件发生雪崩失效的原因、从电路结构上优化功率半导体器件的雪崩耐量等都有极其重要的意义，并且可以为用户选择功率半导体器件提供参考依据，还可以为厂商研制新一代的具有优良雪崩耐量特性的功率半导体器件提供思路。
[0003]相关技术中，通过雪崩耐量测试设备对功率半导体器件进行测试时，雪崩耐量测试设备依然存在许多弊端，比如：无法快速消耗电感的储能，使得被测功率半导体器件失效后无法...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种雪崩耐量测试电路，其特征在于，包括电源、母线电容以及测试电路，所述电源连接于所述母线电容，所述母线电容连接于所述测试电路，所述测试电路用于连接被测器件，所述测试电路包括电感，所述被测器件的栅极驱动电压小于或等于0V，所述雪崩耐量测试电路对所述被测器件的测试包括在时序上依次进行的电容充电阶段、电感充能阶段及雪崩测试阶段；其中：所述电源用于在所述电容充电阶段为所述母线电容充电；所述母线电容用于在所述电感充能阶段为所述电感充能；所述测试电路用于在所述电感充能阶段且当所述电感的储能达到预设的目标储能时，断开所述被测器件与所述电源、所述母线电容之间的连接，以及在所述雪崩测试阶段使得所述被测器件处于雪崩状态，直至流经所述被测器件的电流减小至0A为止，且过程中当所述被测器件击穿短路或雪崩电压异常时，短路所述被测器件并接入放电电阻以释放所述电感储存的能量。2.如权利要求1所述的雪崩耐量测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻及二极管，所述母线电容一端连接于所述第一开关管的漏极、另一端连接于所述二极管的阳极，所述第一开关管的源极、所述二极管的阴极连接于所述电感一端，所述电感另一端连接于所述第一电阻一端及所述第三开关管的漏极，所述第一电阻另一端连接于所述第二开关管的漏极，所述第二开关管及所述第三开关管的源极连接于所述第四开关管的漏极，所述第四开关管的源极连接于所述第二电阻一端，所述第二电阻另一端及所述二极管的阳极用于通过所述第三电阻连接所述被测器件，所述第二开关管及所述第三开关管的源极、所述第四开关管的漏极用于连接所述被测器件；其中：在所述电感充能阶段，所述第一开关管、所述第三开关管及所述第四开关管导通，所述母线电容为所述电感充能，且当所述电感的储能达到预设的目标储能时，所述第一开关管断开，所述二极管导通，所述被测器件与所述母线电容、所述电源之间的连接断开；在所述雪崩测试阶段，所述第四开关管断开，流经所述第四开关管的电流减小并转移至所述被测器件，使得所述被测器件处于雪崩状态，直至流经所述第三电阻的电流减小至0A为止，且过程中当所述被测器件击穿短路或雪崩电压异常时，所述第三开关管断开，所述第二开关管及所述第四开关管导通，以通过所述第一电阻将所述电感储存的能量释放并短路所述被测器件，其中，所述第一电阻作为所述放电电阻。3.如权利要求2所述的雪崩耐量测试电路，其特征在于，还包括控制电路，所述控制电路连接于所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管及所述第四开关管，所述控制电路用于控制所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管及所述第四开关管的导通与断开。4.如权利要求3所述的雪崩耐量测试电路，其特征在于，所述控制电路还连接于所述第二电阻、所述第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇意，黄辉，傅俊寅，
申请(专利权)人：深圳青铜剑技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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