一种IGCT驱动芯片封装结构及封装方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种IGCT驱动芯片封装结构及封装方法。所述IGCT驱动芯片封装结构包括：硅基衬底、设置于硅基衬底上表面的钝化层、设置于钝化层上表面的介电层、以及包封硅基衬底的底部和侧壁的封装层；硅基衬底内嵌入有IGCT驱动芯片电极，IGCT驱动芯片电极上电连接有金属固定块；钝化层上设置有第一接触孔，介电层上设置有与第一接触孔相对设置的第二接触孔；金属固定块贯穿于第一接触孔和第二接触孔，且金属固定块伸出于介电层所在的平面。本发明专利技术所提供了IGCT驱动芯片封装结构，使得IGCT驱动芯片的钝化层和介电层的连接更加牢固，进一步降低了IGCT驱动芯片封装过程中出现残次品的概率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种igct驱动芯片封装结构及封装方法。

技术介绍

1、传统的igct驱动芯片封装过程中，通常使用干蚀刻等方法在晶片上刻蚀沟槽，该沟槽用于将晶片分割成单独的igct驱动芯片，沟槽内的钝化层被完全蚀刻。然而，沟槽底部可能延伸到介电层，从而损坏igct驱动芯片的介电层。此外，igct驱动芯片的介电层通常覆盖到钝化层上不牢固，使得igct驱动芯片封装过程中出现残次品的概率增大。

2、因此，如何降低igct驱动芯片封装过程中出现残次品的概率，是一个亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、为了解决上述igct驱动芯片的介电层通常覆盖到钝化层上不牢固，使得igct驱动芯片封装过程中出现残次品的概率增大的技术问题，本专利技术提供了一种igct驱动芯片封装结构及封装方法。

2、第一方面，本专利技术提供了一种igct驱动芯片封装结构，包括：

3、硅基衬底、设置于所述硅基衬底上表面的钝化层、设置于所述钝化层上表面的介电层、以及包封所述硅基衬底的底部和侧壁的封装层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGCT驱动芯片封装结构，其特征在于，包括：硅基衬底、设置于所述硅基衬底上表面的钝化层、设置于所述钝化层上表面的介电层、以及包封所述硅基衬底的底部和侧壁的封装层；

2.根据权利要求1所述的IGCT驱动芯片封装结构，其特征在于，所述封装层包括用于包封所述硅基衬底的底部的第一包封层，以及用于包封所述硅基衬底的侧壁的第二包封层；

3.根据权利要求2所述的IGCT驱动芯片封装结构，其特征在于，所述硅基衬底的底部还连接有导电增强层，且所述导电增强层位于所述第一包封层的上表面。

4.根据权利要求3所述的IGCT驱动芯片封装结构，其特征在于，所述IGCT驱动...

【技术特征摘要】

1.一种igct驱动芯片封装结构，其特征在于，包括：硅基衬底、设置于所述硅基衬底上表面的钝化层、设置于所述钝化层上表面的介电层、以及包封所述硅基衬底的底部和侧壁的封装层；

2.根据权利要求1所述的igct驱动芯片封装结构，其特征在于，所述封装层包括用于包封所述硅基衬底的底部的第一包封层，以及用于包封所述硅基衬底的侧壁的第二包封层；

3.根据权利要求2所述的igct驱动芯片封装结构，其特征在于，所述硅基衬底的底部还连接有导电增强层，且所述导电增强层位于所述第一包封层的上表面。

4.根据权利要求3所述的igct驱动芯片封装结构，其特征在于，所述igct驱动芯片封装结构还包括屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述导电增强层...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅俊寅，黄辉，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳青铜剑技术有限公司，
类型：发明
国别省市：