一种半导体刻蚀设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体刻蚀设备，属于半导体技术领域，一种半导体刻蚀设备包括。包括机架设置在所述机架内部的作业部，设置在所述机架上，位于作业部的升降门，设置在所述工作部的处理室，用于刻蚀半导体设备，清洗装置设置在工作部的内部，所述清洗装置包括清洗腔，与所述清洗腔连接的能够升降的升降装置，通过将刻蚀区和清洗区同一合并在作业部，且作业设置了升降门，将作业区域和非作业区域区分，且作业区域通过升降门隔离，防止大气中污染物的进入，同时清洗区设置在升降装置，通过升降装置来带动产品在清洗，方便清洗完后，产品的取出，为了防止产品表面挤压水，工作台面设计成镂空状。镂空状。镂空状。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体刻蚀设备


[0001]本专利技术涉及一种半导体刻蚀设备，具体是一种半导体刻蚀设备。

技术介绍

[0002]在半导体处理过程中，等离子蚀刻是用于蚀刻半导体晶圆，以在半导体晶圆上形成的一层或多层电路的常用方法。在等离子蚀刻之后，残留颗粒或烟雾将保留在半导体晶圆上。残留颗粒或烟雾不仅污染蚀刻后的半导体晶圆本身，而且污染设备中存储的相邻晶片。
[0003]在现今半导体工艺中，在刻蚀腔和清洗为两个独立的工艺，刻蚀硅片后，由于硅片的表面会产生残留气体，需要对刻蚀完成后的硅片进行清洗，清洗之前，需要人为将硅片转运到清洗工位，在转运硅片的过程中，硅片表面残留的气体与大气中的含有的空气污染物结合产生反应，反应过程中会产生凝结的现象，此现象将直接性的对硅片的良率产生影响。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：一种半导体刻蚀设备，以解决现有技术存在的上述问题。
[0005]技术方案：一种半导体刻蚀设备，包括机架，设置在所述机架内部的作业部，设置在所述机架上，位于作业部的升降门，设置在其特征在于；包括工作部的处理室，用于刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于；包括机架，设置在所述机架内部的作业部，设置在所述机架上，位于作业部的升降门，设置在所述工作部的处理室，用于刻蚀半导体设备；清洗装置，设置在工作部的内部，所述清洗装置包括清洗腔，与所述清洗腔连接的能够升降的升降装置；处理室，设置在清洗装置的侧面，与所述清洗装置相邻，用于刻蚀半导体晶圆。2.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室包括处理室本体，与所述处理室本体连接的底座，设置在所述处理室本体底部的连接孔，与所述连接孔连接的快排阀，设置在所述处理室本体上部的外框，设置在所述外框内部的第一喷管组件，与所述外框连接的并且与所述第一喷管组件相对布置的第二喷管组件；所述第一喷管组件和第二喷管组件用于供应去离子水，配合处理室清洁半导体。3.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：所述处理室的内部设有通风系统。4.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪永泰，
申请(专利权)人：无锡合颖半导体设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：