一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法技术

本发明专利技术提供了一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，通过将晶圆的原始标准数据与质检BIN晶粒数据进行对比分析，分析项目：电压、波长、亮度，按标准数据中电压、亮度、波长数据的标准范围进行对比，以此分类作为成品入库，利用导电膜收集晶圆中晶粒，同时抛出收集晶圆中晶粒原始数据，点测机回测导电膜收集晶圆中晶粒比对原始标准数据，得到良率管控，提前防止切割产出不良晶粒流入客户端，有效管控产品NG异常率，有效卡控LED晶粒产品质量，解决产品批次异常、分类混乱的问题，保证LED晶粒产品的质量及可靠性。量及可靠性。量及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法


[0001]本专利技术属于LED晶粒质检
，具体涉及一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法。

技术介绍

[0002]LED晶粒是将半导体晶片进行封装组成的光学器件，是LED灯的核心部件，通过其P
‑
N结将电能转换成光能，以此获得高效、稳定的输出光源，在现代半导体照明应用中具有举足轻重的地位。
[0003]由于LED市场需求量巨大，LED晶粒的大规模生产技术已趋于成熟，随着LED半导体晶粒行业发展，对晶粒品质要求越来超高，LED垂直结构晶粒切割、分选后，无法准确得到产品电性数据，且无法有效卡控产品质量，造成产品批次异常，引起不良率及良品率分类混乱，因而无法保证LED晶粒产品的质量和可靠性，增加客户的使用障碍及投诉量，因此，需要设计一种新的质检方法以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]针对上述现有技术中的问题，本专利技术提供了一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，以此有效卡控LED晶粒产品质量，解决产品批次异常、分类混乱的问题，保证LED晶粒产品的质量及可靠性。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实施：一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，包括以下步骤：
[0006]S1：利用点测机对晶圆进行全测，得到所述晶圆中每颗晶粒的测试数据，并将每颗晶粒的所述测试数据及对应的坐标上传计算机系统；
[0007]S2：利用切割机对所述晶圆进行切割，以得到多颗离散的晶粒；
[0008]S3：利用分选机根据晶粒坐标，电压、波长、亮度进行分选，坐标取晶圆直径2/3位置取样，生产批次有P、Q、Y三类，同类特征划分为同类批次，以此分选出N个晶圆，计算机系统根据P、Q、Y三类批次按每批选取若干个晶圆，分选机在每个被选取晶圆的不同位置分选若干颗晶粒到导电膜，根据晶粒的测试数据及坐标进行分类，使晶粒在所述导电膜上呈相对坐标排列整齐，将所述导电膜收集的晶粒送到点测机的质检BIN进行晶粒测试；
[0009]S4：根据所述导电膜收集多个晶粒位于晶圆处的坐标，得到步骤S1中与坐标对应的测试数据，将其定义为标准数据，将标准数据上传计算机系统；
[0010]S5：用用点测机的质检BIN进行晶粒全测，具体晶粒包含同类特征划分为同类批次晶圆直径2/3位置的全部晶粒，测试条件按步骤S1相同测试条件进行测试，得到质检BIN晶粒数据；
[0011]S6：将所述质检BIN晶粒数据上传计算机系统；
[0012]S7：将所述标准数据与所述质检BIN晶粒数据进行对比分析，判断所述质检BIN晶粒数据是否处于所述标准数据的标准范围内；若是，则根据步骤S3同类特征划分为P、Q、Y三
类的同类批次类型，将所述质检BIN晶粒数据符合标准范围、且与步骤S5中测试晶粒属于同批次类型的未测试晶粒作为成品入库，按晶粒数据良率达成率、形态完整度及表面外观进行优次分类，其中，优品列为a档，次品列为b档；
[0013]S8：将步骤S5中所述质检BIN晶粒数据符合标准范围的测试晶粒作为降档成品入库，并将其列为c档；
[0014]S9：根据步骤S7中所述质检BIN晶粒数据是否处于所述标准数据的标准范围内的判断结果，若否，则将步骤S5中所述质检BIN晶粒数据不符合标准范围的测试晶粒及同批次类型的未测试晶粒退回晶粒工艺分析，所述晶粒工艺分析是通过工艺人员分析、解决、判定批次进行降级处理或报废处理的措施；
[0015]S10：根据步骤S9中所述晶粒工艺分析判定不合格品是否流入分选抽检品中，若是，则分选机出现异常，将晶粒对应批次及涉及的分选机进行清机，将分选机重置，分选机重新分选新料；若否，则根据步骤S9中晶粒工艺分析，按晶粒数据良率达成率、形态完整度进行优劣分类，其中，优品列为d档入库，劣品列为e档回收；
[0016]进一步的，步骤S3中所述分类过程系根据点测机测量晶圆中每颗晶粒电压、波长、亮度参数进行分类，将数量较多的类别中的晶粒收集至导电膜。
[0017]进一步的，步骤S3中所述不同位置包括被选取晶圆的上方、下、左、右、中心位置中的多个位置，所述晶圆的上、下、左、右、中位置所组成的圆形轨迹半径为所述晶圆外径的2/3。
[0018]进一步的，步骤S3中所述计算机系统根据批次按每批选2pcs晶圆，所述分选机在每个选取晶圆的上、下、左、右、中位置分选3颗到导电膜。
[0019]进一步的，步骤S7中所述标准数据中的电压数据的标准范围为
±
0.04v～
±
0.06v。
[0020]进一步的，步骤S7中所述标准数据中的亮度数据的标准范围为4％～6％。
[0021]进一步的，步骤S7中所述标准数据中的波长数据的标准范围为
±
0.6nm～
±
0.8nm。
[0022]进一步的，步骤S9中所述晶粒工艺分析包括数据良率达成率、形态完整度、表面平整度、外观光洁质量中的一种或多种。
[0023]本专利技术的有益效果是：本专利技术利用导电膜收集晶粒，同时抛出收集晶粒数据，点测机回测晶粒比对数据，得到良率管控，提前防止切割产出不良晶粒流入客户端，有效管控产品NG异常率，有效卡控LED晶粒产品质量，解决产品批次异常、分类混乱的问题，保证LED晶粒产品的质量及可靠性。
附图说明
[0024]图1是本专利技术一实施例的工艺步骤流程图；
[0025]图2是本专利技术一实施例的数据对比图。
具体实施方式
[0026]下面结合说明书附图及实施例对本专利技术作进一步的详细描述。
[0027]需要说明的是，当元件被称为“设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或
者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”、“中”以及类似的表述只是为了说明的目的，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0028]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0029]实施例一
[0030]本实施例提供了一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，包括以下步骤：
[0031]S1：利用点测机对晶圆进行全测，得到所述晶圆中每颗晶粒的测试数据，并将每颗晶粒的所述测试数据及对应的坐标上传计算机系统，以此利于后期收集、分选作业时根据坐标快速查找晶粒对应的测试数据；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：利用点测机对晶圆进行全测，得到所述晶圆中每颗晶粒的测试数据，并将每颗晶粒的所述测试数据及对应的坐标上传计算机系统；S2：利用切割机对所述晶圆进行切割，以得到多颗离散的晶粒；S3：利用分选机根据晶粒坐标，电压、波长、亮度进行分选，坐标取晶圆直径2/3位置取样，生产批次有P、Q、Y三类，同类特征划分为同类批次，以此分选出N个晶圆，计算机系统根据P、Q、Y三类批次按每批选取若干个晶圆，分选机在每个被选取晶圆的不同位置分选若干颗晶粒到导电膜，根据晶粒的测试数据及坐标进行分类，使晶粒在所述导电膜上呈相对坐标排列整齐，将所述导电膜收集的晶粒送到点测机的质检BIN进行晶粒测试；S4：根据所述导电膜收集多个晶粒位于晶圆处的坐标，得到步骤S1中与坐标对应的测试数据，将其定义为标准数据，将标准数据上传计算机系统；S5：用点测机的质检BIN进行晶粒全测，具体晶粒包含同类特征划分为同类批次晶圆直径2/3位置的全部晶粒，测试条件按步骤S1相同测试条件进行测试，得到质检BIN晶粒数据；S6：将所述质检BIN晶粒数据上传计算机系统；S7：将所述标准数据与所述质检BIN晶粒数据进行对比分析，判断所述质检BIN晶粒数据是否处于所述标准数据的标准范围内；若是，则根据步骤S3同类特征划分为P、Q、Y三类的同类批次类型，将所述质检BIN晶粒数据符合标准范围、且与步骤S5中测试晶粒属于同批次类型的未测试晶粒作为成品入库，按晶粒数据良率达成率、形态完整度及表面外观进行优次分类，其中，优品列为a档，次品列为b档。2.如权利要求1所述的垂直结构LED晶粒分选后质检方法，其特征在于：在步骤S7之后还包括：S8：将步骤S5中所述质检BIN晶粒数据符合标准范围的测试晶粒作为降档成品入库，并将其列为c档。3.如权利要求1所述的垂直结构LED晶粒分选后质检方法，其特征在于：在步骤S7之后还包括：S9：根据步骤S7中所述质检BIN晶粒数据是否处于所述标准数据的标准范围内的判断结果，若否，则将步骤S5中所述质检BIN晶粒数据不符合标准范围的测试晶粒及同批次类型的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱兵兵，王晓明，赵晓明，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：