一种自动判断晶圆图谱偏移的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种自动判断晶圆图谱偏移的方法，该方法包括：获取其测试晶圆的电子图谱；获取测试晶圆实物的电子图像；比较测试晶圆实物的有效范围与电子图谱的扫描范围；如果测试晶圆实物的有效范围等于电子图谱的扫描范围，采用方法1或者方法2自动判断晶圆图谱是否偏移。如果测试晶圆实物的有效范围大于电子图谱的扫描范围，只能采用方法1的方法自动判断晶圆图谱是否偏移。本发明专利技术的方法可以自动判断图谱偏移的异常情况，保证图谱质量，减少人工作业参与程度，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种自动判断晶圆图谱偏移的方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体检测
，更具体涉及一种自动判断晶圆图谱偏移的方法及装置。

技术介绍

[0002]晶圆(wafer)是一个圆形硅片，其上建立了许多独立的电路，单个独立电路被称为芯片(die)。
[0003]在晶圆完成凸块工艺后，使用自动表面缺陷检验设备对晶圆的表面进行100％的检验，产生一张电子格式的图谱。具体为：检验设备自动获取晶圆，并将晶圆放置在设备的扫描区域，对位后进行后续扫描并输出图谱。检验设备在扫描前是利用mark die(晶圆制造时预置的对位芯片，没有正常功能，也不需要检验)进行对位。正常情况下，晶圆的实物mark die和设备机台图谱的mark die会对齐，但如果设备对位时有偏移，会导致最终的图谱发生偏移。比如：如图1所示，绿色圆框为实物晶圆圆片，白色方块芯片为实物mark die，绿色方块芯片为图谱的mark die。设备机台抓取晶圆对位时，抓到白色方块的实物mark die右下方的一颗绿色方块芯片作为图谱的mark die。此时，机台按照偏移的图谱的mark 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动判断晶圆图谱偏移的方法，其特征在于，包括：自晶圆测试系统中获取其测试晶圆的电子图谱；获取测试晶圆实物的电子图像；比较测试晶圆实物的有效范围与电子图谱的扫描范围；如果测试晶圆实物的有效范围等于电子图谱的扫描范围，采用以下任意一种方法自动判断晶圆图谱是否偏移：方法1：自所述电子图谱中获取其记录的Mark die的数量及坐标信息；检索所述电子图谱中每个Mark die周围的不合格芯片，并记录所述不合格芯片的坐标信息；分析所述电子图谱中每个Mark die周围是否都存在相对位置相同的不合格芯片，如果都存在，则判断所述电子图谱发生了偏移；方法2：逐行或者逐列分析电子图谱上的芯片，并记录每一行或者每一列的首颗或者末颗芯片是否为不合格芯片，如果存在不合格芯片，则判断所述电子图谱发生了偏移；如果测试晶圆实物的有效范围大于电子图谱的扫描范围，只能采用上述方法1所述的方法自动判断晶圆图谱是否偏移。2.根据权利要求1所述的一种自动判断晶圆图谱偏移的方法，其特征在于，所述方法1中，每个Mark die的周围分别围绕多圈芯片，所述不合格芯片的坐标均是以其最靠近的Mark die坐标为原点，经检索后确定各个所述不合格芯片的坐标，具体检索步骤为：以第一个Mark die坐标为原点，...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏美保，毛鹏桦，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：