本发明专利技术提供了一种LED芯片的制作方法，包括：形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构；LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；所述临时转移衬底键合于所述P型外延层上；提供第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；将所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层与对应所述第一基板单元键合，同时去除所述临时转移衬底，以将所述若干LED芯片模组结构整体转移到所述第一基板上；将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接；对所述若干LED芯片模组进行整体封装。片模组进行整体封装。片模组进行整体封装。
【技术实现步骤摘要】
LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备
[0001]本专利技术涉及LED芯片领域，尤其涉及一种LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备。
技术介绍
[0002]目前，市场上背光LED灯条的生产工艺步骤繁杂，依靠多条生产线加工组合生产(芯片压焊接线、芯片封装、PCB焊接等)，这样的生产线一般所需人数为14至17人，且需要多次工人搬运周转。因此存在以下不足之处：工艺流程复杂，人数较多，人工成本较高；多条生产线转运半成品，需要多次工人搬运周转，由于人为因素很容易造成混料或产品损伤，给工厂造成严重损失；工厂转运过程需耗费时间，生产效率低下；产品经过外部封装及打线焊接使得LED芯片尺寸增大，不利于微型化。
[0003]因而，研发一种简化了生产工艺流程，以降低人力成本，提高生产效率及产品良率，同时可以实现产品微缩化的工艺，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种LED芯片的制作方法、LED芯片、设备的制作方法以及设备，以解决由于工艺生产线多带来的产品损伤和效率低下的问题，以及由于分装以及打线导致的LED芯片尺寸增大，不利于微型化的问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，提供了一种LED芯片的制作方法，包括：
[0006]形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构；LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；其中，所述P型外延层和所述发光层形成于部分所述N型外延层上，以暴露出部分所述N型外延层；所述临时转移衬底键合于所述P型外延层上；
[0007]提供第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；其中，所述N电极与所述P电极在所述第一基板上的位置，分别适配于对应的所述N型外延层和所述P型外延层在所述LED芯片模组结构中的位置；
[0008]将所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层与对应所述第一基板单元键合，同时去除所述临时转移衬底，以将所述若干LED芯片模组结构整体转移到所述第一基板上；
[0009]将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接；
[0010]对所述若干LED芯片模组进行整体封装。
[0011]可选的，所述第一基板单元的尺寸适配于所述LED芯片模组结构的尺寸。
[0012]可选的，形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构，具体包括：
[0013]在衬底上形成所述若干LED芯片模组结构；
[0014]提供一带有键合层的所述临时转移衬底；
[0015]将所述临时转移衬底通过所述键合层键合于所述衬底的第一面；所述衬底的第一
面表征了所述衬底上形成有所述若干LED芯片模组结构的一面；
[0016]剥离所述衬底，以形成键合有所述临时转移衬底的所述若干LED芯片模组结构。
[0017]可选的，在衬底上形成若干所述LED芯片模组结构，具体包括：
[0018]提供一所述衬底；
[0019]在所述衬底上依次形成所述N型外延层、所述发光层以及所述P型外延层；
[0020]刻蚀所述N型外延层、所述发光层以及所述P型外延层，以暴露出部分所述衬底以及部分所述衬底周围的部分所述N型外延层，使得所述P型外延层和所述发光层形成于部分所述N型外延层上，以在所述衬底上形成所述若干LED芯片模组结构。
[0021]可选的，所述衬底是复合图形化蓝宝石衬底；所述复合图形化蓝宝石衬底包括宝石蓝衬底以及形成于所述宝石蓝衬底上的图形化结构层；其中，所述若干LED芯片模组结构形成于所述图形化结构层上。
[0022]可选的，剥离所述衬底，以形成键合有所述临时转移衬底的所述若干LED芯片模组结构之后，还包括：
[0023]去除所述图形化结构层，以形成键合有所述临时转移衬底的所述若干LED芯片模组结构。
[0024]可选的，将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，并将所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接，具体包括：
[0025]将所述N型外延层与对应的所述N电极通过金属走线连接，以使得所述N型外延层与所述N电极电性连接；
[0026]将所述P型电极与对应的所述P电极通过所述金属走线连接，以使得所述N型外延层与所述N电极电性连接。
[0027]可选的，对所述若干LED芯片模组进行整体封装具体包括：
[0028]提供一封装盖板；
[0029]将所述封装盖板键合于所述第一基板上，以形成封装后的所述LED芯片，以将若干所述LED芯片模组进行整体封装。
[0030]根据本专利技术的第二方面，提供了一种LED芯片，利用本专利技术第一方面任一项所述的LED芯片的制作方法制作而成，包括：
[0031]第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；
[0032]若干LED芯片模组结构；每个LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；其中，所述P型外延层和所述发光层形成于部分所述N型外延层上，以暴露出部分所述N型外延层；每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，并将所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接；其中，每个所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层均与对应的所述第一基板单元键合，以使得所述若干LED芯片模组结构形成于所述若干第一基板上；
[0033]封装盖板；所述封装盖板键合于所述第一基板上，以使得所述LED芯片整体封装于所述封装盖板上。
[0034]可选的，所述LED芯片还包括：
[0035]若干金属走线；所述N型外延发光层通过所述金属走线连接所述N电极，以使得所
述N型外延层与所述N电极电性连接；所述P型外延层通过金属走线连接所述P电极，以使得所述P型外延层与所述P电极电性连接。
[0036]可选的，所述第一基板为COMS板。
[0037]可选的，所述封装盖板通过粘结层与所述第一基板键合。
[0038]根据本专利技术的第三方面，提供了一种电子设备的制作方法，包括本专利技术第一方面任一项所述的LED的制作方法。
[0039]根据本专利技术的第四方面，提供了一种电子设备，包括本专利技术第二方面任一项所述的LED芯片。
[0040]本专利技术提供的一种LED芯片的制作方法，通过将临时转移衬底上的若干LED芯片模组整体转移到第一基板中对应的第一基板单元上，节省了制作工序，保证了产品良率；通过对第一基板上的若干LED芯片模组进行整体封装，相比于现有技术对单个芯片模组进行封装而言，实现了LED芯片最终产品的微缩化。因而，本申请提出的技术方案可以解决现有技术手段中存在的由于工艺生产线多带来的产品损伤和效率低下的问题，以及由于分装以及打线导致的LED芯片尺寸增大，不利于微型化的问题；可以实现简化了生产工艺本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构；LED芯片模组结构包括：依次堆叠的N型外延层、发光层以及P型外延层；其中，所述P型外延层和所述发光层形成于部分所述N型外延层上，以暴露出部分所述N型外延层；所述临时转移衬底键合于所述P型外延层上；提供第一基板；所述第一基板包括若干第一基板单元；第一基板单元包括N电极和P电极；其中，所述N电极与所述P电极在所述第一基板上的位置，分别适配于对应的所述N型外延层和所述P型外延层在所述LED芯片模组结构中的位置；将所述LED芯片模组结构中的所述N型外延层与对应所述第一基板单元键合，同时去除所述临时转移衬底，以将所述若干LED芯片模组结构整体转移到所述第一基板上；将每个所述LED芯片模组结构中的所述P型外延层与对应的所述P电极电性连接，所述N型外延层与对应的所述N电极电性连接；对所述若干LED芯片模组进行整体封装。2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一基板单元的尺寸适配于所述LED芯片模组结构的尺寸。3.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，形成键合有临时转移衬底的若干LED芯片模组结构，具体包括：在衬底上形成所述若干LED芯片模组结构；提供一带有键合层的所述临时转移衬底；将所述临时转移衬底通过所述键合层键合于所述衬底的第一面；所述衬底的第一面表征了所述衬底上形成有所述若干LED芯片模组结构的一面；剥离所述衬底，以形成键合有所述临时转移衬底的所述若干LED芯片模组结构。4.根据权利要求3所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在衬底上形成若干所述LED芯片模组结构，具体包括：提供一所述衬底；在所述衬底上依次形成所述N型外延层、所述发光层以及所述P型外延层；刻蚀所述N型外延层、所述发光层以及所述P型外延层，以暴露出部分所述衬底以及部分所述衬底周围的部分所述N型外延层，使得所述P型外延层和所述发光层形成于部分所述N型外延层上，以在所述衬底上形成所述若干LED芯片模组结构。5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底是复合图形化蓝宝石衬底；所述复合图形化蓝宝石衬底包括宝石蓝衬底以及形成于所述宝石蓝衬底上的图形化结构层；其中，所述若干LED芯片模组结构形成于所述图形化结构层上。6.根据权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，剥离所述衬底，以形成键合有所述临时转移衬底的所述若干LED芯片模组结构之后，还包括：去除所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，岑岗，陈朋，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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