本发明专利技术提供的一种多孔荧光片，包括：第一基板；若干阵列排布的孔洞；形成于第一基板中，且贯穿第一基板；若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；若干荧光结构；分别填充于孔洞中；若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；其中，当多孔荧光片键合于LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有荧光结构单元。该方案解决了如何提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题，以及LED模组与荧光片合并制备的工艺效率低，无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。
【技术实现步骤摘要】
多孔荧光片及制作方法、高亮度的LED模组及制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体制作工艺领域，尤其涉及一种多孔荧光片及制作方法、高亮度的LED模组及制作方法。
技术介绍
[0002]随着汽车电子化、智能化的发展，汽车照明系统也在不断升级，从传统的单纯照明功能，到现在的自适应大灯、矩阵式大灯、激光大灯等多种技术方案，实现了更高效、更安全、更个性化的照明效果。智能车灯不仅可以提高驾驶员和行人的视野和安全性，还可以与周围环境进行交互和通信提升行车效率，甚至可以通过个性化场景带来氛围和尊贵感。智能车灯的像素化、智能化和个性化，带来了更安全，更智能，更丰富的应用场景，持续为汽车安全出行，娱乐生活赋能。
[0003]矩阵式LED大灯可以在各种情况下准确地照亮前方道路，每一个LED发光元件都是可以独立调节亮度、独立开关的。夜间会车或遇到行人时，矩阵式LED大灯就会自动熄灭部分灯体，其它车辆驾驶员因炫目而发生危险，可提升夜间行车安全系数及驾驶体验。
[0004]因而，研发一种高分辨率、高亮度的矩阵式LED车灯模组制备方法与结构，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一种多孔荧光片及制作方法、高亮度的LED模组及制作方法，以解决如何提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题，以及LED模组与荧光片合并制备的工艺效率低，无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供了一种多孔荧光片，用于提高LED模组的显示对比度和出光亮度，包括：
[0007]第一基板；
[0008]若干阵列排布的孔洞；形成于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；
[0009]若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；
[0010]若干荧光结构；分别填充于所述孔洞中；
[0011]若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；
[0012]其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，所述荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；
[0013]其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于所述LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。
[0014]可选的，所述透镜结构的材料为二氧化硅或树脂。
[0015]可选的，所述荧光结构的材料为：量子点或荧光胶。
[0016]根据本专利技术的第二方面，提供了一种多孔荧光片的制作方法，包括：
[0017]提供第一基板；
[0018]形成若干孔洞、若干反射镜层以及若干荧光结构；所述若干孔洞阵列排布于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；所述若干反射镜层分别形成于对应的孔洞的侧壁上；所述若干荧光结构分别填充于对应的孔洞中；
[0019]形成若干透镜结构；所述若干透镜结构分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，每个所述孔洞中的形成的所述荧光结构、反射镜层以及对应的透镜结构形成荧光结构单元；
[0020]对所述第一基板的第一面进行减薄，以暴露出所述第一基板的所述第一面的所述荧光结构；其中，所述第一基板的第一面表征了所述第一基板的形成所述透镜结构的一面的对立面；
[0021]其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。
[0022]根据本专利技术的第三方面，提供了一种高亮度的LED模组，包括：阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：沿第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；
[0023]一个或两个以上的阴极柱；
[0024]金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；
[0025]CMOS驱动电路基板；
[0026]若干P
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pad结构；形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；
[0027]若干N
‑
pad结构；形成于所述阴极柱的第一表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N
‑
pad结构形成共阴极结构；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板的一面；
[0028]多孔荧光片；所述多孔荧光片包括第一基板与阵列排布的若干荧光结构单元；其中，每个荧光结构单元均包括：孔洞、反射镜层、荧光结构以及透镜结构；所述射镜层形成于孔洞的侧壁上；所述荧光结构填充于所述孔洞中；所述透镜结构形成于对应的所述荧光结构的顶端；
[0029]其中，所述荧光结构单元对应键合于对应的所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。
[0030]根据本专利技术的第四方面，提供了一种高亮度的LED模组的制作方法，包括：
[0031]提供一LED模组；所述LED模组包括：阵列排布的若干LED像素单元、金属空气桥结构、CMOS驱动电路基板、若干P
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pad结构、若干N
‑
pad结构以及一个或两个以上的阴极柱；每个LED像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；其中，所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴
极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板的一面；所述若干P
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pad结构形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；所述若干N
‑
pad结构形成于所述阴极柱的所述第一表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N
‑
pad结构形成共阴极结构；
[0032]提供第一基板；
[0033]形成阵列排布的若干孔洞、若干反射镜层以及若干荧光结构；所述若干孔洞形成于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；所述若干反射镜层分别形成于对应的孔洞的侧壁上；所述若干荧光结构分别填充于对应的所述孔洞中；
[0034]形成若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，在每个所述孔洞中形成的所述荧光结构、所述反射镜层以及所述透镜结构形成荧光结构单元；
[0035]对所述第一基板的第一面进行减薄，以暴露出所述第一基板的所述第一面的所述荧光结构单元；其中，所述第一基本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多孔荧光片，用于提高LED模组的显示对比度和出光亮度，其特征在于，包括：第一基板；若干阵列排布的孔洞；形成于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；若干荧光结构；分别填充于所述孔洞中；若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，所述荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于所述LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。2.根据权利要求1所述的多孔荧光片，其特征在于，所述透镜结构的材料为二氧化硅或树脂。3.根据权利要求1所述的多孔荧光片，其特征在于，所述荧光结构的材料为：量子点或荧光胶。4.一种多孔荧光片的制作方法，其特征在于，包括：提供第一基板；形成若干孔洞、若干反射镜层以及若干荧光结构；所述若干孔洞阵列排布于所述第一基板中，且贯穿所述第一基板；所述若干反射镜层分别形成于对应的孔洞的侧壁上；所述若干荧光结构分别填充于对应的孔洞中；形成若干透镜结构；所述若干透镜结构分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，每个所述孔洞中的形成的所述荧光结构、反射镜层以及对应的透镜结构形成荧光结构单元；对所述第一基板的第一面进行减薄，以暴露出所述第一基板的所述第一面的所述荧光结构；其中，所述第一基板的第一面表征了所述第一基板的形成所述透镜结构的一面的对立面；其中，所述若干孔洞的阵列排布方式适配于LED模组中若干LED像素单元的阵列排布方式，以使得：当所述多孔荧光片键合于所述LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。5.一种高亮度的LED模组，其特征在于，包括：阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：沿第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面；一个或两个以上的阴极柱；金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与第一表面上；CMOS驱动电路基板；若干P
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pad结构；形成于所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间；若干N
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pad结构；形成于所述阴极柱的第一表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N
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pad结构形成共
阴极结构；其中，所述阴极柱的第一表面表征了所述阴极柱的靠近所述CMOS驱动电路基板的一面；多孔荧光片...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，袁根如，徐志伟，陈朋，马后永，韦慧，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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