发光装置(10)具备固体发光元件(3)和荧光体，放出输出光(4)。输出光的分光分布具有源自荧光体所放出的荧光的第一光成分(5)以及第二光成分(6)，并且在第一光成分和第二光成分之间具有第一极小值(8)。第一光成分是在560nm以上且低于700nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分是在700nm以上且低于2500nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分的强度最大值大于第一光成分的强度最大值。第一极小值低于第二光成分的强度最大值的50％。电子设备具备该发光装置。电子设备具备该发光装置。电子设备具备该发光装置。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置以及使用该发光装置的电子设备
[0001]本专利技术涉及发光装置以及使用该发光装置的电子设备。
技术介绍
[0002]一直以来，已知有将固体发光元件和荧光体组合而成，发出包含近红外的光成分的输出光的发光装置(参照专利文献1)。
[0003]专利文献1公开了作为卤素灯等的替代而利用的产业设备用的发光元件。具体而言，该发光元件具备：LED元件，发出在380～500nm具有单一的峰值波长的激发光；荧光体，射入激发光而发出比激发光长的波长的荧光；以及光取出面，射出由激发光和荧光重合而成的射出光。另外，射出光表示至少在激发光的峰值波长以上且1050nm以下的范围内的发光，并且，至少在从激发光的峰值波长到1050nm的范围内，全部显示1050nm时的发光强度以上的发光强度。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
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204831号公报
技术实现思路
[0007]然而，将固体发光元件和荧光体组合而成，同时放出近红外和可见的光成分的以往的发光装置，出于替代卤素灯装置的目的而正在进行开发。因此，输出光的分光分布的宽度宽，例如在从波长420nm附近到1000nm附近的宽范围内输出光的光能被分散。
[0008]在此，检查等所需的波长成分根据检查对象和目的而异，最小限度所需的波长被限定。尽管如此，由于以往的发光装置的输出光具有宽频带性的分光分布，因此存在不需要的波长成分较多、输出光的光成分不能有效被利用的问题。另外，该输出光由于所需波长的光强度变小，因此发光装置的小型高输出化以及高效率化很困难。
[0009]本专利技术是鉴于这样的现有技术所存在的课题而完成的。另外，本专利技术的目的在于，提供有利于特定波长的可见光成分以及近红外光成分的高输出化的发光装置、以及使用该发光装置的电子设备。
[0010]为了解决上述课题，本专利技术的第一方式所涉及的发光装置是一种具备固体发光元件和荧光体，放出输出光的发光装置。输出光的分光分布具有源自荧光体所放出的荧光的第一光成分以及第二光成分，并且在第一光成分和第二光成分之间具有第一极小值。第一光成分是在560nm以上且低于700nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分是在700nm以上且低于2500nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分。第二光成分的强度最大值大于第一光成分的强度最大值。第一极小值低于第二光成分的强度最大值的50％。
[0011]本专利技术的第二方式所涉及的电子设备具备上述的发光装置。
附图说明
[0012]图1是表示本实施方式的发光装置所放出的输出光的分光分布的一个例子的曲线图。
[0013]图2是表示本实施方式所涉及的发光装置的结构的一个例子的概略图。
[0014]图3是表示本实施方式所涉及的发光装置的结构的其它例子的概略图。
[0015]图4是表示本实施方式所涉及的发光装置的结构的其它例子的概略图。
[0016]图5是表示本实施方式所涉及的发光装置的结构的其它例子的概略图。
[0017]图6是表示本实施方式所涉及的电子设备的结构的一个例子的概略图。
[0018]图7是表示本实施方式所涉及的电子设备的结构的其它例子的概略图。
[0019]图8是表示实施例2～4的发光装置所放出的输出光的分光分布的曲线图。
[0020]图9是表示实施例5～8的发光装置所放出的输出光的分光分布的曲线图。
具体实施方式
[0021]以下，参照附图对本实施方式所涉及的发光装置以及使用该发光装置的电子设备进行详细说明。需要说明的是，为了便于说明，有时对附图的尺寸比率进行了夸张，与实际的比率不同。
[0022][发光装置][0023]本实施方式的发光装置是至少将固体发光元件3和荧光体(第一荧光体1、第二荧光体2)组合而成的、放出输出光4的发光装置。另外，发光装置例如放出图1所示的具有分光分布的输出光4。
[0024](发光装置的输出光)
[0025]如图1所示，本实施方式的发光装置所放出的输出光4的分光分布至少具有源自荧光体的荧光的第一光成分5以及第二光成分6。此外，输出光4的分光分布在第一光成分5和第二光成分6之间具有第一极小值8，即谷部。由图1表明，第一光成分5和第二光成分6成为色调相互不同的光成分。
[0026]另外，第一光成分5是在波长380nm以上且低于700nm、优选波长450nm以上且低于700nm、更优选波长500nm以上且低于660nm的范围内具有强度最大值的荧光成分(可见的光成分)。另外，第二光成分6是在波长700nm以上且低于2500nm、优选波长750nm以上且低于1800nm的范围内具有强度最大值的荧光成分(近红外的光成分)。
[0027]此外，第一光成分得到强度最大值的波长优选为560nm以上，更优选为575nm以上，进一步优选为590nm以上。另外，第二光成分6的强度最大值优选大于第一光成分5的强度最大值。此外，第一极小值8优选低于第二光成分6的强度最大值的50％，更优选低于30％。
[0028]需要说明的是，输出光4的波长范围、即第二光成分6所涉及的波长范围的最长波长能够为800nm、900nm、1000nm、1200nm或1500nm。
[0029]在输出光4具有这样的分光分布的情况下，可见的光成分和近红外的光成分分别作为第一光成分5和第二光成分6被明确分离，进而近红外的光成分的强度变高。因此，该发光装置适合于将出于主要目的而使用的光成分作为近红外光、将出于辅助目的而使用的光成分作为可见光分开使用的用途。此外，该发光装置能够容易地进行电光转换效率或光的使用效率良好的照明设计。
[0030]另外，由于发光装置使用荧光体，所以分光分布的控制变得比较容易。此外，至少在近红外的波长范围内的光成分不会像红外线LED所放出的红外线那样具有极端的窄频带性，也不会像以往的LED光源那样具有超宽频带性，具有适当的带宽。因此，该发光装置有利于得到具有检查装置所要求的恰如其分的带宽的近红外光。
[0031]在此，量子型的光检测器例如CMOS传感器的光检测灵敏度随着从500nm附近变为长波长而降低。因此，在将发光装置和该光检测器组合而成的检查装置以及监视装置中，通过使用输出光4，能够使可视区域和近红外区域的检测水平一致。即，可视区域和近红外区域的检测水平由光检测器的灵敏度与发光装置的输出光强度之积决定。因此，在超过500nm的波长范围内，通过设为第二光成分6的强度最大值大于第一光成分5的强度最大值的分光分布，能够使上述检测水平一致。
[0032]在发光装置中，第二光成分6的分光分布、即比第一极小值8的波长长的波长侧的分光分布在以直方图表示每10nm波长的分光强度时，优选成为单峰型。在此，在本说明书中，“单峰型”是指直方图的山成为一个的分布状态。为了促进该理解，在图1中也用直方图显示了关联的波长范围的数据。通过使第二光成分6本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，其是具备固体发光元件和荧光体、且放出输出光的发光装置，所述输出光的分光分布具有源自所述荧光体所放出的荧光的第一光成分以及第二光成分，并且在所述第一光成分和所述第二光成分之间具有第一极小值，所述第一光成分是在560nm以上且低于700nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分，所述第二光成分是在700nm以上且低于2500nm的波长范围内具有强度最大值的荧光成分，所述第二光成分的强度最大值大于所述第一光成分的强度最大值，所述第一极小值低于所述第二光成分的强度最大值的50％。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二光成分的分光分布在以直方图表示每10nm波长的分光强度时成为单峰型。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，在所述第二光成分中，取得强度最大值的50％的强度的长波长侧的波长与短波长侧的波长之间的波长差为50nm以上且低于200nm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其中，所述第一光成分的分光分布在以直方图表示每10nm波长的分光强度时成为单峰型。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，在所述第一光成分中，取得强度最大值的60％...
【专利技术属性】
技术研发人员：大盐祥三，新田充，鴫谷亮祐，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：
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