高亮度的制造技术

本发明专利技术提供了一种高亮度的

【技术实现步骤摘要】
高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种高亮度的
LED
模组及其制备方法
、LED
芯片及其制备方法
。

技术介绍

[0002]随着汽车电子化
、
智能化的发展，汽车照明系统也在不断升级，从传统的单纯照明功能，到现在的自适应大灯
、
矩阵式大灯
、
激光大灯等多种技术方案，实现了更高效
、
更安全
、
更个性化的照明效果
。
智能车灯不仅可以提高驾驶员和行人的视野和安全性，还可以与周围环境进行交互和通信提升行车效率，甚至可以通过个性化场景带来氛围和尊贵感
。
智能车灯的像素化
、
智能化和个性化，带来了更安全，更智能，更丰富的应用场景，持续为汽车安全出行，娱乐生活赋能
。
[0003]矩阵式
LED
大灯可以在各种情况下准确地照亮前方道路，每一个
LED
发光元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高亮度的
LED
模组，其特征在于，包括：阵列排布的若干
LED
像素单元；每个
LED
像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层
、P
型外延层
、
发光层以及
N
型外延层；其中，所述
N
型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述
N
型外延层的第一面表征了所述
N
型外延层背离所述发光层的一面；一个或两个以上的阴极柱；金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述
N
型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上；
CMOS
驱动电路基板；若干
P
‑
pad
结构；形成于部分所述透明导电层与所述
CMOS
驱动电路基板之间；若干
N
‑
pad
结构；形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述
CMOS
驱动电路基板；其中，所述阴极柱
、
所述金属空气桥结构与所述若干
N
‑
pad
结构形成共阴极结构；光阻结构；阵列排布的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层
、
荧光结构以及透镜结构；其中，所述若干荧光结构阵列排布于所述光阻结构中，且贯穿所述光阻结构；在每个所述荧光结构单元中，所述反射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述
LED
像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述
LED
像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元
。2.
根据权利要求1所述的高亮度的
LED
模组，其特征在于，所述光阻结构的材料为黑胶
。3.
根据权利要求1所述的高亮度的
LED
模组，其特征在于，所述透镜结构的材料为：二氧化硅或树脂
。4.
根据权利要求3所述的多孔荧光结构，其特征在于，所述荧光结构为：玻璃荧光结构或陶瓷荧光结构
。5.
一种高亮度的
LED
模组的制作方法，其特征在于，包括：提供一
LED
模组；所述
LED
模组包括：
LED
像素单元
、
金属空气桥结构
、CMOS
驱动电路基板
、
若干
P
‑
pad
结构
、
若干
N
‑
pad
结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，袁根如，徐志伟，陈朋，马后永，韦慧，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：