一种扇出型封装LED器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种扇出型封装LED器件的制造方法，其步骤包括：涂覆黏附层、黏附RGB芯片、涂覆填充层、制备RDL层、涂覆保护层、制备焊盘、剪薄切割，通过使用扇出型封装的方法，增加了同时封装的芯片数量，减少后续焊接固晶数量，利用多组芯片共阴（阳）极结构，减少了大量焊盘的操作数量，降低因焊盘数量导致的良率损失，并通过多组规则排列的RGB芯片在承接衬底上一齐封装，起到放大单个器件封装效率的效果，借助RGB芯片以三颗为一组的定向排列及焊盘共阴（阳）极结构，在组合成显示器时，可以降低至百万次以下的焊接、固晶操作，提升焊接固晶效率和良率并以此降低生产操作成本。和良率并以此降低生产操作成本。和良率并以此降低生产操作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装LED器件的制造方法


[0001]本专利技术属于LED封装
，具体涉及一种扇出型封装LED器件的制造方法。

技术介绍

[0002]现有LED器件往往是单颗或者三颗RGB芯片封装在一起。单颗芯片封装于填充有荧光粉的硅树脂内，并引出正负极焊盘；三颗RGB芯片封装在一起，引出四个焊盘，一个焊盘采用共阴(阳)结构，另外三个阳（阴）极，分别控制三颗芯片的电流电压，使三色组合发出任意颜色光。
[0003]现在影像技术的发展，4K、8K显示逐渐成为主流，以4K为例，共需RGB芯片两千多万颗，如果是三颗RGB封装后的器件，也需八百万颗，如此巨量的焊接固晶效率是极低的，而且如此巨量的操作也会带来生产成本的居高不下。

技术实现思路

[0004]针对上述现有技术中的问题，本专利技术提供了一种扇出型封装LED器件的制造方法，有效减少芯片焊接固晶数量，减少了大量焊盘数量的作业时间，提升焊接固晶效率并以此降低生产操作成本。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实施：一种扇出型封装LED器件的制造方法，包括以下步骤：S1：提供若干个承接衬底，承接衬底为蓝宝石或者石英材质，承接衬底表面涂覆一层黏附层，黏附层具有压敏胶特性或者自吸附特性；S2：将RGB芯片中的绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片按相同排列顺序分别转移至承接衬底上，RGB芯片中的绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片均为衬底剥离后芯片，RGB芯片出光面与承接衬底表面黏附层接触并被黏附固定，确保芯片电极面外露；S3：在固定好RGB芯片的承接衬底表面涂覆一层填充层，填充层完全填充于RGB芯片间的间隙，使RGB芯片仅露出芯片电极，填充层为光敏性有机物，经过曝光显影后得到图形化表面，将承接衬底放入烤箱烘烤使填充层固化；S4：在填充层表面制备RDL层，RDL层为金属材质，使所有RGB芯片电极中的一极导通，另一极分别单独引出，实现每个RGB芯片可被单独控制；S5：在RDL层表面涂覆一层保护层，以将RDL层中的部分引线进行覆盖隐藏，使RDL层仅露出电极触点部分，保护层材料为光敏性树脂、聚酰亚胺类或环氧树脂类材料中的一种，保护层经过曝光显影后得到图形化表面，将承接衬底放入烤箱烘烤使保护层固化；S6：在固化后的保护层表面制备多个焊盘，每个焊盘单独覆盖并连接导通于RDL层的一个电极触点，焊盘为金属材质；S7：对承接衬底进行减薄，减薄后进行切割，切割时按照每个像素点所需LED器件的相应大小进行，得到多个LED器件产品。
[0006]进一步的，所述RGB芯片高度为6
‑
10um，所述RGB芯片通过以绿光芯片、蓝光芯片、
红光芯片共计三颗芯片为一组，以2～5组为一排，2～5排为一列，形成一个具有4～25像素点的封装器件，以相同方式排列形成多个像素点。
[0007]进一步的，所述承接衬底大小为4、6、8、12inch的圆形，所述承接衬底厚度为300
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700um。
[0008]进一步的，所述黏附层厚度为1
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15um，所述黏附层含有硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂类材料中的一种或多种。
[0009]进一步的，所述填充层厚度为7
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11um。
[0010]进一步的，所述填充层经过曝光显影后，将承接衬底放入烤箱150
‑
230℃烘烤30
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120min使填充层固化。
[0011]进一步的，所述填充层表面制备所述RDL层的制备方法为蒸镀、电镀、磁控溅射中的一种，所述RDL层材质是铜、金、银中的一种。
[0012]进一步的，所述保护层经过曝光显影后，将承接衬底放入烤箱150
‑
230℃烘烤30
‑
120min使保护层固化。
[0013]进一步的，所述保护层表面制备所述焊盘的制备方法为蒸镀，电镀，磁控溅射中的一种，所述焊盘材质是铜、金、银、镍中的一种。
[0014]进一步的，所述承接衬底进行减薄后的厚度为80
‑
200um。
[0015]本专利技术的有益效果是：通过使用扇出型封装的方法，增加了同时封装的芯片数量，减少了后续显示芯片焊接固晶数量，利用多组芯片共阴（阳）极结构，减少了大量焊盘的操作数量，降低因焊盘数量导致的良率损失，并通过多组规则排列的RGB芯片在承接衬底上一齐封装，起到放大单个器件封装效率的效果，有效减少芯片焊接固晶数量，减少了大量焊盘数量所需的作业时间，借助RGB芯片以三颗为一组的定向排列及焊盘共阴（阳）极结构，在组合成显示器时，可以降低至百万次以下的焊接、固晶操作，极大提升焊接固晶效率和良率并以此降低生产操作成本。
附图说明
[0016]图1是本专利技术一实施例的工艺流程图；图2是本专利技术一实施例中步骤S2的局部制造结构示意图；图3是本专利技术一实施例中步骤S3的局部制造结构示意图；图4是本专利技术一实施例中步骤S4的局部制造结构示意图；图5是本专利技术一实施例中步骤S5的局部制造结构示意图；图6是本专利技术一实施例中步骤S6的局部制造结构示意图，图7是本专利技术一实施例中LED器件的结构背视图；图8是本专利技术一实施例中LED器件的结构正视图；图中：11
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承接衬底，12
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绿光芯片，13
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蓝光芯片，14
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红光芯片，15
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芯片电极，16
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填充层，17
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RDL层，18
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保护层，19
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焊盘，20
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LED器件。
具体实施方式
[0017]下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步的详细描述。
[0018]实施例一
如图1所示，一种扇出型封装LED器件的制造方法，包括以下步骤：S1：提供若多个承接衬底11，衬底为蓝宝石材质，大小为8inch的圆形，厚度为500um，衬底表面涂覆一层厚度8um的黏附层，黏附层主要构成是具有压敏特性的硅树脂。S2：将RGB芯片中的绿光芯片12、蓝光芯片13、红光芯片14按相同排列顺序分别巨量转移至承接衬底11上，形成的局部结构如图2所示，RGB芯片中的绿光芯片12、蓝光芯片13、红光芯片14均为衬底剥离后芯片，RGB芯片高度为8um，芯片出光面与承接衬底11表面黏附层接触并被黏附固定，确保芯片电极15面外露；RGB芯片通过以绿光芯片12、蓝光芯片13、红光芯片14共计三颗芯片为一组，每组按绿光芯片12、蓝光芯片13、红光芯片14的顺序排列，以4组为一排，4排为一列，形成一个具有16像素点的封装器件，并以图2所示的相同方式排列形成多个像素点，通过多组规则排列的RGB芯片在承接衬底11上一齐封装，起到放大单个器件封装效率的效果，有效减少后续芯片焊接固晶数量，减少了大量焊盘19数量所需的作业时间；S3：在固定好RGB芯粒的衬底表面涂覆一层厚度为9um的填充层16，填充层16在RGB芯片间的间隙处全部填充，使RGB芯片仅露出芯片电极15，形成的局部结构如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装LED器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：提供若干个承接衬底，在所述承接衬底表面涂覆一层黏附层；S2：将RGB芯片中的绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片按相同排列顺序分别转移至所述承接衬底上，RGB芯片中的绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片均为衬底剥离后的芯片，RGB芯片的出光面与所述承接衬底表面的所述黏附层接触并被黏附固定，以确保芯片电极面外露；S3：在固定好RGB芯片的所述承接衬底的表面涂覆一层填充层，所述填充层完全填充于RGB芯片间的间隙，使RGB芯片仅露出芯片电极，所述填充层为光敏性有机物，经过曝光显影后得到图形化表面，将所述承接衬底放入烤箱烘烤使所述填充层固化；S4：在所述填充层表面制备RDL层，所述RDL层为金属材质，使所有RGB芯片电极中的一极导通，另一极分别单独引出，实现每个RGB芯片可被单独控制；S5：在所述RDL层表面涂覆一层保护层，以将所述RDL层中的部分引线进行覆盖隐藏，使所述RDL层仅露出电极触点部分，所述保护层材料为光敏性聚酰亚胺类或光敏性环氧树脂类材料中的一种，所述保护层经过曝光显影后得到图形化表面，将所述承接衬底放入烤箱烘烤使所述保护层固化；S6：在固化后的所述保护层的表面制备多个焊盘，每个所述焊盘单独覆盖并连接导通于所述RDL层的一个电极触点，所述焊盘为金属材质；S7：对所述承接衬底进行减薄，减薄后进行切割，切割时按照每个像素点所需LED器件的相应大小进行，得到多个LED器件产品。2.如权利要求1所述的扇出型封装LED器件的制造方法，其特征在于：所述RGB芯片高度为6
‑
10um，所述RGB芯片通过以绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片共计三颗芯片为一组，以2～5组为一排，2～5排为一列，形成一个具有4～25像素点的封装器件，以相同方式排列形成多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪恒青，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：