感光性组合物、感光性干膜、带镀覆用铸模的基板的制造方法及镀覆造形物的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够形成尺寸均匀的镀覆造形物的、可利用光刻法形成镀覆用的铸模的化学放大型感光性组合物、具备由该化学放大型感光性组合物构成的感光性层的感光性干膜、使用所述化学放大型正型感光性组合物的带镀覆用铸模的基板的制造方法、使用通过上述方法制造的带铸模基板的镀覆造形物的制造方法。在包含利用活性光线或放射线的照射而产生酸的产酸剂(A)的化学放大型感光性组合物中掺混包含特定结构的香豆素化合物的香豆素化合物(C)。定结构的香豆素化合物的香豆素化合物(C)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光性组合物、感光性干膜、带镀覆用铸模的基板的制造方法及镀覆造形物的制造方法


[0001]本专利技术涉及用于利用光刻法在基板上形成镀覆用的铸模的化学放大型感光性组合物、具备由该化学放大型感光性组合物构成的感光性层的感光性干膜、使用所述化学放大型感光性组合物的图案化的带镀覆用铸模的基板的制造方法、使用通过所述方法制造的带镀覆用铸模的基板的镀覆造形物的制造方法。

技术介绍

[0002]目前，光电加工(photofabrication)已经成为精密微细加工技术的主流。光电加工是指，将光致抗蚀剂组合物涂布在被加工物表面从而形成光致抗蚀剂层，利用光刻技术使光致抗蚀剂层图案化，并将图案化后的光致抗蚀剂层(光致抗蚀剂图案)作为掩模进行化学蚀刻、电解蚀刻，或者进行以电镀为主体的电铸等，来制造半导体封装等各种精密部件的技术的总称。
[0003]此外，近年来，随着电子设备的小型化，半导体封装的高密度安装技术不断推进，正在谋求基于封装的多引脚薄膜安装化，封装尺寸的小型化，倒装芯片方式的2维安装技术、3维安装技术的安装密度的提高。在这样的高密度安装技术中，例如封装上突出的凸块等突起电极(安装端子)、或将从晶圆上的外围端子延伸的再布线与安装端子相连接的金属柱等作为连接端子而被高精度地配置在基板上。
[0004]在如上所述的光电加工中使用了光致抗蚀剂组合物，作为那样的光致抗蚀剂组合物，公知有包含产酸剂的化学放大型感光性组合物(参照专利文献1、2等)。化学放大型感光性组合物是指，通过照射放射线(曝光)而从产酸剂产生酸，通过加热处理促进酸的扩散，从而相对于组合物中的基体树脂等引起酸催化反应，使其碱溶解性发生变化。
[0005]这样的化学放大型感光性组合物除了被用于图案化的绝缘膜、蚀刻用掩模的形成以外，还被用于例如通过镀覆工序形成如凸块、金属柱及Cu再布线那样的镀覆造形物等。具体来说，使用化学放大型感光性组合物，在如金属基板那样的支承体上形成所期望的膜厚的光致抗蚀剂层，经由规定的掩模图案进行曝光并显影，形成作为选择性地去除(剥离)了形成镀覆造形物的部分的铸模而使用的图案化的抗蚀剂膜。然后，通过镀覆将铜等导体埋入该被去除的部分(非抗蚀剂部)后，去除其周围的抗蚀剂膜，由此能够形成凸块、金属柱及Cu再布线。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开平9
‑
176112号公报
[0009]专利文献2：日本特开平11
‑
52562号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的技术问题
[0011]随着半导体封装更加高密度化，要求突起电极和金属柱等进一步高密度化、高精度化。为了实现突起电极和金属柱等的进一步高密度化、高精度化，期望有一种化学放大型感光性组合物，能够形成精密地控制了尺寸的抗蚀剂膜。
[0012]突起电极和金属柱等大多形成在基板上的由铜等金属构成的金属表面上。但是，如专利文献1、2等所公开的那样，采用以往已知的化学放大型抗蚀剂组合物利用光刻法在基板上形成作为图案化的抗蚀剂膜的镀覆用的铸模的情况下，存在铸模的尺寸容易因铸模的形成条件的微小差异而大幅变动的问题。如果铸模的尺寸产生变动，则随着由镀覆而填充金属的铸模中的非抗蚀剂部的容积的变化，对于由镀覆形成的突起电极和金属柱，不仅在截面积上容易产生偏差，而且在高度上也容易产生偏差。
[0013]本专利技术是鉴于上述技术问题而提出的，其目的在于，提供一种能够形成尺寸均匀的镀覆造形物的、可利用光刻法形成镀覆用的铸模的化学放大型感光性组合物、具备由该化学放大型感光性组合物构成的感光性层的感光性干膜、使用所述化学放大型正型感光性组合物的带镀覆用铸模的基板的制造方法、使用通过上述方法制造的带铸模基板的镀覆造形物的制造方法。
[0014]用于解决上述技术问题的方案
[0015]本专利技术人等为了达成上述目的而不断锐意研究，结果发现通过在包含利用活性光线或放射线的照射而产生酸的产酸剂(A)的化学放大型感光性组合物中掺混包含特定结构的香豆素化合物的香豆素化合物(C)，能够解决上述技术问题，从而完成了本专利技术。具体来说，本专利技术提供以下方案。
[0016]本专利技术的第1方案为一种化学放大型感光性组合物，用于利用光刻法在基板上形成镀覆用的铸模，含有：
[0017]产酸剂(A)，通过照射活性光线或放射线而产生酸；香豆素化合物(C)，
[0018]香豆素化合物(C)包含以下述式(c1)表示的化合物。
[0019]【化1】
[0020][0021](式(c1)中，R
c1
为芳香族基、有机氧基羰基或酰基，R
c2
为以
‑
OR
c3
或
‑
NR
c4
R
c5
表示的基团，R
c3
为有机基团，R
c4
及R
c5
分别独立地为氢原子或有机基团，R
c4
及R
c5
的至少一方为有机基团，作为R
c3
的有机基团、作为R
c4
的有机基团及作为R
c5
的有机基团可以分别独立地与式(c1)中的苯环键合而形成环。)
[0022]本专利技术的第2方案为一种感光性干膜，具有基材薄膜与形成于基材薄膜的表面的感光性层，感光性层由第1方案的化学放大型感光性组合物构成。
[0023]本专利技术的第3方案为一种带镀覆用铸模的基板的制造方法，包括：
[0024]层叠工序，在基板上层叠由第1方案的化学放大型感光性组合物构成的感光性层；
[0025]曝光工序，对感光性层位置选择性地照射活性光线或放射线；与
[0026]铸模形成工序，对曝光后的感光性层进行显影，形成图案化的抗蚀剂膜作为镀覆用的铸模。
[0027]本专利技术的第4方案为一种镀覆造形物的制造方法，包括对由第3方案的方法制造的
所述带镀覆用铸模的基板实施镀覆而形成镀覆造形物。
[0028]专利技术效果
[0029]根据本专利技术，能够提供一种能够形成尺寸均匀的镀覆造形物的、可利用光刻法形成镀覆用的铸模的化学放大型感光性组合物、具备由该化学放大型感光性组合物构成的感光性层的感光性干膜、使用所述化学放大型正型感光性组合物的带镀覆用铸模的基板的制造方法、使用通过上述方法制造的带铸模基板的镀覆造形物的制造方法。
具体实施方式
[0030]《化学放大型感光性组合物》
[0031]化学放大型感光性组合物用于利用光刻法在基板上形成镀覆用的铸模。
[0032]化学放大型感光性组合物包含以下述式(c1)表示的化合物作为香豆素化合物(C)。
[0033]【化2】
[0034][0035](式(c1)中，R
c1
为芳香族基、有机氧基羰基或酰基，R
c2
为以
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化学放大型感光性组合物，是用于利用光刻法在基板上形成镀覆用的铸模的化学放大型感光性组合物，其特征在于，含有：产酸剂(A)，通过照射活性光线或放射线而产生酸；香豆素化合物(C)，所述香豆素化合物(C)包含以下述式(c1)表示的化合物，【化1】式(c1)中，R
c1
为芳香族基、有机氧基羰基或酰基，R
c2
为以
‑
OR
c3
或
‑
NR
c4
R
c5
表示的基团，R
c3
为有机基团，R
c4
及R
c5
分别独立地为氢原子或有机基团，R
c4
及R
c5
的至少一方为有机基团，作为R
c3
的有机基团、作为R
c4
的有机基团及作为R
c5
的有机基团可以分别独立地与式(c1)中的苯环键合而形成环。2.如权利要求1所述的化学放大型感光性组合物，其特征在于，以所述式(c1)表示的化合物是以下述式(c1
‑
1)表示的化合物，【化2】式(c1
‑
1)中，R
c1
及R
c2
与所述式(c1)中的这些相同。3.如权利要求2所述的化学放大型感光性组合物，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸本友辅，片山翔太，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：