用于在炉内支撑半导体晶片的晶片舟制造技术

本发明专利技术公开一种用于在炉内支撑多个半导体晶片的晶片舟。所述晶片舟包含指状物集合，每一指状物具有接触突起，其接触且支撑半导体晶片。晶片。晶片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在炉内支撑半导体晶片的晶片舟
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请案主张2020年6月26日申请的第63/044,698号美国临时专利申请案的权利，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及用于支撑半导体晶片的半导体晶片舟，且更特定来说，涉及用于在炉内对半导体晶片进行热处理的半导体晶片舟。

技术介绍

[0004]半导体晶片在高温下通常经热处理(即，退火)以实现某些所要特性。例如，退火可用于在晶片上产生无缺陷硅层。所述高温退火工艺通常在垂直炉内实行，垂直炉使晶片遭受高于1100℃(例如，在约1200℃到约1300℃之间)的温度。
[0005]多个半导体晶片可通过晶片舟或“机架”支撑在所述垂直炉内。所述晶片舟包含半导体晶片搁置于其上的一或多个支撑件。在暴露于高温(尤其高于1100℃的温度)期间，所述晶片暂时地变得更具可塑性，即，所述晶片的屈服强度降低。晶片上支撑所述晶片的接触区域可归因于局部重力及热应力而经历滑动。滑动可将污染物引入到所述晶片中。此外，过度滑动可导致晶片的塑性变形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在炉内支撑多个半导体晶片的晶片舟，其包括：垂直杆；指状物集合，其从所述垂直杆径向向内延伸，所述集合的每一指状物包括：细长区段，其从所述垂直杆延伸；及接触突起，其朝向所述指状物的远端安置于所述细长区段上以接触且支撑半导体晶片，所述接触突起的至少一部分相对于所述细长区段凸起。2.根据权利要求1所述的晶片舟，其中所述接触突起是圆形的。3.根据权利要求2所述的晶片舟，其中所述接触突起具有3mm到20mm的宽度、10mm到50mm的长度，且从所述接触突起到所述晶片舟的纵向中心轴的距离为从75mm到125mm。4.根据权利要求2所述的晶片舟，其中所述接触突起具有8mm的宽度、30mm的长度，且从所述接触突起到所述晶片舟的纵向中心轴的所述距离为100mm。5.根据权利要求1所述的晶片舟，其中所述接触突起是平坦的。6.根据权利要求5所述的晶片舟，其中所述接触突起具有3mm到20mm的宽度、10mm到50mm的长度，且从所述接触突起到所述晶片舟的纵向中心轴的所述距离为75mm到125mm。7.根据权利要求5所述的晶片舟，其中所述接触突起具有8mm的宽度、25mm的长度，且从所述接触突起到所述晶片舟的纵向中心轴的所述距离为100mm。8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的晶片舟，其中指状物轴延伸于以所述晶片舟的纵向中心轴为中心的圆的弦上方，所述弦不与所述晶片舟的所述纵向中心轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：