【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及有机电致发光器件，更具体地说，涉及。
技术介绍
在平板显示器件的领域中，由于有机电致发光器件(此后称为“有机EL器件”)是自发光显示器件，所以与液晶显示(LCD)器件相比，它们具有宽视角和大对比度。此外，由于有机EL器件不需要任何背光组件，所以它们能够实现轻重量并具有薄外形。此外，有机EL器件比LCD器件的功耗低。 可以在低DC驱动电压来驱动有机EL器件，并且有机EL器件具有高响应速度。由于有机EL器件的所有部件都由固体材料形成，所以EL器件对外部碰撞有抵抗力。有机EL器件也可以在很宽的温度范围内使用，并且仍然可以廉价地制造。例如，可以使用淀积和封装设备来制造有机EL器件。因此，有机EL器件的制造方法非常简单。 在按使用设置在各像素区的薄膜晶体管作为各像素的开关器件的有源矩阵型来驱动有机EL器件的情况下，即使施加低电流也能获得均匀的亮度。因此，有机EL器件具有功耗低、清晰度高以及画面尺寸大的优点。有机EL器件通过使用诸如电子和空穴的载流子来激发荧光材料从而显示视频图像。 另一方面，也可以采用不具有薄膜晶体管来进行像素开关的无源矩阵型...
【技术保护点】
一种双板有机电致发光器件，所述双板有机电致发光器件包括：具有多个像素区的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面对；第一基板上的各个像素区中的薄膜晶体管；第二基板上的第一电极；总线，其位于第一电极上的 除了像素区之外的区域中，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；位于总线的外侧部分上以包围各个像素区的阻挡脊；在各个像素区中位于第一电极上的有机电致发光层；在各个像素区中形成在阻挡脊和有机电致发光层上的第二电极； 以及连接薄膜晶体管和第二电极的连接图案。
【技术特征摘要】
KR 2005-12-30 10-2005-0135538书以及附图中具体指出的结构而实现并获得。 为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的发明宗旨，一种双板有机电致发光器件包括具有多个像素区的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面对；薄膜晶体管，其位于第一基板上的各个像素区中；第二基板上的第一电极；总线，其位于第一电极上除了像素区之外的区域中，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；阻挡脊，其位于总线的外侧部分以包围各个像素区；有机电致发光层，其在各个像素区中位于第一电极上；第二电极，其在各个像素区中形成在阻挡脊和有机电致发光层上；以及连接图案，其连接薄膜晶体管和第二电极。 在另一方面，一种双板有机电致发光器件的制造方法包括如下步骤在第一基板上限定多个像素区；在第一基板上的各个像素区中形成薄膜晶体管；在第二基板的整个表面上淀积第一电极；在第一基板上的除了像素区之外的区域上形成总线，使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状；在总线的外侧部分形成阻挡脊以包围各个像素区；在各个像素区中在第一电极上形成有机电致发光层；在各个像素区中在阻挡脊和有机电致发光层上形成第二电极；以及在第一基板和第二基板的外部形成密封图案，并在薄膜晶体管与第二电极之间按使得第二电极电连接到薄膜晶体管的方式插入导电间隔物以接合第一基板和第二基板。 应当理解，上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对如权利要求所述发明的进一步解释。附图说明附图被包括进来以提供对本发明的进一步的理解并被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例，并且与说明一起用于说明本发明的原理。在附图中图1是例示出现有技术的双板有机电致发光器件的结构的剖面图；图2是例示出现有技术的双板有机电致发光器件的总线的平面图；图3是例示出图2的一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图；图4是例示出其中在图3的由有圆圈标号指示的区域中阻挡脊的底切发生崩塌的状态的SEM图；图5是例示出在图3的除了由有圆圈标号指示的区域之外的区域中阻挡脊的底切的正常状态的SEM图；图6是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的上基板的平面图；图7是沿着图6的线I-I’截取的剖面图；图8是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的总线的平面图；图9是例示出一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图；图10A到10F是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的制造方法的剖面图；图11是例示出在图9的由有圆圈标号指示的区域中的阻挡脊的底切的SEM图；以及图12是例示出在图9的除了由有圆圈标号指示的区域之外的区域中的阻挡脊的底切的SEM图。具体实施方式现在详细描述与双板有机电致发光器件(DOD)和双板有机电致发光器件的制造方法相关联的本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。只要可能，就在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。 图6是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的上基板的平面图。图7是沿着图6的线I-I’截取的剖面图。如图6和7所示，双板有机电致发光器件的上基板(即第二基板)401限定了排列成矩阵形式的多个像素区P。在包括像素区P的上基板401的整个上表面上形成有第一电极层402。第一电极层402是向各个像素区的有机发光层406注入空穴的空穴注入电极。 在第一电极层402上形成有多个阻挡脊405。各个阻挡脊405是第一电极层402，使其包围各个像素区并分离相邻的像素区P。由于阻挡脊405彼此间隔开，所以在相邻的阻挡脊405之间存在特定的空间409。各个像素区P形成为角部为圆形的拉长矩形的形式。总线403形成在除了像素区P之外的区域的阻挡脊405中。与现有技术的网格结构相比，总线403具有角部朝向像素区P变圆的蜂窝形状。 阻挡脊405形成在总线403的边界上，外伸部(overhang)进一步与总线403交叠。更具体地说，各个阻挡脊405具有底切(所述底切被定义为部分地去除了其内下部的结构)，所述底切在总线403上方的外部部分内具有凸起415。与阻挡脊405整体形成的凸起415向相邻阻挡脊405之间的空间409突起。因此，阻挡脊405的凸起415形成“”形横截面。由于相邻阻挡脊405的凸起415按使其彼此面对的方式朝着相关联空间409突出，所以空间409部分地被凸起415遮蔽。 第一电极402是透明电极。第一电极402由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者氧化铟锡锌(ITZO)制成。总线403由导电率较高(具体地说，高于第一电极402的导电率)的遮光金属制成。遮光金属可以包括钛(Ti)、钼(Mo)、钙(Ca)、钾(K)、镁(Mg)、钡(Ba)、铜(Cu)以及铝(Al)中的至少一种。 在各个空间409中，在总线403的边缘与各个凸起415之间的相关空间409内形成有哑层404。各个空间409中的彼此面对的哑层404之间的距离大于彼此面对的凸起415之间的距离。就是说，由凸起415遮蔽的总线403的面积大于由哑层404遮蔽的总线403的面积。换言之，与哑层404在总线403上的覆盖相比，凸起415向总线403的中央部分突出得更多。于是，凸起415形成在哑层404的台阶上。哑层404使得能够用更均匀和稳定的底切结构来形成阻挡脊405。在稍后的刻蚀过程中可以完全去除哑层404。另选的是，如图6和7所示，可以在刻蚀剂没有到达的区域内保留哑层404。 在各个像素区P中，在第一电极402上形成有机发光层406。在有机发光层406上分别形成第二电极407。作为电子注入电极，第二电极407用于将电子注入各个有机发光层406。第一载流子传输层和第二载流子传输层(未示出)分别设置在有机发光层406的上部和下部。第一载流子传输层和第二载流子传输层用于从第一电极402和第二电极407向有机发光层406注入并传输电子和空穴。 由于形成在哑层404与凸起415之间的台阶，使得相邻像素区中的第二电极407不连接在其各个哑层404与其各个凸起415之间。因此，第二电极407以彼此分离的方式形成在各个像素区中。如图7所示，由于阻挡脊405的台阶而使得层407a与相关联的第二电极407分离。 虽然未示出，但根据本发明的DOD进一步包括面对第二基板401(上基板)的第一基板(下基板)。在面对上基板401的下基板上限定有多个像素区。下基板在各个像素区中包括TFT(开关器件或者驱动器件)。上基板401和下基板通过密封剂接合在一起。设置在下基板上的驱动器件的漏极与上基板401上的相关联第二电极层407相接触。 在各个像素区上，TFT包括形成在下基板的预定部分上的栅极；被形成为覆盖栅极的栅绝缘膜；栅绝缘膜上的半导体层；以及分别形成在半导体层的相对侧的源极和漏极。漏极通过连接图案连接到相关联的第二电极407，从而漏极将由TFT驱动的信号施加到第二电极407。另一连接图案包括电连接到TFT的像素电极(透明电极)。导电间隔物连接到像素电极，并且支承相关联的第二电极407。 图8是例示出根据本发明实施例的双板有机电致发光器件的总线的平面图。图9是例示出一个单位像素中的总线和阻挡脊的平面图。如图9所示，DOD的总线403在除了像素区以外的区域中呈蜂窝形状。更具体地说，总线403按角部为圆形的拉长矩形的形式形成在第一电极402上。 阻挡脊405按具有位于总线403的外部边缘上的侧壁以及位于总线403的内部上方的凸起的方式形成在总线403上。阻挡脊405形成在不存在台阶的水平总线403上。于是，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李在允，李晙硕，金英美，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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