具有未激活发光材料的发光器件制造技术

本发明专利技术涉及发光器件（１），所述发光器件（１）具有辐射发射元件（例如发光二极管（ＬＥＤ））和发光材料（３），所述发光材料（３）能够吸收部分的由所述辐射发射元件所发出的辐射，并发出波长与所吸收的辐射的波长不同的光。所述器件还具有漫射颗粒（４），所述漫射颗粒（４）能够散射部分的由所述辐射发射元件所发出的辐射和／或散射部分的由所述发光材料（３）所发出的光。所述漫射颗粒（４）由未激活发光材料组成，由此使制造得到了简化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有辐射发射元件(包括半导体)的发光器件。所述器件具 有发光材料，所述发光材料能够吸收部分的由所述辐射发射元件所发出 的辐射，并发出波长与所吸收的辐射的波长不同的光。此外，本专利技术涉 及未激活发光材料在发光器件中的用途。
技术介绍
现有技术中已知有这样的器件，其中所用的辐射发射元件二极管通常为发光二极管(简称LED(lightdiode))的形式。通常，LED发出的辐射 位于可见和/或紫外(UV)区。此辐射的光谱组成特别依赖于所用的半导体 材料。存在例如发射蓝光的LED。另夕卜，已知在LED的发射方向上(以下以简化术语描述为LED上) 布置以颗粒形式分布在空间上的发光材料，该发光材料部分地吸收该 LED所发出的辐射，并发出通常在更长波长的另一波长范围的辐射。例 如，通过发光材料颗粒可以将该LED发出的UV辐射转化为(可见) 光。作为发光材料，有常用于此目的的荧光材料颗粒。相应的布置例如 可见于文献US6809347B2、 US 2005/0077532 Al和JP 10097201A。严格说来，荧光指从Sl态到SO态的发射过程，发生在10 ns 100ns范围。对本文档来自技高网...

【技术保护点】
发光器件（１），其具有：　－辐射发射元件，所述辐射发射元件包括半导体（２），　－发光材料（３），所述发光材料（３）能够吸收部分的由所述辐射发射元件所发出的辐射，并发出波长与所吸收的辐射的波长不同的光，和　－漫射颗粒（４），所述漫射颗粒（４）能够散射部分的由所述辐射发射元件所发出的辐射，其特征在于，　所述漫射颗粒（４）由未激活发光材料组成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2006-2-3 102006005042.81. 发光器件(1)，其具有-辐射发射元件，所述辐射发射元件包括半导体(2)，-发光材料(3)，所述发光材料(3)能够吸收部分的由所述辐射发射元件所发出的辐射，并发出波长与所吸收的辐射的波长不同的光，和-漫射颗粒(4)，所述漫射颗粒(4)能够散射部分的由所述辐射发射元件所发出的辐射，其特征在于，所述漫射颗粒(4)由未激活发光材料组成。2. 如权利要求1所述的发光器件，其特征在于， 组成所述漫射颗粒(4)的材料与组成所述发光材料(3)的材料为同一化学分类。3. 如权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于， 所述漫射颗粒(4)至少部分地由未激活YAG组成。4. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述漫射颗粒(4)至少部分地由未激活BaSrSi04组成。5. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述漫射颗粒(4)至少部分为光子晶体。6. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述漫射颗粒(4)在所述器件(1)中呈梯度分布，使得所述漫射颗粒(4)的分布密度随与所述LED (2)的距离增大而降低。7. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述发光材料(3)以颗粒形式存在，并且在所述器件(l)的区域内，所述发光材料颗粒呈梯度分布，使得所述发光材料颗粒(3)的分布密度随与 所述LED (2)的距离增大而升高。8. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述漫射颗粒(4)的直径在约1 pm 约40 pm之间。9. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述漫射颗粒(4)基本上为球形。10. 如前述权利要求任一项所述的发光器件，其特征在于， 所述发光材料(3)以颗粒形式存在，并且漫射颗粒(4)的数目小于或等于所述发光材料(3)的颗粒的数目。11. 如前述权利要求任...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯文勒斯勒尔，西尔克勒斯勒尔，沃尔夫冈坎普费尔特，德特勒夫斯塔克，彼得帕克勒，斯特凡塔施，保罗哈特曼，汉斯霍绍普夫，
申请(专利权)人：赤多尼科阿特可光学电子有限公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]