光伏电池片的栅线处理方法技术

本发明专利技术涉及一种光伏电池片的栅线处理方法，所述方法包括如下步骤：在硅片上印刷金属浆料形成半成品电池片；对半成品电池片进行烧结处理形成光伏电池片，其中，金属浆料形成用于收集电流的副栅线；对光伏电池片的副栅线进行激光照射处理。本发明专利技术通过激光照射副栅线的方式对未形成良好欧姆接触的光伏电池片进行二次烧结处理，从而形成良好的欧姆接触，降低副栅线和硅片之间的接触电阻，进而提升光伏电池片的转换效率，同时，本发明专利技术中对副栅线的处理方式不会对副栅线以外的区域造成损伤，提升光伏电池片的产品品质。光伏电池片的产品品质。光伏电池片的产品品质。

【技术实现步骤摘要】
光伏电池片的栅线处理方法


[0001]本专利技术涉及光伏应用
，尤其涉及一种光伏电池片的栅线处理方法。

技术介绍

[0002]光伏电池片经过硅片的制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷、烧结等主要工艺流程形成，其中，烧结工艺的好坏直接影响光伏电池片上金属电极与硅基底的接触，在常规电池工艺中，烧结的异常包括过烧和欠烧两种情况，其中，过烧是指烧结温度过高，进而导致串联电阻增大，同时，电机烧穿增加漏电的几率；欠烧是指烧结温度过低，金属电极和硅基底之间不能形成良好的欧姆接触；尤其是对高方阻的高效电池，需要较高的烧结温度才能形成良好的欧姆接触，但是较高的温度又会对光伏电池片的非金属电极区域性能产生不良的影响，进而影响电池的转换效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种可有效提升光伏电池片欧姆接触的栅线处理方法来解决上述问题。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
[0005]一种光伏电池片的栅线处理方法，所述方法包括如下步骤：
[0006]在硅片上印刷金属浆料形成半成品电池片；
[0007]对半成品电池片进行烧结处理形成光伏电池片，其中，金属浆料形成用于收集电流的副栅线；
[0008]对光伏电池片的副栅线进行激光照射处理。
[0009]进一步地，栅线处理方法还包括，在激光处理之前，先对烧结的光伏电池片进行电性能测试和电致发光拍照测试，若测试结果为欠烧结类型的不合格时，对不合格的光伏电池片的副栅线进行激光照射处理。
[0010]进一步地，在对不合格的光伏电池片的副栅线进行激光照射处理之前，首先根据电致发光拍照测试获取的图片确定欠烧结区域，然后对欠烧结区域的副栅线进行局部激光照射处理。
[0011]进一步地，对欠烧区域的副栅线进行激光照射处理时，激光的功率在20
‑
40W之间，激光脉冲宽度在30
‑
120ns之间。
[0012]进一步地，方法还包括，在激光处理之前，若半成品电池片的烧结处理温度低于常规烧结温度，则为预处理的光伏电池片；前述激光照射处理为对预处理的光伏电池片的全部副栅线进行激光照射处理。
[0013]进一步地，对预处理的光伏电池片的副栅线进行激光照射处理时，激光的功率在40
‑
80W之间，激光脉冲宽度在30
‑
120ns之间。
[0014]进一步地，所述光伏电池片上的副栅线有若干条且间隔设置，前述激光照射处理时，激光在光伏电池片上的路径为沿着副栅线的长度方向并且呈蛇形走向。
[0015]进一步地，在副栅线的长度方向上，激光照射的尺寸不小于所述副栅线的长度，当激光超出副栅线的长度时，激光束的功率不高于激光处于副栅线上时的功率；在副栅线的宽度方向上，激光照射在副栅线上的尺寸不超过副栅线的宽度。
[0016]进一步地，用于激光照射处理的激光的波长在500
–
1200nm之间。
[0017]进一步地，对光伏电池片进行激光照射处理时，激光束探头和副栅线之间的距离在10
‑
30cm之间。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：本专利技术通过激光照射光伏电池片的副栅线，利用激光的热量对光伏电池片的副栅线进行局部加热处理，使得光伏电池片的副栅线和硅片之间形成良好的欧姆接触，同时不会对非副栅线的区域造成损伤，进而提升光伏电池片的光电转化效率。
附图说明
[0019]图1为本专利技术光伏电池片的栅线处理方法一个实施例的流程图。
[0020]图2为本专利技术光伏电池片的栅线处理方法另一个实施例的流程图。
[0021]图3为本专利技术光伏电池片的栅线处理方法另一个实施例的流程图。
[0022]图4为本专利技术激光照射光伏电池片的结构示意图。
[0023]图5a、5b分别为本专利技术一个实施例的激光照射光伏电池片副栅线前后电致发光测试的图片。
[0024]10
‑
光伏电池片，11
‑
副栅线，20
‑
激光束
具体实施方式
[0025]为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0026]本专利技术涉及一种光伏电池片的栅线处理方法，其中，处理栅线的过程需要利用激光设备对光伏电池片10的副栅线进行照射，本专利技术中的激光设备可以采用纳秒、皮秒、飞秒中的任一种激光均可以实现对光伏电池片10的副栅线11的照射处理。
[0027]本专利技术中用于激光照射处理的激光束20的波长在500
–
1200nm之间，优选地，选取波长在800
‑
1100nm之间的激光束20，波长短，更有利于被副栅线11吸收，获得更大的加热效率，以实现激光对光伏电池片副栅线11的处理。
[0028]如图2所示，所述方法包括如下步骤：在硅片上印刷金属浆料形成半成品电池片；对半成品电池片进行烧结处理形成光伏电池片10，其中，金属浆料形成用于收集电流的副栅线11；对光伏电池片10的副栅线11进行激光照射处理。也就是本专利技术的光伏电池片10的栅线处理方法针对做过烧结处理的光伏电池片，本专利技术通过激光照射光伏电池片10的副栅线11，利用激光作用在光伏电池片10上的热量对副栅线11进行局部加热处理，使得光伏电池片10的副栅线11和硅片之间形成良好的欧姆接触，同时不会对非副栅线11的区域造成损伤，进而提升光伏电池片10的光电转化效率。
[0029]本专利技术中“在硅片上印刷金属浆料”中的硅片是经清洗、制绒、扩散、刻蚀、镀膜等工艺流程处理过的印刷前的硅片，其中，硅片包括但不限于P型硅基底和N型硅基底的硅片，而且，对于金属浆料的具体类型、形状及形成手段并不做限定。
[0030]进一步地，半成品电池片经过具有一定温度的烧结炉进行烧结处理，在一定温度下，金属浆料中的玻璃料与钝化膜反应，烧穿钝化膜与硅基体接触，形成新的导电通道，金属浆料中的金属固化形成金属栅线，从而金属栅线和硅片之间形成良好的欧姆接触，降低金属栅线与硅片之间的接触电阻。
[0031]其中，金属栅线包括用于收集电流的副栅线11，在一些实施例中，金属栅线还包括与副栅线11交叉用于将副栅线11收集的电流传导出去的主栅线，其中，副栅线11设有若干条且间隔设置，激光只对副栅线11进行照射处理，对副栅线11进行二次烧结以增加副栅线11和硅片之间的欧姆接触。
[0032]一般来说，激光照射处理之前会根据光伏电池片10的副栅线11情况在激光设备上提前输入参数，以使得激光设备可以自动的完成激光照射处理的过程。具体地，如图1所示，激光照射处理时，激光束20在光伏电池片10上的路径本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池片的栅线处理方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：在硅片上印刷金属浆料形成半成品电池片；对半成品电池片进行烧结处理形成光伏电池片，其中，金属浆料形成用于收集电流的副栅线；对光伏电池片的副栅线进行激光照射处理。2.如权利要求1所述的光伏电池片的栅线处理方法，其特征在于：方法还包括，在激光处理之前，先对烧结的光伏电池片进行电性能测试和电致发光拍照测试，若测试结果为欠烧结类型的不合格时，对不合格的光伏电池片的副栅线进行激光照射处理。3.如权利要求2所述的光伏电池片的栅线处理方法，其特征在于：在对不合格的光伏电池片的副栅线进行激光照射处理之前，首先根据电致发光拍照测试获取的图片确定欠烧结区域，然后对欠烧结区域的副栅线进行局部激光照射处理。4.如权利要求3所述的光伏电池片的栅线处理方法，其特征在于：对欠烧区域的副栅线进行激光照射处理时，激光束的功率在20
‑
40W之间，激光脉冲宽度在30
‑
120ns之间。5.如权利要求1所述的光伏电池片的栅线处理方法，其特征在于：方法还包括，在激光处理之前，若半成品电池片的烧结处理温度低于常规烧结温度，则为预处理的光伏电池片；前述激光照射处理为对预处理的光伏电池片...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟观发，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：