【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片金属栅线制备方法
[0001]本专利技术涉及太阳能电池片制备
,具体为一种太阳能电池片金属栅线制备方法。
技术介绍
[0002]由于传统能源资源有限,使用时总是伴随温室效应等环境污染问题。随着经济发展与环境污染矛盾日趋严重,光伏发电技术越来越受到大家的青睐,并且公认为未来的主要清洁能源。因此,提高光伏电池片的光电转换效率,降低其生产成本,使大家可以用上清洁廉价的电能,造福全人类就成为光伏产业的目标。
[0003]传统的太阳能电池片,是通过在HIT太阳电池晶硅片前后表面沉积无掺杂的非晶硅薄膜,之后在前后表面分别沉积P型和N型非晶硅薄膜,最后在前后表面沉积透明导电TCO层产生电荷分离场,从而产生电流。为了将太能电池片能持续产生的电流,需要及时将TCO层产生的电荷及时并且快速的转移出去,以形成源源不断的电流通路。由于TCO层的表面电阻值较大,会导致太阳能电池内阻增大,极大的降低太阳能电池的光电转换效率,因此需要一层低阻值,低能好的导电层,将TCO层电荷快速转移出去。
[0004]传统的导电层是 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片金属栅线制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤一、在太阳能电池晶硅底HIT基材上制备高透明导电薄膜ITO层;步骤二、在透明导电薄膜ITO层上制备高透明隔离层;步骤三、在高透明隔离层上制备金属种子层;步骤四、对金属种子层的厚度进行加厚,形成金属加厚层;步骤五、在金属加厚层上覆盖金属保护层;步骤六、去除多余的金属保护层,形成栅格保护层;步骤七、去除多余的金属种子层,完成金属栅格线的制备;步骤八、对步骤七制备的具有金属栅格线的太阳能电池晶硅底HIT基材进行激光退火或热退火处理;步骤九、对步骤八处理后的具有金属栅格线的太阳能电池晶硅底HIT基材进行光注入,完成太阳能电池片栅线的制备。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片金属栅线制备方法,其特征在于:所述高透明导电薄膜ITO层的制备方法为真空溅射、电化学沉积、化学沉积、真空蒸镀、涂布、印刷、打印和PECVD中的任意一种。3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片金属栅线制备方法,其特征在于:所述高透明隔离层的制备方法为真空溅射、电化学沉积、化学沉积、真空蒸镀、涂布、印刷、打印和PECVD中的任意一种。4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片金属栅线制备方法,其特征在于:所述金属种子层采用的金属为Cu、Ti、W、Cr、Ni、Co、Mo、Sn...
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