【技术实现步骤摘要】
一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法
[0001]本申请涉及集成芯片
，尤其涉及一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法。
技术介绍
[0002]芯片的混合键合技术是近年来发展起来的一种晶圆级别的电连接技术，其中，大量的I/O(输入输出接口)连接已经在晶圆级别完成，部分的时钟信号、数据信号等需要通过凸点引出到封装基板上，凸点是设置在晶圆上的凸起结构，凸点的设置间距可以做到很小，能够实现更为密集的通信连接以及较短的通信线路。
[0003]然而，凸点的设置通常需要基于信号输入输出的线路位置，凸点的设置位置通常不均匀，分布不均的凸点容易引起三维芯片的封装不良等问题。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法，能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀，容易引起三维芯片的封装不良的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种芯片，包括：
[0006]第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽，所述通信凸点部分嵌设在所述凹槽内；
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括：第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽，所述通信凸点部分嵌设在所述凹槽内；所述通信凸点包括第一金属层；所述支撑凸点包括第二金属层；所述第一金属层的尺寸大于所述第二金属层的尺寸。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述通信凸点在所述第一芯片单元上的正投影和所述支撑凸点在所述第一芯片单元上的正投影均为圆形，所述通信凸点在所述第一芯片单元上正投影的直径大于所述支撑凸点在所述第一芯片单元上正投影的直径。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层在所述第一芯片单元上的正投影为第一投影，所述第二金属层在所述第一芯片单元上的正投影为第二投影，所述第一投影的面积大于所述第二投影的面积。4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一投影和所述第二投影均为圆形，所述第一投影的直径与所述第二投影的直径相差为设定阈值。5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述设定阈值的取值范围为5
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8μm。6.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述通信凸点还包括：第一凸块，所述第一金属层设置于所述第一凸块与所述第一芯片单元之间；所述支撑凸点还包括：第二凸块，所述第二金属层设置于所述第二凸块与所述第一芯片单元之间；所述第一凸块在所述第一芯片单元上正投影的面积大于所述第二凸块在所述第一芯片单元上正投影的面积。7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第一芯片单元包括第一区域和第二区域，所述通信凸点设置在所述第一区域内，所述支撑凸点设置在所述第二区域内。8.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：王慧梅，王玉冰，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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