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本申请公开一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法,涉及集成芯片技术领域,能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀,容易引起三维芯片的封装不良的问题。芯片,包括:第一芯片单元,所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽,所述通信凸点部分嵌...该专利属于西安紫光国芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安紫光国芯半导体有限公司授权不得商用。
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本申请公开一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法,涉及集成芯片技术领域,能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀,容易引起三维芯片的封装不良的问题。芯片,包括:第一芯片单元,所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽,所述通信凸点部分嵌...