一种晶棒粘棒前的晶向定位方法技术

本发明专利技术提供一种晶棒粘棒前的晶向定位方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一晶棒，并将所述晶棒放置于粘棒机上；步骤S2：检测所述晶棒的第一晶向偏角，以得到水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b；步骤S3：建立xy二维坐标系，将(a，b)对应为所述xy二维坐标系中的一点；步骤S4：判断(a，b)在所述xy二维坐标系所处象限，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整；若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整，可以提高所述晶棒的晶向精度，减少复检值超差，减少脱胶重做的次数，提升效率。提升效率。提升效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶棒粘棒前的晶向定位方法


[0001]本专利技术涉及定位粘棒
，特别涉及一种晶棒粘棒前的晶向定位方法。

技术介绍

[0002]晶棒在检测合格之后，需要对其进行切片加工。切片加工工艺对晶棒的晶向有一定要求，因此，将晶棒固定在粘棒机的晶托上时，需要先测量晶棒的晶向。然后再将晶棒经胶水固定在树脂板上，树脂板固定到晶托上，并对其进行切片加工后可直接得到所需要晶向的晶片。
[0003]目前，晶片的晶向由粘棒机与切片机共同决定，例如，粘棒机的晶向的精度为
±
0.1
°
，切片机的晶向的精度为
±
0.05
°
，晶棒在粘棒完成后的晶向的精度为
±
0.05
°
，由于粘棒机的晶向的精度为
±
0.1
°
和晶棒在粘棒完成后的晶向的精度为
±
0.05
°
的叠加使得晶片的晶向的精度为
±
0.15
°
，而晶片的晶向要求的精度为
±
0.1
°
，使得晶片的晶向超差。而晶片的晶向超差大概率的表现形式是晶棒偏角的复检值超差。当晶片的晶向超差时，固定在晶托上的晶棒需要烘掉胶水，并重新固定在树脂板上，即需要返工。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种晶棒粘棒前的晶向定位方法，可以使切片后得到的晶片的晶向满足精度要求。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供一种晶棒粘棒前的晶向定位方法，包括以下步骤：
[0006]步骤S1：提供一晶棒，并将所述晶棒放置于粘棒机上；
[0007]步骤S2：检测所述晶棒的第一晶向偏角，以得到水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b；
[0008]步骤S3：建立xy二维坐标系，将(a，b)对应为所述xy二维坐标系中的一点；
[0009]步骤S4：判断(a，b)在所述xy二维坐标系所处象限，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整；若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整。
[0010]可选的，检测所述晶棒的晶向偏角的步骤包括：
[0011]采用粘棒机的角度测量机构检测所述晶棒的晶向偏角。
[0012]可选的，所述晶棒包括相对设置的第一端面和第二端面，检测所述晶棒的第一晶向偏角的步骤包括：
[0013]从所述第一端面侧检测所述晶棒的第一晶向偏角。
[0014]进一步的，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒晶向进行调整具体包括：
[0015]若(a，b)处于第一象限或第二象限，则直接根据所述水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b计算所述晶棒的自转角度；以及
[0016]根据所述自传角度对所述晶棒晶向进行调整。
[0017]进一步的，若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下
一步对所述晶棒的晶向进行调整具体包括：
[0018]若(a，b)处于第三象限或第四象限，旋转所述晶棒使得所述第二端面和所述第一端面位置互换，再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整。
[0019]进一步的，若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整具体包括：
[0020]若(a，b)处于第三象限或第四象限，旋转所述晶棒使得所述第二端面和所述第一端面位置互换；以及
[0021]从所述第二端面侧检测所述晶棒的第二晶向偏角，并进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整。
[0022]进一步的，所述第二晶向偏角位于第一象限或第二象限。
[0023]进一步的，若(a，b)处于第三象限，则所述第二晶向偏角位于第二象限。
[0024]进一步的，若(a，b)处于第四象限，则所述第二晶向偏角位于第一象限。
[0025]可选的，当所述水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b的具体取值均为正值时，所述晶向偏角落在第一象限；
[0026]当所述水平晶向偏角a的具体取值为负值，所述垂直晶向偏角b的具体取值为正值时，所述晶向偏角落在第二象限；
[0027]当所述水平晶向偏角a的具体取值为负值，所述垂直晶向偏角b的具体取值为负值时，所述晶向偏角落在第三象限；以及
[0028]当所述水平晶向偏角a的具体取值为正值，所述垂直晶向偏角b的具体取值为负值时，所述晶向偏角落在第四象限。
[0029]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0030]本专利技术提供一种晶棒粘棒前的晶向定位方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一晶棒，并将所述晶棒放置于粘棒机上；步骤S2：检测所述晶棒的第一晶向偏角，以得到水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b；步骤S3：建立xy二维坐标系，将(a，b)对应为所述xy二维坐标系中的一点；步骤S4：判断(a，b)在所述xy二维坐标系所处象限，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整；若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整，可以提高所述晶棒的晶向角度精度，减少复检值超差，减少脱胶重做的次数，提升效率。
附图说明
[0031]图1为本专利技术一实施例提供的一种晶棒粘棒前的晶向定位方法的流程示意图；
[0032]图2为本专利技术一实施例提供的粘棒机的部分结构示意图；
[0033]图3为本专利技术一实施例提供的调整所述晶棒的晶向时的结构示意图。
[0034]附图标记说明：
[0035]1‑
晶棒；m
‑
第一端面；n
‑
第二端面；21
‑
晶托；22
‑
树脂板；23
‑
回转台。
具体实施方式
[0036]以下将对本专利技术的一种晶棒粘棒前的晶向定位方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本专利技术进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域
技术人员可以修改在此描述的本专利技术而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。
[0037]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0038]为使本专利技术的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶棒粘棒前的晶向定位方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一晶棒，并将所述晶棒放置于粘棒机上；步骤S2：检测所述晶棒的第一晶向偏角，以得到水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b；步骤S3：建立xy二维坐标系，将(a，b)对应为所述xy二维坐标系中的一点；步骤S4：判断(a，b)在所述xy二维坐标系所处象限，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整；若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整。2.如权利要求1所述的晶向定位方法，其特征在于，检测所述晶棒的晶向偏角的步骤包括：采用粘棒机的角度测量机构检测所述晶棒的晶向偏角。3.如权利要求1所述的晶向定位方法，其特征在于，所述晶棒包括相对设置的第一端面和第二端面，检测所述晶棒的第一晶向偏角的步骤包括：从所述第一端面侧检测所述晶棒的第一晶向偏角。4.如权利要求3所述的晶向定位方法，其特征在于，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒晶向进行调整具体包括：若(a，b)处于第一象限或第二象限，则直接根据所述水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b计算所述晶棒的自转角度；以及根据所述自传角度对所述晶棒晶向进行调整。5.如权利要求3所述的晶向定位方法，其特征在于，若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整具体包括：若(...

【专利技术属性】
技术研发人员：周虹，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：