忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及忆阻器器件领域，具体涉及一种忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括衬底，位于衬底表面的第一金属电极和第二金属电极，以及位于第一金属电极和第二金属电极表面的碲线，碲线表面具有氧化碲薄层。氧化碲薄层通过在空气中放置一段时间后表面形成氧化碲薄层，使得忆阻器具有良好的忆阻性能。本发明专利技术先在衬底表面形成第一金属电极和第二金属电极再利用转移的工艺将碲线放置于第一金属电极和第二金属电极表面，通过调整氧化碲薄层的厚度，使得接触位置的碲线、氧化碲薄层、金属电极之间兼具忆阻器的开、关两种状态，且忆阻窗口稳定可重复。定可重复。定可重复。

【技术实现步骤摘要】
忆阻器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及忆阻器器件领域，具体涉及一种忆阻器及其制备方法。

技术介绍

[0002]电阻、电容与电感是三种广为人知的无源电路元件。蔡少棠教授于1971年由对称性论证推断出，应该存在第四种电路基本元件，他称之为忆阻器。电荷或磁通流经忆阻器时，忆阻器的电阻值会发生变化，并且忆阻器会将这种电阻值的变化记录下来。2008年，惠普公司首次在实验室里通过一个“导体
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绝缘体
‑
导体”的结构实现了忆阻器的构建。在纳米尺度系统中，固态电子和离子输运在外部偏置电压下耦合，忆阻就会自然产生。
[0003]目前，存在多种类型的忆阻器结构，但现有忆阻器依然普遍存在开关比低的问题。

技术实现思路

[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种忆阻器，包括：
[0005]衬底；
[0006]所述衬底表面具有第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极和第二金属电极在同一直线上且相隔离；
[0007]所述第一金属电极和第二金属电极表面具有碲线，所述碲线表面具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器，其特征在于，包括：衬底；所述衬底表面具有第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极和第二金属电极在同一直线上且相隔离；所述第一金属电极和第二金属电极表面具有碲线，所述碲线表面具有氧化碲薄层，所述碲线将所述第一金属电极和第二金属电极相连接。2.如权利要求1所述的一种忆阻器，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极材料为惰性金属电极。3.如权利要求1所述的一种忆阻器，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极材料为金。4.如权利要求1所述的一种忆阻器，其特征在于，所述碲线的直径范围为0.1微米～2微米，所述氧化碲薄层的厚度范围为1纳米～5纳米。5.如权利要求1所述的一种忆阻器，其特征在于，所述忆阻器的设置电压与恢复电压均小于5V。6.一种忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极和第二金属电极在同一直线上且相隔离；转移所述碲线到所述第一金属电极和第二电表面，所述碲线表面具有氧化碲薄层，所述碲线将所述第一金属电极和第二金属电极相连接。7.如权利要求6所述的一种忆阻器的制备方法，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极通过热蒸镀工艺进行制备。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，刘雪婷，霍能杰，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：