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本发明涉及忆阻器器件领域，具体涉及一种忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括衬底，位于衬底表面的第一金属电极和第二金属电极，以及位于第一金属电极和第二金属电极表面的碲线，碲线表面具有氧化碲薄层。氧化碲薄层通过在空气中放置一段时间后表面形成氧化碲...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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