三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法及存储器技术

本发明专利技术涉及一种三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法及存储器，该制作方法包括准备硅晶圆片，并清洗硅晶圆片，得到清洗后硅晶圆片；在清洗后硅晶圆片的上表面生长二氧化硅层，在二氧化硅层的上表面沉积金属薄层，且基于该金属薄层形成金属微晶体；在所得金属微晶体的上表面形成阻挡层，利用存储器制作后端工艺在形成阻挡层的基础上，制备得到存储器。即，通过在二氧化硅和氧化铝界面处形成金属微晶体，再通过金属微晶体对氧离子的捕获和释放，以及氧离子在栅极偏压下的移动，产生三种阻态的变化，实现了三相存储器的应用，提高了单位存储单元存储信息的能力，相同存储能力下可以减小芯片面积，且制造过程简单，与传统工艺相兼容，易于生产。易于生产。易于生产。

【技术实现步骤摘要】
三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法及存储器


[0001]本专利技术涉及电阻式随机存取存储器制造领域，尤其涉及一种三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法及存储器。

技术介绍

[0002]电阻式随机存取存储器(Resistive Random Access Memory,简称RRAM)是一种新兴的非易失性存储器(non
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volatile memory,简称NVM)技术它通过改变介电固态材料(通常称为忆阻器)的电阻来工作。使用高电阻位和低电阻位来代表逻辑的“1”和“0”。相较于易失性存储器，RRAM在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。RRAM比闪存更快更节能，其能耗只有闪存的约千分之一，而其存取速度是闪存的一百倍以上，可在常规环境下运行，具有极高的应用价值，可满足各种电子产品对更高性能、更可靠、更低功耗和更具成本效益的NVM的需求。
[0003]但是，现有的传统电阻式随机存取存储器通过使用高电阻位和低电阻位来代表逻辑“1”和“0”来实现数据的存储功能，却只能实现两相存储，无法实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，准备硅晶圆片，并清洗硅晶圆片，得到清洗后硅晶圆片；步骤2，在所得清洗后硅晶圆片的上表面生长二氧化硅层；步骤3，在二氧化硅层的上表面沉积金属薄层，且基于该金属薄层形成金属微晶体；步骤4，在所得金属微晶体的上表面形成阻挡层；步骤5，利用存储器制作后端工艺在形成阻挡层的基础上，制备得到存储器。2.根据权利要求1所述的三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法，其特征在于，在步骤2中，采用热氧化方式在所得清洗后硅晶圆片的上表面生长二氧化硅层。3.根据权利要求2所述的三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法，其特征在于，在步骤3中，通过物理气相沉积方式在二氧化硅层的上表面沉积金属薄层，且通过快速热退火形成金属微晶体。4.根据权利要求3所述的三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法，其特征在于，在步骤4中，采用原子层沉积技术在金属微晶体的上表面沉积一层高k材料氧化物，该层高k材料氧化物即为所述阻挡层。5.根据权利要求4所述的三相电阻式随机存取存...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一宁，郭庞，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：