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本发明涉及一种三相电阻式随机存取存储器单元的制作方法及存储器，该制作方法包括准备硅晶圆片，并清洗硅晶圆片，得到清洗后硅晶圆片；在清洗后硅晶圆片的上表面生长二氧化硅层，在二氧化硅层的上表面沉积金属薄层，且基于该金属薄层形成金属微晶体；在所得金...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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