发光二极管驱动电路制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种发光二极管驱动电路，其能够高精度地调整发光二极管的发光亮度，而且能够抑制电路规模的增大。发光二极管驱动电路，由生成基准电流的基准电流部、和使用电流反射镜电路生成基于基准电流的驱动电流来供给发光二极管的电流输出部组成，基准电流部具有：运算放大器，其控制基准电流以使通过基准电流流过电阻电路发生的电压和一定的基准电压变得相同；和基准电流切换电路，其为与基准电阻并联多个电阻和晶体管的串联电路形成的电阻电路，它根据控制信号使所述串联电路的晶体管导通或者关断来切换通过基准电流的流动发生的电压，并切换基准电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管驱动电路，涉及驱动被排列的多个发光二极管各 个的发光二极管驱动电路。
技术介绍
作为打印机等中使感光体感光的部件，有使用把发光二极管(以下称为"LED")进行直线排列的LED阵列。作为驱动这样的LED阵列的各LED的 驱动电路，例如有在专利文献l、 2等中记载的驱动电路。图3表示现有的发光二极管驱动电路的一例的电路结构图。该驱动电路 是^f皮半导体集成化了的。在该图中，在运算放大器10的反相输入端子上由基准电压源11施加了 基准电压Vref。运算放大器10的输出端子连接p沟道MOS场效应晶体管(以 下简称为"MOS晶体管")M0的栅极，同时连接p沟道MOS晶体管Ml的 栅极，另外，通过^^拟开关等的开关12、 13连接p沟道MOS晶体管M2、 M3的栅极。MOS晶体管M0、 Ml、 M2、 M3的源极连接电源Vddl。 MOS晶 体管M0、 Ml构成电流反射镜电路，在开关12、 13接通时MOS晶体管M0 与MOS晶体管Ml ~M3 —起构成电流反射镜电路。MOS晶体管M0的漏极连接运算放大器10的非反相输入端子，同时通过 电阻Rl接地。MOS晶体管Ml、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管驱动电路，其由生成基准电流的基准电流部、和使用电流反射镜电路生成基于所述基准电流的驱动电流供给发光二极管的电流输出部组成，其特征在于，　所述基准电流部，　具有：　运算放大器，其控制所述基准电流以使通过所述基准 电流流过电阻电路而发生的电压和一定的基准电压变得相同；和　基准电流切换电路，其为与基准电阻并联多个电阻和晶体管的串联电路所形成的电阻电路，它根据控制信号使所述串联电路的晶体管导通或者关断来切换由于流过所述基准电流而发生的电压，并切换所 述基准电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木大介，山口公一，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]