开关装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种开关装置，包括第一电路。第一电路具有第一端以耦接在第一终端以及第二终端间，第一电路具有第二端耦接在第一终端与第二终端间，或耦接至第三终端。第一电路包括第一开关以及第二开关。第一开关耦接在第一电路的第一端与第一电路的第二端间，根据第一控制信号以被导通或截止。第二开关与第一开关并联，根据第二控制信号以被导通或截止。第一开关与第二开关包含同类型的晶体管。在突波保护模式中，第二开关被导通以宣泄突波电流。第二开关被导通以宣泄突波电流。第二开关被导通以宣泄突波电流。

【技术实现步骤摘要】
开关装置


[0001]本专利技术是有关于一种开关装置，且特别是有关于一种可提升切换速度的开关装置。

技术介绍

[0002]在习知
中，为了确保开关装置具有一定程度的静电放电的防护能力，常透过在分流电路中设置大尺寸的晶体管，以有效宣泄静电放电电流。
[0003]然而，设置在分流电路中的大尺寸晶体管在开关的切换过程中提供大尺寸的寄生电容，会造成开关装置切换速度降低，影响信号切换速度的表现。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种开关装置，可改善开关装置的切换速度，及/或可加强突波保护模式中突波电流的宣泄能力。
[0005]本专利技术的开关装置包括第一电路。第一电路具有第一端以耦接在第一终端以及第二终端间，第一电路具有第二端耦接在第一终端与第二终端间，或耦接于第三终端。第一电路包括第一开关以及第二开关。第一开关耦接在第一电路的第一端与第一电路的第二端间，根据第一控制信号以被导通或截止。第二开关与第一开关并联，根据第二控制信号以被导通或截止。第一开关与第二开关包含同类型的晶体管。在突波保护模式中，第二开关被导通以宣泄突波电流。
[0006]基于上述，本专利技术在开关装置中设置第一开关及第二开关。在正常模式中，第一开关可用于信号传送的切换，第二开关可用以改善第一开关的切换速度。在突波保护模式中，第二开关可用以辅助宣泄突波电流。本专利技术的开关装置可提升开关装置的切换速度，及/或可加强突波电流的宣泄能力。
附图说明
[0007]图1绘示本专利技术一实施例的开关装置的示意图。图2绘示本专利技术另一实施例的开关装置的示意图。图3绘示本专利技术另一实施例的开关装置的示意图。图4绘示本专利技术另一实施例的开关装置的示意图。图5A绘示本专利技术实施例的开关装置中，分流电路的控制信号的一实施方式的波形图。图5B绘示本专利技术实施例的开关装置中，分流电路的控制信号的另一实施方式的波形图。图6A绘示本专利技术实施例的开关装置中的分流电路的实施方式的示意图。图6B以及图6C分别绘示本专利技术实施例的开关装置中的分流电路的其他实施方式的示意图。
图7A绘示图6A实施方式的分流电路的一实施方式的动作波形图。图7B绘示图6A实施方式的分流电路的另一实施方式的动作波形图。图8A以及图8B分别绘示本专利技术实施例的开关装置中的分流电路的其他实施方式的示意图。图9绘示本专利技术另一实施例的开关装置的示意图。【符号说明】101、102、301、302、900：开关装置Δt1、Δt2：定电位期间A1、A2、B1、B2：端E1～E4、EC：终端R1～R4、RB：电阻SH1、SH2、600、601、602：电路SW1～SW4、810
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1、820
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1、810
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2、820
‑
2、SW1A、SW1B：开关T1～T3、T21～T2N、T31～T3M、T1A、T1B：晶体管TA：多栅极晶体管tP1、tP2：期间VB：基底电压VC1～VC4：控制信号
具体实施方式
[0008]请参照图1及图2，图1及图2绘示本专利技术一实施例的开关装置101及102的示意图。
[0009]在一实施例中，如图1所示，开关装置101包括第一电路SH1以及开关SW3。第一电路SH1的第一端A1及第二端A2耦接在第一终端E1与第二终端E2间所形成的电流路径上。在本实施例中，第一电路SH1的第一端A1耦接至第一终端E1，第二端A2耦接至第二终端E2。在本实施例中，开关SW3的第一端B1耦接于第一终端E1及第一电路SH1的第一端A1，开关SW3的第二端B2耦接于第三终端E3。在另一实施例中，如图2所示，开关SW3的第一端B1亦可耦接于第一电路SH1的第二端A2及第二终端E2。在上述实施例中，开关SW3根据控制信号VC3以被导通或截止。在进一步的实施例中，开关SW3可包含晶体管T3，且晶体管T3的控制端用以接收控制信号VC3。
[0010]在以上描述中，第一电路SH1可用来在第一终端E1与第二终端E2之间进行信号切换，开关SW3可用于分流动作，举例而言，当第一电路SH1截止使得信号不在第一终端E1与第二终端E2之间传送时，开关SW3导通。惟本专利技术不限于此，在其他实施例中，开关SW3可用以在第一终端E1与第二终端E2之间进行信号切换，第一电路SH1可为分流电路，其可在导通时用以执行分流动作。
[0011]以下请参照图3及图4，其绘示本专利技术另一实施例的开关装置的示意图。开关装置301包括第一分流电路SH1以及开关SW3。开关SW3的第一端B1耦接于第一终端E1，第二端B2耦接于第二终端E2。在本实施例中，分流电路SH1的第一端A1耦接于第一终端E1及开关SW3的第一端B1(如图3所示)，或耦接于第二终端E2及开关SW3的第二端B2(如图4所示)。
[0012]在一实施例中，第一终端E1及第二终端E2可为信号收发端，用以接收或发送信号。
第三终端E3可是参考电压端，用以接收参考电压，例如接地。
[0013]在一实施例中，请参考图1
‑
4，第一电路SH1包括开关SW1及开关SW2。开关SW1的第一端耦接于第一电路SH1的第一端A1，开关SW1的第二端耦接于第一电路SH1的第二端A2。开关SW2与开关SW1并联耦接。开关SW1、SW2分别根据控制信号VC1及VC2以被导通或截止。进一步讲，开关SW1及SW2可分别包含晶体管T1及T2。晶体管T1及T2的第一端相互耦接，晶体管T1及T2的第二端相互耦接。晶体管T1及T2的控制端分别接收控制信号VC1及VC2。在一实施例中，晶体管T1、T2的类型相同。例如，晶体管T1、T2可皆为N型晶体管，或可皆为P型晶体管。举例而言，在N型晶体管的情形中，晶体管T1～T2的第一端为漏极，第二端为源极，控制端为栅极。在本实施例中，使用相同类型的晶体管T1及T2可在不明显增加制作流程及成本的情况下，改善切换速度。
[0014]在一实施例中，在进行信号传送的正常模式中，开关SW1与开关SW3的导通状态可不同，例如，当开关SW1导通时，开关SW3可截止，当开关SW1截止时，开关SW3可导通。进一步讲，在正常模式中，开关SW1及SW3可分别根据控制信号VC1及VC3在导通与截止之间切换。如图1
‑
2所示，当开关SW1导通时，信号可在第一终端E1与第二终端E2之间传送，当开关SW1截止时，开关SW3可导通以执行分流。或者，如图3
‑
4所示，当开关SW3导通时，信号可在第一终端E1与第三终端E3之间传送，当开关SW3截止时，开关SW1导通，使得分流电路SH1可导通以执行分流。
[0015]在一实施例中，当开关装置101或102接收突波电压或突波电流(亦称为：浪涌电压或浪涌电流)时，例如发生静电放电时，开关装置101或102可进入突波保护模式。在突波保护模式中，开关SW2可根据控制信号VC2以被导通，用以辅助宣泄突波电流。进一步讲，在突波保护模式中，开关SW1及开关SW3也可导通，以宣泄突波电流。进一步讲，在突波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关装置，包括：一第一电路，该第一电路的一第一端耦接在一第一终端与一第二终端之间，该第一电路的一第二端耦接在该第一终端与该第二终端之间，或耦接一第三终端，该第一电路包括：一第一开关，该第一开关的第一端耦接该第一电路的该第一端，该第一开关的第二端耦接该第一电路的该第二端，该第一开关根据一第一控制信号以被导通或截止；以及一第二开关，与该第一开关并联，根据一第二控制信号以被导通或截止，其中，该第一开关与该第二开关包含同类型的晶体管，其中，在一突波保护模式中，该第二开关被导通以宣泄一突波电流。2.如权利要求1所述的开关装置，其中，该第一电路的该第一端耦接该第一终端，该第一电路的该第二端耦接该第二终端，其中该开关装置更包括：一第三开关，该第三开关的第一端耦接该第一终端或耦接该第二终端，该第三开关的第二端耦接于该第三终端，且该第三开关根据一第三控制信号以被导通或截止，其中，该第一终端与该第二终端为信号收发端，该第三终端为参考电压端，在一正常模式中，该第三开关与该第一开关的导通状态不同。3.如权利要求1所述的开关装置，其中，该第一电路的该第一端耦接在该第一终端与该第二终端之间，且该第一电路的该第二端耦接于该第三终端；其中该开关装置更包括：一第三开关，该第三开关的第一端耦接于该第一终端，该第三开关的第二端耦接于该第二终端，且该第三开关根据一第三控制信号以被导通或截止，其中，该第一终端与该第二终端为信号收发端，该第三终端为参考电压端，在一正常模式中，该第三开关与该第一开关的导通状态不同。4.如权利要求2或3所述的开关装置，其中在该正常模式中，当该第一开关导通时，该第三开关为截止，当该第一开关为截止时，该第三开关为导通。5.如权利要求2或3所述的开关装置，其中该第一开关包含一第一晶体管，该第二开关包含一第二晶体管，该第一晶体管与该第二晶体管的第一端相互耦接，该第一晶体管与该第二晶体管的第二端相互耦接，该第一晶体管与该第二晶体管的控制端分别接收该第一控制信号以及该第二控制信号，该第一晶体管与该第二晶体管的类型相同，其中该第三开关包含一第三晶体管，其中该第一电路为一第一分流电路。6.如权利要求5所述的开关装置，其中当该第一晶体管在导通与截止间切换时，该第二晶体管被导通，以设定该第一晶体管的第一端与第二端上的电压，其中该第二晶体管的尺寸小于该第一晶体管的尺寸。7.如权利要求6所述的开关装置，其中在该正常模式中，该第一晶体管在一第一期间维持被导通，并在一第二期间维持被截止，该第二晶体管在该第一期间及/或该第二期间开始时的至少一定电位期间被导通，该至少一定电位期间的时间长度小于该第一期间及/或该第二期间的时间长度。8.如权利要求7所述的开关装置，其中该第二晶体管的该至少一定电位期间的起始点
早于对应的该第一期间及/或该第二期间的起始点，或...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏俊豪，陈智圣，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：