一种封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括：基板、阻焊层、覆盖基板，该阻焊层具有将基板裸露的至少两个开窗区域，至少两个开窗区域之间不连通；凸点焊盘，设置于基板上，且位于开窗区域内，进而使得开窗区域减小，阻焊层面积增大，增大了阻焊层与填充胶的接触面积，而阻焊层与填充胶之间的热膨胀系数相较于铜与填充胶之间的热膨胀系数有所改善，进而有效避免了基板与填充胶之间的分层现象。填充胶之间的分层现象。填充胶之间的分层现象。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]倒装芯片封装是一种先进的芯片互连技术，具有高密度、高性能和轻薄的特点，其中倒装芯片互联技术主要是采用锡球凸点或者铜柱凸点进行互连，随着电子产品逐渐小型化，需要在更小的芯片上实现更多的I/O数量以及更高的带宽，以及采取更好的散热措施。
[0003]其中，采用铜柱凸点相较于锡球凸点的间隙较小，但是，若每个凸点单独阻焊层开窗时，该开窗之间的间距无法满足工艺要求。
[0004]比如，如图1所示，凸点焊盘101对应阻焊层开窗102，凸点焊盘103对应阻焊层开窗104，由于凸点焊盘101和凸点焊盘103之间的间距为65μm，根据倒装上芯产线经验，阻焊层开窗至少比凸点焊盘单边大29μm，那么，相邻的阻焊层开窗102和阻焊层开窗104之间的间距只有7μm。而该间距不满足基板厂阻焊层开窗的间距规则。因此，现有技术提出在芯片边缘外扩100μm的阻焊层开窗方式105，将外扩之后的边界内的区域全部开窗。
[0005]但是，采用上述开窗方式105会使得基板与填充胶之间存在分层现象，原因是开窗处露出的大面积的铜与填充胶之间的热膨胀系数不匹配，进而产生较高的界面应力，从而引起了分层。
[0006]因此，如何改善这种分层现象是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0007]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的封装结构及其制备方法。
[0008]第一方面，本专利技术提供了一种封装结构，包括：
[0009]基板；
[0010]阻焊层，覆盖所述基板，所述阻焊层具有将所述基板裸露的至少两个开窗区域，至少两个所述开窗区域之间不连通；
[0011]凸点焊盘，设置于所述基板上，且位于所述开窗区域内。
[0012]进一步地，每一所述开窗区域的边界与所述开窗区域内的所述凸点焊盘的边界的距离大于预设值，所述凸点焊盘的边界为所述凸点焊盘靠近所述开窗区域的位置。
[0013]进一步地，每一所述开窗区域内相邻的所述凸点焊盘之间的间隙处于预设范围内。
[0014]进一步地，每一所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向以及列方向对齐设置。
[0015]进一步地，每一所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向对齐设置，列方向错位设置。
[0016]进一步地，部分所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向以及列方向对齐设置；
[0017]其余部分所述开窗区域内，所述凸点焊盘行方向对齐设置，列方向错位设置。
[0018]进一步地，所述阻焊层具有将所述基板裸露的第一开窗区域、第二开窗区域以及第三开窗区域；
[0019]所述第一开窗区域、所述第二开窗区域以及所述第三开窗区域之间不连通；
[0020]所述凸点焊盘设置于所述基板上，且位于所述第一开窗区域、所述第二开窗区域以及所述第三开窗区域内。
[0021]第二方面，本专利技术还提供了一种芯片，包括：
[0022]封装结构，所述封装结构包括权利要求1～7任一项所述的封装结构；
[0023]第一芯片，包括连接凸点，所述连接凸点与所述焊盘凸点一一对应连接。
[0024]第三方面，本专利技术还提供了一种封装结构的制备方法，包括：
[0025]提供一基板，所述基板上设置有凸点焊盘以及覆盖有阻焊层；
[0026]在所述阻焊层对应所述凸点焊盘的位置处形成至少两个开窗区域，以使所述凸点焊盘裸露，其中，至少两个所述开窗区域之间不连通。
[0027]进一步地，每一所述开窗区域的边界与所述开窗区域内的所述凸点焊盘的边界的距离大于预设值，所述凸点焊盘的边界为所述凸点焊盘靠近所述开窗区域的位置；
[0028]每一所述开窗区域内相邻的所述凸点焊盘之间的间隙处于预设范围内。
[0029]本专利技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0030]本专利技术提供了一种封装结构，包括：基板、阻焊层、覆盖基板，该阻焊层具有将基板裸露的至少两个开窗区域，至少两个开窗区域之间不连通；凸点焊盘，设置于基板上，且位于开窗区域内，进而使得开窗区域减小，阻焊层面积增大，增大了阻焊层与填充胶的接触面积，而阻焊层与填充胶之间的热膨胀系数相较于铜与填充胶之间的热膨胀系数有所改善，进而有效避免了基板与填充胶之间的分层现象。
附图说明
[0031]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：
[0032]图1示出了现有技术中阻焊层开窗的结构示意图；
[0033]图2示出了本专利技术实施例中封装结构的示意图；
[0034]图3示出了本专利技术实施例中具有约束条件的开窗区域的示意图；
[0035]图4a、图4b示出了本专利技术实施例中的凸点焊盘按照第一种排布方式形成的开窗区域示意图；
[0036]图5a、图5b示出了本专利技术实施例中的凸点焊盘按照第二种排布方式形成的开窗区域示意图；
[0037]图6示出了本专利技术实施例中的凸点焊盘按照第三种排布方式形成的开窗区域示意图；
[0038]图7示出了本专利技术实施例中的存在三个开窗区域的结构示意图；
[0039]图8示出了本专利技术实施例中的芯片结构示意图；
[0040]图9示出了本专利技术实施例中的封装结构的制备方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
[0041]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0042]实施例一
[0043]本专利技术的实施例提供了一种封装结构，如图2所示，包括：
[0044]基板201；
[0045]阻焊层202，覆盖该基板201，该阻焊层202具有将基板201裸露的至少两个开窗区域203，至少两个开窗区域203之间不连通；
[0046]凸点焊盘204，设置于基板201上，且位于开窗区域203内。
[0047]基板201是制造PCB的基本材料，一般情况下，基板就是覆铜箔层压板，基板材料是制造半导体元件及印刷电路板的基础材料，如半导体工业用的材料硅、砷化镓、硅外延针稼拓榴石等。由高纯度氧化铝(矾土)为主要原料经高压成型、高温烧成，再经切割、抛光制成的，陶瓷基片是制造厚膜、薄膜电路的基础材料。覆铜箔层压板(简称覆箔板)是制造印制电路板的基板材料，它除用作支撑各种元器件外，并能实现它们之间的电气连接或电绝缘。
[0048]阻焊层202是指基板上覆盖绿油的部分，阻焊层材料必须本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板；阻焊层，覆盖所述基板，所述阻焊层具有将所述基板裸露的至少两个开窗区域，至少两个所述开窗区域之间不连通；凸点焊盘，设置于所述基板上，且位于所述开窗区域内。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域的边界与所述开窗区域内的所述凸点焊盘的边界的距离大于预设值，所述凸点焊盘的边界为所述凸点焊盘靠近所述开窗区域的位置。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域内相邻的所述凸点焊盘之间的间隙处于预设范围内。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向以及列方向对齐设置。5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，每一所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向对齐设置，列方向错位设置。6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，部分所述开窗区域内，所述凸点焊盘在行方向以及列方向对齐设置；其余部分所述开窗区域内，所述凸点焊盘行方向对齐设置，列方向错位设置。7.根据权利要求1～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧梅，李文心，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：