测试装置及系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种测试装置，用于辅助测量呈阵列状排列的LED芯粒，包括至少一个第一测试卡，所述第一测试卡包括第一基底层、设于所述第一基座层上的第一导电线路、分别连接于所述第一导电线路两端的第一测试片、以及间隔设置于所述第一导电线路上的多个第一接触片；所述第一接触片与一纵列或一横排所述LED芯粒的数量及位置相匹配。还包括两组第二测试卡，每组所述第二测试卡的数量与一个所述第一测试卡上的第一接触片的数量相同。还提供一种测试系统，包括待测试的圆片组件、测试机、以及上述的测试装置。本实用新型专利技术的测试装置及系统能够减少测试时间，提高测试效率，避免发生漏测。测。测。

【技术实现步骤摘要】
测试装置及系统


[0001]本技术涉及半导体测试
，特别是涉及一种测试装置及系统。

技术介绍

[0002]包括集成电路、LED等一些半导体元器件的生产往往需要用wafer作为制造的载体。Wafer经过制程技术处理之后，形成呈阵列状排布的单颗芯粒。Wafer的直径越大，单颗芯粒的尺寸越小，则一片wafer上形成的芯粒数目越多。在芯粒形成后，需要分别对每颗芯粒进行测试，以识别其启动电压、电流、漏电流、亮度等信息。
[0003]比如LED芯粒的测试，一般通过测试机对单个LED芯粒点亮测试。由于单片wafer上的LED数目过多，测试机在测试时需要不停地移动位置，并调整对准于各个LED芯粒的连接点。在测试机单次移动、对准的时间不变的情况下，LED wafer测试的时间随着LED芯粒尺寸的减小，分选时间呈几何式增加。对于Min/Micro LED来说，测试时间冗长，测试效率非常低，且由于LED芯粒尺寸较小，连接对准较为复杂，同时，由于LED芯粒的数量过大，容易出现漏测等情况。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试装置，用于辅助测量呈阵列状排列的LED芯粒，其特征在于：包括至少一个第一测试卡，所述第一测试卡包括第一基底层、第一导电线路、分别连接于所述第一导电线路两端的第一测试片、以及间隔设置于所述第一导电线路上的多个第一接触片；所述第一接触片与一纵列或一横排所述LED芯粒的数量及位置相匹配。2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于：还包括两组第二测试卡，每组所述第二测试卡的数量与一个所述第一测试卡上的第一接触片的数量相同。3.根据权利要求2所述的测试装置，其特征在于：所述第二测试卡包括第二基底层、设于所述第二基底层上的第二导电线路、分别连接于所述第二导电线路两端的第二测试片和第二接触片。4.根据权利要求3所述的测试装置，其特征在于：所述第一接触片、所述第二接触片、所述第一测试片和所述第二测试片的材质均为导电材料。5.根据权利要求4所述的测试装置，其特征在于：所述第一接触片和所述第二接触片均为纳米薄膜，所述纳米薄膜包括以下材质：导电银浆、导电光刻胶、导电石墨烯、或多层金属。6.根据权利要求5所述的测试装置，其特征在于：所述多层金属包括铬层+金层、锡层+金层、镍层+金层、以及依次排列的钛层+铝层+钛层+金层中的一种。7.根据权利要求3所述的测试装置，其特征在于：所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，刘芳，徐晓丽，杨丹，方华，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：新型
国别省市：