存储器装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了存储器装置及其制造方法。一种存储器装置包括：源极层，在源极层上限定有单元区和外围电路区；存储块，其在单元区中形成于源极层上；狭缝，其形成于存储块之间。存储器装置还包括电阻器，其在外围电路区中形成于源极层中；接触件，其形成于电阻器上；以及金属线，其形成于接触件上并连接至外围电路。形成于接触件上并连接至外围电路。形成于接触件上并连接至外围电路。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其制造方法


[0001]本公开涉及存储器装置及其制造方法，更具体地，涉及包括电阻器单元的存储器装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]为了提高存储器装置的集成度，已经提出了包括以三维布置的多个存储器单元的三维存储器装置。
[0003]虽然可以增加层叠在基板上的层叠存储器单元的数量以提高三维存储器装置的集成度，但是随着包含在存储器装置中的元件数量增加，在减小存储器装置的尺寸方面存在限制。

技术实现思路

[0004]本公开的实施方式提供了能够减小存储器装置的尺寸的存储器装置及其制造方法。
[0005]根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：源极层，在源极层上限定有单元区和外围电路区；存储块，其在单元区中形成于源极层上；狭缝，其形成于存储块之间；电阻器，其在外围电路区中形成于源极层中；接触件，其形成于电阻器上；以及金属线，其形成于接触件上并连接至外围电路。
[0006]根据本公开的实施方式，一种制造存储器装置的方法包括：提供源极层，在源极层上限定有单元区和外围电路区，并且限定有穿越单元区的狭缝区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：源极层，在所述源极层上限定有单元区和外围电路区；存储块，所述存储块在所述单元区中形成于所述源极层上；狭缝，所述狭缝形成于所述存储块之间；电阻器，所述电阻器在所述外围电路区中形成于所述源极层中；接触件，所述接触件形成于所述电阻器上；以及金属线，所述金属线形成于所述接触件上并连接至所述外围电路。2.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述单元区与所述外围电路区之间延伸。3.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括电阻器单元，其中，所述电阻器单元包括所述电阻器、所述接触件和所述金属线。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述电阻器单元的电阻值基于所述接触件之间的距离与所述电阻器的材料。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电阻器包括钨W、钛Ti和氮化钛TiN中的至少一者。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电阻器形成在其中形成有所述狭缝的狭缝区中。7.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述电阻器周围和下方，以将所述电阻器与所述外围电路区中的所述源极层电隔离。8.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：虚设结构，所述虚设结构在所述外围电路区中形成于源极层上。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述虚设结构包括交替层叠在所述源极层上的第一材料层和第二材料层。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中：所述第一材料层包括氧化物层，并且所述第二材料层包括氮化物层。11.一种制造存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：提供源极层，在所述源极层上限定有单元区和外围电路区，并且限定有穿越所述单元区的狭缝区；在所述狭缝区中的所述源极层上和所述外围电路区中的所述源极层上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层和所述源极层上形成层叠结构；通过蚀刻所述层叠结构的在所述狭缝区中的一部分直至暴露出所述蚀刻停止层而在所述狭缝区中形成第一沟槽；用第一绝缘层填充所述第一沟槽；在所述层叠结构的保...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在泽，郑蕙英，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：