溶液法生长碳化硅单晶的设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，包括坩埚、动力轴、碳源仓、循环管路和抽液装置；坩埚内壁涂有碳化坦涂层，并限定出生长腔和溶液腔；动力轴上端位于坩埚顶壁外侧，底端穿过坩埚位于生长腔，并安装有籽晶托；碳源仓安装在溶液腔内，碳源仓顶壁向四周延伸出延伸部，并与坩埚内壁连接，延伸部上限定出液体流道；碳源仓顶壁和延伸部将溶液腔分为长晶区和混液区；碳源仓底部限定出小孔和进液口，其顶壁限定出出液口；循环管路设置在碳源仓内部，其一端与进液口连接，其另一端与出液口连接；抽液装置连接在循环管路上。本实用新型专利技术能够在长晶过程中无需通过石墨坩埚对溶液中的碳元素进行补充，能够延长坩埚的使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
溶液法生长碳化硅单晶的设备


[0001]本技术涉及晶体生长领域，尤其是涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的设备。

技术介绍

[0002]相关技术指出，现有熔融法生产碳化硅晶体采用石墨坩埚，在石墨坩埚内放置籽晶、碳粉、硅料以及金属助溶剂，加热石墨坩埚，热量传导至坩埚内部原料，发生物理化学反应，以籽晶作为生长起始点，生长出碳化硅晶体。但是由于碳的溶解度较低，因此，溶液中的碳含量较低，传统方法中为了能够持续不断的供应碳源，选择以坩埚为主要碳源，在长晶过程中对碳元素进行补充，对坩埚造成了一定的破坏了坩埚，成本较高。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，能够在长晶过程中无需通过石墨坩埚对溶液中的碳元素进行补充，能够避免对石墨坩埚的破坏，延长坩埚的使用寿命。
[0004]根据本技术实施例的一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，包括坩埚、动力轴、碳源仓、循环管路和抽液装置；
[0005]所述坩埚内壁涂覆有碳化坦涂层，所述坩埚限定出生长腔和溶液腔；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，其特征在于，包括：坩埚，所述坩埚内壁涂覆有碳化坦涂层，并限定出生长腔和溶液腔；动力轴，所述动力轴上端位于所述坩埚顶壁外侧，所述动力轴底端穿过所述坩埚顶壁位于所述生长腔，并安装有籽晶托；碳源仓，所述碳源仓安装在所述溶液腔内，所述碳源仓限定出用于盛放辅助原料的第一容纳腔，所述碳源仓顶壁边缘向外延伸出延伸部，所述延伸部与所述坩埚内壁连接，所述延伸部上限定出液体流道；所述碳源仓顶壁和所述延伸部将所述溶液腔分成长晶区和混液区；所述碳源仓底部限定出用于连通所述第一容纳腔和所述混液区的小孔和进液口，顶壁限定出用于连通第一容纳腔和长晶区的出液口；循环管路，所述循环管路设置在碳源仓内部，循环管路一端与碳源仓的进液口连接，另一端与碳源仓的出液口连接；抽液装置，所述抽液装置连接在所述循环管路上，用于推动所述循环管路内的液体流动。2.根据权利要求1所述的一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，其特征在于，还包括安装在所述坩埚内部的散热组件，所述散热组件包括：散热风扇，所述散热风扇通过第一转轴安装在所述长晶区上方的所述坩埚侧壁的安装孔内，用于对晶体降温；涡轮，所述涡轮通过第二转轴安装在液体流道内，所述延伸部还限定出上方开口的第二容纳腔，且所述第二容纳腔与所述液体流道不连通，所述第二转轴一端穿过所述第二容纳腔；传动带，所述传动带张紧在所述第二转轴和所述第一转轴上。3.根据权利要求2所述的一种溶液法生长碳化硅单晶的设备，其特征在于，所述液体流道和所述散热组件设置有多个，且二者一一对应。4.根据权利要求3所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：许成凯，陈俊宏，
申请(专利权)人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：