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本实用新型公开了一种溶液法生长碳化硅单晶的设备,包括坩埚、动力轴、碳源仓、循环管路和抽液装置;坩埚内壁涂有碳化坦涂层,并限定出生长腔和溶液腔;动力轴上端位于坩埚顶壁外侧,底端穿过坩埚位于生长腔,并安装有籽晶托;碳源仓安装在溶液腔内,碳源仓顶...该专利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种溶液法生长碳化硅单晶的设备,包括坩埚、动力轴、碳源仓、循环管路和抽液装置;坩埚内壁涂有碳化坦涂层,并限定出生长腔和溶液腔;动力轴上端位于坩埚顶壁外侧,底端穿过坩埚位于生长腔,并安装有籽晶托;碳源仓安装在溶液腔内,碳源仓顶...