一种MEMS空腔的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS空腔的制备方法，包括以下步骤：S1.在衬底上沉积介质层埋层，再在所述埋层上沉积锗，并形成图形化的光阻掩模；S2.通过第一气体刻蚀所述光阻掩模和锗形成锗图形；S3.在所述锗图形上沉积支撑层，并通过光刻和第二气体刻蚀形成释放孔；S4.基于所述支撑层的释放孔，通过强酸腐蚀液以湿法去除所述锗图形，从而形成MEMS空腔。本发明专利技术通过湿法腐蚀锗形成空腔结构，不会损伤器件结构，可以使用工艺线上现有设备，不须采购新设备新材料，降低了成本，同时扩展现有工艺能力。同时扩展现有工艺能力。同时扩展现有工艺能力。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS空腔的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种MEMS空腔的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体领域中，申请号为CN201410276142的专利技术专利公开了一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置，其中制造方法包括在压力传感膜上与拟形成的压力沟槽相对应的位置形成蚀刻停止组件的步骤以及去除蚀刻停止组件的步骤，因此可以避免在对覆盖层进行刻蚀以形成压力沟槽的过程中对压力传感膜造成不当刻蚀，并且可以防止覆盖层以及压力传感膜发生形变，因而可以提高MEMS压力传感器的可靠性和敏感度，避免压力传感器漂移。
[0003]其中MEMS空腔一般都是使用硅、二氧化硅或者无定型碳作为牺牲层。然而，通过干法刻蚀释放来形成空腔，对器件结构会有一定损伤。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术提出一种MEMS空腔的制备方法，在形成锗图形后，沉积二氧化硅或氮化硅等支撑层，通过光刻和刻蚀打开释放孔，然后强酸湿法去除锗形成空腔。这样不会损伤器件结构，而且可以使用工艺线上现有设备，降低成本，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS空腔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在衬底上沉积介质层埋层，再在所述埋层上沉积锗，并形成图形化的光阻掩模；S2.通过第一气体刻蚀所述光阻掩模和锗形成锗图形；S3.在所述锗图形上沉积支撑层，并通过光刻和第二气体刻蚀形成释放孔；S4.基于所述支撑层的释放孔，通过强酸腐蚀液以湿法去除所述锗图形，从而形成MEMS空腔。2.根据权利要求1所述的MEMS空腔的制备方法，其特征在于，所述埋层包括与CMOS兼容的介质层。3.根据权利要求2所述的MEMS空腔的制备方法，其特征在于，所述与CMOS兼容的介质层包括二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。4.根据权利要求1所述的MEMS空腔的制备方法，其特征在于，在所述埋层上沉积的锗包括非晶态锗或多晶态锗。5.根据权利要求1所述的MEMS空腔的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王百钱，杨荣，余明斌，
申请(专利权)人：上海铭锟半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：