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本发明公开了一种MEMS空腔的制备方法，包括以下步骤：S1.在衬底上沉积介质层埋层，再在所述埋层上沉积锗，并形成图形化的光阻掩模；S2.通过第一气体刻蚀所述光阻掩模和锗形成锗图形；S3.在所述锗图形上沉积支撑层，并通过光刻和第二气体刻蚀形成...
该专利属于上海铭锟半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海铭锟半导体有限公司授权不得商用。

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