一种SOI晶圆芯片的分离方法技术

本发明专利技术公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明专利技术的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si3N4‑

【技术实现步骤摘要】
一种SOI晶圆芯片的分离方法


[0001]本专利技术涉及MEMS半导体压力传感器领域，具体地，涉及一种SOI晶圆芯片的分离方法。

技术介绍

[0002]压阻效应是指材料发生形变之后,电阻发生变化的现象。自半导体的压阻效应发现以来，半导体压力传感器得到了飞速的发展。半导体压力传感器具有体积小、灵敏系数高、机械迟滞小等优点。半导体压力传感器的膜片越薄，挠度越大，检测灵敏度越高。基于SOI晶圆制备的应变计厚度超薄(仅有数微米至数十微米)，超薄的厚度确保其具有更高的灵敏度，SOI晶圆的绝缘层隔离则使其能在更高的温度下工作。
[0003]芯片制备完成后，需要对批量化制备的芯片进行分离，而应变计超薄的厚度使其分离比较困难。当前常用的分离方法是：在辅助晶圆表面涂一层粘结剂(起粘附和保护芯片的作用)，将已制备好芯片的晶圆的正面贴到辅助硅片上，然后湿法刻蚀硅衬底至SOI晶圆的氧化硅层。该方法工艺相对复杂，并且由于粘结剂粘度高、流动性差，造成部分芯片与粘结剂之间存在空隙，导致湿法刻蚀时刻蚀液腐蚀铝电极，降低了芯片的良率。
专利技术内容
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SOI晶圆芯片的分离方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、应变计制备，使用SOI晶圆制备应变计；所述SOI晶圆包括紧密结合的衬底体硅(1)、二氧化硅中间层(2)和顶层硅(3)；所述应变计包括底层的SOI晶圆、侧壁保护层(5)、填充在所述SOI晶圆和所述侧壁保护层(5)中间的功能层(4)及贯穿侧壁保护层(5)与功能层(4)的具有良好接触的电极(6)，所述侧壁保护层(5)与所述SOI晶圆的二氧化硅中间层(2)相互紧密结合，构成封闭的空间结构，所述SOI晶圆的顶层硅(3)位于封闭空间内部，所述功能层(4)位于所述SOI晶圆的顶层硅(3)的上方，所述电极(6)两端分别连接功能层(4)和外部，所述侧壁保护层(5)高度大于5um；S2、在应变计的电极(6)的表面镀抗腐蚀保护层(7)；S3、腐蚀SOI晶圆的二氧化硅中间层(2)，使衬底硅(1)脱去，分离得到芯片。2.根据权利要求1所述的SOI晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述顶层硅(3)为单晶硅或多晶硅。3.根据权力要求1所述的SOI晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述侧壁保护层(5)为氮化硅，所述氮化硅厚度不低于10nm，氮化硅由LPCVD或ALD设备生长；优选地，所述氮化硅厚度为30～200nm。4.根据权利要求1所述的SOI晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述电极(6)由铝硅合金材料制成，所述铝硅合金在高温合金化后与所述功能层(4)形成欧姆接触。5.根据权利要求1所述的SOI晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述步骤S3中的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宾，李若朋，陈新准，庄磊，朱瑞，陈善任，程元红，肖钧尹，钟文兵，
申请(专利权)人：广州奥松电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：