一种MEMS压力传感器封装方法技术

技术编号:36937906 阅读:7 留言:0更新日期:2023-03-22 18:59
本发明专利技术涉及微机电系统领域,尤其是一种MEMS压力传感器封装方法,包括如下步骤,S1、提供MEMS芯片、ASIC芯片和包含多个单元的PCB板;S2、在PCB板上的每个单元上粘结ASIC芯片,并将每个单元上的ASIC芯片与所在PCB板单元进行电连;S3、在每个单元上设置围坝,将PCB板上的单元切割分离形成均带有围坝的独立单元;S4、通过胶水将MEMS芯片粘结固定在围坝围成的空腔内,将MEMS芯片与ASIC芯片电连,S5、在围坝上固定带有泄压孔的上盖,完成封装。本发明专利技术实现产品高度集成,实现产品的小型化。实现产品的小型化。实现产品的小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS压力传感器封装方法


[0001]本专利技术涉及微机电系统领域,尤其是一种MEMS压力传感器封装方法。

技术介绍

[0002]随着MEMS器件的快速发展,MEMS压力传感器已广泛应用于医疗、汽车、工业、消费类电子等各个领域,因此传感器低成本、小型化需求日趋明显。目前的MEMS压力传感器,在封装时,是将MEMS芯片、ASIC芯片水平装配到PCB板上,然后用金线连接,实现通信,MEMS芯片与外壳之间的空间、外壳厚度、外壳与PCB之间水平间距的存在,会增大产品尺寸,不利于产品小型化。

技术实现思路

[0003]针对上述的所有问题,本专利技术提供了一种MEMS压力传感器封装方法,实现产品高度集成,实现产品的小型化,解决了产品尺寸大的问题。
[0004]本专利技术的方案如下:一种MEMS压力传感器封装方法,包括如下步骤,S1、提供MEMS芯片、ASIC芯片和包含多个单元的PCB板;S2、在PCB板上的每个单元上粘结ASIC芯片,并将每个单元上的ASIC芯片与所在PCB板单元进行电连;S3、在每个单元上设置围坝,将PCB板上的单元切割分离形成均带有围坝的独立单元;S4、通过胶水将MEMS芯片粘结固定在围坝围成的空腔内,将MEMS芯片与ASIC芯片电连,S5、在围坝上固定带有泄压孔的上盖,完成封装。本方案将ASIC芯片、MEMS芯片、PCB板单元竖向排布,这样减少了各个芯片水平排布占用的空间,同时采用胶水进行粘结固定,实现竖向的固定,保证了芯片的牢固,避免了应力对产品性能的影响;产品装配流程中先进行切割后进行MEMS等装配是因为多个单元的PCB进行围坝工艺后产生整体的变形,整个PCB呈现波浪形的弯曲,且围坝后整个PCB硬度和强度大,难以进行整体弯曲的纠正,为了降低弯曲对后续影响,切割成单体可以有效降低变形对装配的影响。
[0005]步骤S2中,粘结ASIC芯片时,使胶水溢出量不能到达PCB焊盘,且ASIC芯片下方胶水厚度H为0

1000μm,四角下方的胶水厚度尺寸差值

H≤0

500μm。胶水溢出量不能到达PCB盘,避免胶水粘到焊盘上,影响焊接质量;胶水厚度的设定避免应力对产品的影响,四角的高度差值低于设定值,保证了ASIC芯片的水平度,便于MEMS芯片的装配。
[0006]步骤S3中,围坝的宽度为0.01—1mm,且围坝靠近PCB板单元中焊盘的一侧包裹PCB板焊盘、连接PCB板焊盘和ASIC芯片的金线、ASIC芯片焊盘。围坝包裹这些元件,进一步的减小产品水平方向的尺寸,同时围坝宽度的增大也提高了围坝的强度,进而提高了产品的整体牢固。
[0007]步骤S4中,粘结MEMS芯片之前,首先要将每个独立单元贴在载体上,载体为U形,在载体底部贴装耐高温膜,独立单元设置在耐高温膜围城的腔体中,且独立单元的底部与高温膜粘结固定。
[0008]步骤S4中,通过胶水将MEMS芯片粘结固定在围坝围成的空腔时,MEMS芯片是通过
胶水与ASIC芯片粘结固定,且胶水溢出MEMS芯片底部的长度L是0

1000μm,这样胶水溢出量不能到达ASIC的焊盘上,不会影响焊接质量。
[0009]步骤S4中,MEMS芯片的焊盘与ASIC芯片的焊盘通过金丝连接,在围坝靠近MEMS芯片的焊盘的一侧设置有凸台,凸台与ASIC芯片固定,且凸台的高度低于或者等于ASIC芯片高度相同,在ASIC芯片与MEMS芯片连接的焊盘上不能有围坝的成分物质,避免影响焊接。MEMS芯片下方胶水厚度为0

1000μm,避免了应力对产品性能的影响。MEMS芯片四角下方的胶水厚度尺寸差值小于等于500μm,保证了MEMS芯片的平整度。凸台的设计,减小了右侧围坝的宽度,在焊接时,不会触碰到围坝,便于将MEMS芯片的焊盘与ASIC芯片的焊盘通过金丝连接。
[0010]步骤S5中,上盖与围坝通过胶水粘结固定,在围坝上划胶,胶水连贯不断开,胶水宽度0.01

1mm,胶水高度0.01

1mm。
[0011]所述上盖为金属上盖或塑料上盖或陶瓷上盖,这样保证了上盖的强度;围坝为环氧树脂围坝或者塑料围坝。
[0012]通过上述描述可以看出,本方案具有如下优点:1、将PCB板、ASIC芯片、MEMS芯片采用依次竖向安装的方式,节省了水平方向的尺寸,这样便于产品小型化,且对胶水层厚度的限定,在保证牢固的基础上,保证了竖向的高度,避免了应力对产品性能的影响;2、通过围坝覆盖ASIC芯片能够进一步减小产品水平方向的尺寸,同时围坝宽度的增大能提高产品强度;通过围坝、顶盖、泄压孔的即对ASIC芯片、MEMS芯片起到保护作用,也便于感知外界气压变压。3、独立单元粘帖在载体上后,粘结MEMS芯片和焊接连接MEMS芯片和ASIC芯片的金线,这样保证了独立单元后续装配的一致性和可量产性,保证产品性能,提高生产效率;且载体内铺设有耐高温膜,可以对载体进行保护,减小载体磨损。
附图说明
[0013]图1为本专利技术的方法流程图。
[0014]图2为包含多个单元的PCB板示意图。
[0015]图3为一个固定ASIC芯片的PCB板单元示意图。
[0016]图4为固定围坝的PCB单元示意图。
[0017]图5为载体结构示意图。
[0018]图6为独立单元与载体固定的示意图。
[0019]图7为MEMS芯片与ASIC芯片固定的示意图。
[0020]图8为封装示意图。
[0021]图中,1为PCB板、2为PCB板单元、3为ASIC芯片、4为ASIC芯片连接金线、5为围坝、6为凸台、7为载体、8为MEMS芯片、9为MEMS芯片连接金线,10为上盖,11为泄压孔。
具体实施方式
[0022]下面结合本专利技术实例中的附图,对本专利技术一种MEMS压力传感器封装方法进行具体地描述。
[0023]本专利技术提供了一种MEMS压力传感器封装方法,包括如下步骤,S1、提供MEMS芯片8、ASIC芯片3和包含多个单元的PCB板1;
S2、在PCB板1上的每个单元上粘结ASIC芯片3,并将每个单元上的ASIC芯片3与所在PCB板单元2进行电连;粘结ASIC芯片3时,使胶水溢出量不能到达PCB焊盘,且ASIC芯片3四角下方的胶水厚度尺寸差值

H≤0

500μm。
[0024]S3、在每个单元上设置围坝5,将PCB板1上的单元切割分离形成均带有围坝的独立单元;围坝的宽度为0.01—1mm,且围坝5靠近PCB板单元2中焊盘的一侧包裹PCB板焊盘、连接PCB板焊盘和ASIC芯片的金线(即ASIC芯片连接金线4)、ASIC芯片焊盘。围坝5为环氧树脂围坝或者塑料围坝。
[0025]S4、通过胶水将MEMS芯片8粘结固定在围坝5围成的空腔内,将MEMS芯片8与ASIC芯片3电连;粘结MEMS芯片9之前,首先要将每个独立的PCB板本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS压力传感器封装方法,其特征在于包括如下步骤,S1、提供MEMS芯片、ASIC芯片和包含多个单元的PCB板;S2、在PCB板上的每个单元上粘结ASIC芯片,并将每个单元上的ASIC芯片与所在PCB板单元进行电连;S3、在每个单元上设置围坝,将PCB板上的单元切割分离形成均带有围坝的独立单元;S4、通过胶水将MEMS芯片粘结固定在围坝围成的空腔内,将MEMS芯片与ASIC芯片电连,S5、在围坝上固定带有泄压孔的上盖,完成封装。2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器封装方法,其特征在于,步骤S2中,粘结ASIC芯片时,使胶水溢出量不能到达PCB焊盘,且ASIC芯片下方胶水厚度H为0

1000μm,ASIC芯片四角下方的胶水厚度尺寸差值

H≤0

500μm。3.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器封装方法,其特征在于,步骤S3中,围坝的宽度为0.01—1mm,且围坝靠近PCB板单元中焊盘的一侧包裹PCB板焊盘、连接PCB板焊盘和ASIC芯片的金线、ASIC芯片焊盘。4.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器封装方法,其特征在于,步骤S4中,粘结MEMS芯片之前,首先要将每个独立单元贴在载体上,载体为U形,在载体底部贴装耐高温膜,独立单元设置在耐高温膜围城的腔体中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙健赵旭倪杰刘萌
申请(专利权)人:山东沃迪科微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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