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本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一...
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