高输出阻抗的有机发光二极管显示装置制造方法及图纸

有机发光二极管显示装置含有一电流源与一有机发光二极管等效模块。该电流源是由一第一控制器，二偏压源，与二Ｐ型金属氧化物半导体所组成，以输出电流给有机发光二极管等效模块，使其发射光线。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种有机发光二极管显示装置，特别是涉及一种高输出阻抗的有机发光二极管显示装置。
技术介绍
请参考图1。图1为现有技术的有机发光二极管显示装置100的电路示意图。有机发光二极管显示装置100包含一电流源110及一有机发光二极管等效模块120。电流源110包含一偏压源VH，一控制器111，一P型金属氧化物半导体晶体管Q1。有机发光二极管等效模块120包含二电阻R1与R2，一有机发光二极管D1，一等效电容C1。偏压源VH将P型金属氧化物半导体晶体管Q1偏压在饱和区。电流源110以控制器111传送控制电压V1给P型金属氧化物半导体晶体管Q1的栅极，以控制电流I1的大小。理论上，电流源的输出电阻应为无限大，因此不论电流源所耦接的负载大小为何，都不会影响电流源所输出的电流大小与稳定程度。而实际上，现有技术的有机发光二极管显示装置100所使用的电流源110，其等效输出电阻为Rd。因此，若有机发光二极管等效模块120的负载过大时(意即与电阻Rd的大小相比而无法忽略时)，则电流I1将会被影响而改变大小。这样一来，就与控制器111所要求的电流大小不同，无法达到理想状态，如因有机发光二极管等效模块的负载太大而造成亮度不够的情况等。
技术实现思路
本技术提供一种高输出阻抗的有机发光二极管显示装置，其包含有一电流源及一有机发光二极管等效模块。电流源包含一第一金属氧化物半导体晶体管，包含一栅极、一第一端及一第二端；一第二金属氧化物半导体晶体管，用来提供高输出阻抗，包含一栅极、一第一端，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该第二端、及一第二端；一第一控制器，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该栅极，用来提供一控制信号以控制流经该第一金属氧化物半导体晶体管的电流大小；一第一偏压源，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极，用来提供偏压给该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极；一第二偏压源，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该第一端，用来提供偏压给该第一金属氧化物半导体晶体管。有机发光二极管等效模块耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该第二端，用来根据流自该第二金属氧化物半导体晶体管的电流大小，产生对应亮度的光线。附图说明图1为现有技术的有机发光二极管显示装置的电路示意图。图2为本技术的有机发光二极管显示装置的电路示意图。附图符号说明100 200 有机发光二极管显示装置110 210 电流源120 220 有机发光二极管等效模块111 控制器211 第一控制器240 第二控制器V1 V2控制电压VH VH2 VH3 偏压源I1 I2电流Q1 Q2 Q3P型金属氧化物半导体晶体管R1 R2 R3 R4 电阻D1 D2有机发光二极管C1 C2电容230 开关具体实施方式请参考图2。图2为本技术的有机发光二极管显示装置200的电路示意图。有机发光二极管显示装置200包含一电流源210、一有机发光二极管等效模块220、一第二控制器240、及一开关230。电流源210包含一第一控制器211、二偏压源VH2与VH3、二P型金属氧化物半导体晶体管Q2与Q3。有机发光二极管等效模块220则包含二电阻R3与R4、一有机发光二极管D2、及一电容C2。如图2所示，在电流源210中，第一控制器211的输出端耦接于P型金属氧化物半导体晶体管Q2的栅极，而P型金属氧化物半导体晶体管Q2的源极耦接于偏压源VH2，其漏极耦接于P型金属氧化物半导体晶体管Q3；P型金属氧化物半导体晶体管Q3的栅极耦接于偏压源VH3，其源极与P型金属氧化物半导体晶体管Q2相耦接，其漏极耦接至有机发光二极管等效模块220。而于有机发光二极管等效模块220中，电阻R3耦接于P型金属氧化物半导体晶体管Q3的源极与有机发光二极管D2的正端之间；电阻R4耦接于开关230与有机发光二极管D2的负端之间；电容C2耦接于电阻R3与R4之间；有机发光二极管D2耦接于电阻R3与R4之间。第二控制器240的输出端耦接于开关230的控制端，而开关230耦接于接地端与电阻R4之间。偏压源VH2与VH3将P型金属氧化物半导体晶体管Q2与Q3偏压在饱和区。电流源210以第一控制器211传送控制电压V2给P型金属氧化物半导体晶体管Q2的栅极，以控制电流I2的大小，有机发光二极管等效模块220则根据电流I2的大小，产生对应亮度的光线。而本技术的有机发光二极管显示装置200所使用的电流源210，其等效输出电阻为μRd，大于现有技术的有机发光二极管显示装置所使用的电流源的等效输出电阻，因此可用于较高的负载上，而负载对于电流I2的影响也相对的较小。因此，电流源210可提供较稳定的电流给有机发光二极管显示装置220，使其能有更好的表现。本技术的有机发光二极管显示装置200所包含的第二控制器240，可用来控制开关230的开启或关闭，以此来控制有机发光二极管等效模块220的开启或关闭。以上所述仅为本技术的较佳实施例，凡依本技术的权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本技术的涵盖范围。权利要求1.一种高输出阻抗的有机发光二极管显示装置，其特征是包含一电流源，其包含一第一金属氧化物半导体晶体管，包含一栅极；一第一端；及一第二端；一第二金属氧化物半导体晶体管，用来提供高输出阻抗，包含一栅极；一第一端，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该第二端；及一第二端；一第一控制器，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该栅极，用来提供一控制信号以控制流经该第一金属氧化物半导体晶体管的电流大小；一第一偏压源，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极，用来提供偏压给该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极；及一第二偏压源，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该第一端，用来提供偏压给该第一金属氧化物半导体晶体管；及一有机发光二极管等效模块，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该第二端，用来根据流自该第二金属氧化物半导体晶体管的电流大小，产生对应亮度的光线。2.如权利要求1所述的显示装置，其中还包含一开关，耦接于该有机发光二极管等效模块与一接地端之间，用来控制该有机发光二极管等效模块的开启及关闭。3.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一与第二金属氧化物半导体晶体管系皆操作于饱和区。4.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。5.如权利要求1所述的显示装置，其中该第二金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。6.如权利要求1所述的显示装置，其中该有机发光二极管等效模块包含一第一电阻，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该第二端；一第二电阻，耦接于一接地端；一电容，耦接于该第一电阻与该第二电阻之间；以及一有机发光二极管，耦接于该第一电阻与该第二电阻之间，用来根据所通过的电流大小，发射光线。专利摘要有机发光二极管显示装置含有一电流源与一有机发光二极管等效模块。该电流源是由一第一控制器，二偏压源，与二P型金属氧化物半导体所组成，以输出电流给有机发光二极管等效模块，使其发射光线。文档编号H05B37/00GK2930189SQ200620119568公开日2007年8月1日 申请日期2006年6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高输出阻抗的有机发光二极管显示装置，其特征是包含：　　　　一电流源，其包含：　　　　一第一金属氧化物半导体晶体管，包含：　　　　一栅极；　　　　一第一端；及　　　　一第二端；　　　　一第二金属氧化物半导体晶体管，用来提供高输出阻抗，包含：　　　　一栅极；　　　　一第一端，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该第二端；及　　　　一第二端；　　　　一第一控制器，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该栅极，用来提供一控制信号以控制流经该第一金属氧化物半导体晶体管的电流大小；　　　　一第一偏压源，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极，用来提供偏压给该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极；及　　　　一第二偏压源，耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该第一端，用来提供偏压给该第一金属氧化物半导体晶体管；及　　　　一有机发光二极管等效模块，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该第二端，用来根据流自该第二金属氧化物半导体晶体管的电流大小，产生对应亮度的光线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈吉昌，
申请(专利权)人：普诚科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]