一种贴片式红外发射接收器制造技术

技术编号:37031874 阅读:57 留言:0更新日期:2023-03-25 19:11
一种贴片式红外发射接收器,正极焊盘(2)、负极焊盘(3)和信号线(4)电镀在基座(1)上,IC芯片(5)通过锡焊在负极焊盘(3)上,IC芯片(5)的output接口通过焊线与信号线(4)连接,IC芯片(5)的GND接口通过焊线与负极焊盘(3)连接,IC芯片(5)的VCC接口通过焊线与正极焊盘(2)连接,红外接收发射管(6)通过银胶电连在负极焊盘(3)上,且IC芯片(5)的Input接口通过焊线与红外接收发射管(6)的信号接口连接。本实用新型专利技术优点是:本实用新型专利技术是依据三极管和二极管的原理,重新设计基板制程CHIP式封装产品,新的平面封装方式代替传统的封装工艺,对制程工艺及成本应用有着明显的提升效果。及成本应用有着明显的提升效果。及成本应用有着明显的提升效果。

【技术实现步骤摘要】
一种贴片式红外发射接收器


[0001]本技术涉及LED领域,具体涉及一种贴片式红外发射接收器。

技术介绍

[0002]目前,红外对管由一个“发射管”与“接收管”的组合,特别是用于组装槽型光耦或者发射式光耦时,需要用到这一对管子,市面上俗称为“光电对管”;红外对管是“红外线发射管”与“光敏二极管PD”/“光敏三极管PT”(也称为“接收管”),或者红外线接收管,或者红外线接收头配合在一起使用时候的总称。在光谱中波长大于0.76微米的一段称为红外线。
[0003]红外接收与发射管在家用电器和工业控制系统中已得到广泛应用。
[0004]红外对管在LED封装行业中主要有三个常用的波段,如下850nm、875nm、940nm。根据波长的特性运用的产品也有很大的差异,850nm波长的主要用于红外线监控设备、875nm主要用于医疗设备、940nm波段的主要用于红外线控制设备。EG:红外线遥控器、光电开关、光电计数设备等。
[0005]红外发射管是由红外发光二极管矩组成发光体,用红外辐射效率高的材料(常用砷化镓)制成PN结,正向偏压向PN结注入电流激发红外光,其光谱功率分布为中心波长830~950nm。LED是英文Light Emitting Diode的简称,表现是正温度系数,电流越大温度越高,温度越高电流越大,LED红外灯的功率和电流大小有关,但正向电流超过最大额定值时,红外灯发射功率反而下降,
[0006]现有的红外发射接收管的封装方式一般采用碗口槽式封装,这种封装工艺要求高,难度系数大。
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技术实现思路

[0007]本技术的目的就是针对目前上述之不足,而提供一种贴片式红外发射接收器。
[0008]本技术包括基座、正极焊盘、负极焊盘、信号线、IC芯片和红外接收发射管,正极焊盘、负极焊盘和信号线电镀在基座上,
[0009]IC芯片通过锡焊在负极焊盘上,
[0010]IC芯片的output接口通过焊线与信号线连接,
[0011]IC芯片的GND接口通过焊线与负极焊盘连接,
[0012]IC芯片的VCC接口通过焊线与正极焊盘连接,
[0013]红外接收发射管通过银胶电连在负极焊盘上,
[0014]且IC芯片的Input接口通过焊线与红外接收发射管的信号接口连接。
[0015]红外接收发射管端部为球形面。
[0016]球形面的离心角度是90
°

[0017]正极焊盘、负极焊盘和信号线通过散热镀层电镀在基座上。
[0018]所述基座由透明的PC材料制成。
[0019]负极焊盘上设置有局部用于与红外接收发射管连接的粗糙的表面。
[0020]负极焊盘上设置有局部用于与IC芯片连接的粗糙的表面。
[0021]IC芯片通过锡焊在正极焊盘上,IC芯片的output接口通过焊线与信号线连接,IC芯片的GND接口通过焊线与正极焊盘连接,IC芯片的VCC接口通过焊线与负极焊盘连接,红外接收发射管通过银胶电连在正极焊盘上,且IC芯片的Input接口通过焊线与红外接收发射管的信号接口连接。
[0022]正极焊盘上设置有局部用于与红外接收发射管连接的粗糙的表面。
[0023]正极焊盘上设置有局部用于与IC芯片连接的粗糙的表面。
[0024]本技术优点是:本技术是依据三极管和二极管的原理,重新设计基板制程CHIP式封装产品,新的平面封装方式代替传统的封装工艺,对制程工艺及成本应用有着明显的提升效果。
附图说明
[0025]图1是本技术结构示意图。
[0026]图2是实施例2结构示意图。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0028]因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0029]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0030]在本专利技术实施例的描述中,需要说明的是,若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,本专利技术的描述中若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0031]在本专利技术实施例的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,若出现术语“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0032]如图1所示,本技术包括基座1、正极焊盘2、负极焊盘3、信号线4、IC芯片5和红
外接收发射管6,正极焊盘2、负极焊盘3和信号线4电镀在基座1上,
[0033]IC芯片5通过锡焊在负极焊盘3上,
[0034]IC芯片5的output接口通过焊线与信号线4连接,
[0035]IC芯片5的GND接口通过焊线与负极焊盘3连接,
[0036]IC芯片5的VCC接口通过焊线与正极焊盘2连接,
[0037]红外接收发射管6通过银胶电连在负极焊盘3上,
[0038]且IC芯片5的Input接口通过焊线与红外接收发射管6的信号接口连接。
[0039]根据三极管和二极管的原理,重新设计基板制程CHIP式封装产品,利用IC芯片5的基础,在基座1、正极焊盘2、负极焊盘3、信号线4和红外接收发射管6进行平面封装,该封装方式降低了工艺难度以及成本。
[0040]进一步,红外接收发射管6端部为球形面。球形面对于收发信号更好。
[0041]进一步,正极焊盘2、负极焊盘3和信号线4通过散热镀层电镀在基座1上。利用散热镀层能起到更好的散热效果。
[0042]进一步,所述基座1由透明的PC材料制成。由透明的PC材料制成可以起到更好的信号发射的效果。
[0043]进一步,负极焊盘3上设置有局部用于与红外接收发射管6连接的粗糙的表面。得到粗糙面,以增加红外接收发射管6与负极焊盘3的耐热/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种贴片式红外发射接收器,其特征在于它包括基座(1)、正极焊盘(2)、负极焊盘(3)、信号线(4)、IC芯片(5)和红外接收发射管(6),正极焊盘(2)、负极焊盘(3)和信号线(4)电镀在基座(1)上,IC芯片(5)通过锡焊在负极焊盘(3)上,IC芯片(5)的output接口通过焊线与信号线(4)连接,IC芯片(5)的GND接口通过焊线与负极焊盘(3)连接,IC芯片(5)的VCC接口通过焊线与正极焊盘(2)连接,红外接收发射管(6)通过银胶电连在负极焊盘(3)上,且IC芯片(5)的Input接口通过焊线与红外接收发射管(6)的信号接口连接。2.根据权利要求1所述的一种贴片式红外发射接收器,其特征在于,红外接收发射管(6)端部为球形面。3.根据权利要求1所述的一种贴片式红外发射接收器,其特征在于,球形面的离心角度是90
°
。4.根据权利要求1所述的一种贴片式红外发射接收器,其特征在于,正极焊盘(2)、负极焊盘(3)和信号线(4)通过散热镀层电镀在基座(1)上。5.根据权利要求1所述的一种贴片式红外发射接收器,其特征在于,所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员:李涛
申请(专利权)人:湖北协进半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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