用于功率变换器的封装结构及其制造方法技术

本申请公开了用于功率变换器的封装结构及封装方法。所述封装结构包括：至少一个功率器件管芯，所述至少一个功率器件管芯包括位于第一表面上的第一焊盘区和支撑区，以及位于第二表面上的第二焊盘区，所述第一表面与所述第二表面彼此相对；以及控制电路管芯，所述控制电路管芯位于所述至少一个功率器件管芯的支撑区上。所述封装结构利用至少一个功率器件管芯的第一表面上提供支撑区以形成堆叠结构，以减小封装结构的芯片面积以及改善芯片的耐压性能和散热性能。性能和散热性能。性能和散热性能。

【技术实现步骤摘要】
用于功率变换器的封装结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装领域，具体地，涉及用于功率变换器的封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体的封装工艺包括将半导体管芯(semiconductor die)放置在引线框上、采用键合线(bonding wire)将半导体管芯的焊盘连接至引线框的引脚上、以及采用封装料包封半导体管芯和引线框的一部分，从而形成可以作为商品销售的完整半导体芯片(semiconductor chip)。随着封装技术的发展，已经开始采用系统级封装(System in Package，缩写为SIP)技术，其中，将有源器件和/或无源器件的多个管芯集成在单个封装结构中。系统级封装可以在单个封装结构中提供基本完整的系统功能，不仅可以实现芯片的小型化，而且还可以减少芯片外围元件的数量。例如，在智能手机等电子设备中，系统级封装已经获得广泛的应用。
[0003]然而，在功率变换器中，采用系统级封装仍然存在着相当大的挑战。功率变换器包括控制电路和功率器件，其中，功率器件在控制电路的控制下周期性地导通或断开。在功率变换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于功率变换器的封装结构，包括：至少一个功率器件管芯，所述至少一个功率器件管芯包括位于第一表面上的第一焊盘区和支撑区，以及位于第二表面上的第二焊盘区，所述第一表面与所述第二表面彼此相对；以及控制电路管芯，所述控制电路管芯位于所述至少一个功率器件管芯的支撑区上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一焊盘区至少部分围绕所述支撑区。3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述至少一个功率器件管芯包括多个场效应晶体管。4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述至少一个功率器件管芯包括单个管芯，所述多个场效应晶体管形成在所述单个管芯中。5.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述至少一个功率器件管芯包括多个管芯，所述多个场效应晶体管分别形成在所述多个管芯的相应管芯中。6.根据权利要求5所述的封装结构，还包括：管芯垫，所述管芯垫支撑所述控制电路管芯的中间部分，所述多个管芯支撑所述控制电路管芯的周边部分。7.根据权利要求6所述的封装结构，其中，所述管芯垫为十字形，所述多个管芯采用所述管芯垫彼此隔开且分别与所述管芯垫的侧边邻接。8.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述多个场效应晶体管的源极焊盘和栅极焊盘位于所述第一焊盘区，所述多个场效应晶体管的漏极焊盘位于所述第二焊盘区。9.根据权利要求8所述的封装结构，其中，所述多个场效应晶体管的源极焊盘和栅极焊盘彼此呈镜像对称形状。10.根据权利要求3所述的封装结构，还包括：粘接层，用于将所述控制电路管芯固定在所述至少一个功率器件管芯的支撑区上。11.根据权利要求3所述的封装结构，其中，在所述封装结构的内部，所述控制电路管芯的第一组焊盘连接至所述多个场效应晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：章安达，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：