碳化硅晶体多块拼接模具制造技术

本实用新型专利技术公开碳化硅晶体多块拼接模具，涉及碳化硅晶体生产设备技术领域，主要结构包括底盘、底托、定位块、支撑柱、定位工件、横梁和丝杆；底托设置于底盘顶面中部；定位块设置于底盘顶面且位于底托两侧；支撑柱下部与底盘相连接，横梁的端部与支撑柱的顶部相连接；定位工件设置于底盘顶面，且定位工件的定位面朝向底托；丝杆贯通横梁并与横梁通过螺纹连接。可重复利用，在进行拼接的过程中只需要进行稍微的人力校准就可以实现SiC不会出现左右偏离、上下层错倾斜的情况。与人力目测校准，不仅提高了SiC水平方向、上下方向的精度也提高了工作效率，节省人工浪费和设备损耗。本实用新型专利技术模具结构简单、成本低，组装方便，操作防呆，高效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体多块拼接模具


[0001]本技术涉及碳化硅晶体生产设备
，特别是涉及碳化硅晶体多块拼接模具。

技术介绍

[0002]SiC具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度等特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力，同时SiC又是制备高性能半导体器件一种理想的衬底材料，是当前第三代半导体材料中最有代表意义的一种单晶化合物。
[0003]SiC的莫氏硬度为9.2，属于超硬材料，仅次于金刚石，导致后续切片加工成品上升。
[0004]SiC切片过程中经常出现左右偏离、上下层错倾斜的情况，严重影响后续粘胶稳定性，因此，亟需一种在切割SiC过程中用于固定碳化硅晶体的模具。

技术实现思路

[0005]为解决以上技术问题，本技术提供碳化硅晶体多块拼接模具，用于在切割SiC过程中固定碳化硅晶体，以提高切割精度，提高切割效率。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0007]本技术提供碳化硅晶体多块拼接模具，包括底盘、底托、定位块、支撑柱、定位工件、横梁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.碳化硅晶体多块拼接模具，其特征在于，包括底盘、底托、定位块、支撑柱、定位工件、横梁和丝杆；所述底托设置于所述底盘顶面中部；所述定位块设置于所述底盘顶面且位于所述底托两侧；所述支撑柱下部与所述底盘相连接，所述横梁的端部与所述支撑柱的顶部相连接；所述定位工件设置于所述底盘顶面，且所述定位工件的定位面朝向所述底托；所述丝杆贯通所述横梁并与所述横梁通过螺纹连接。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体多块拼接模具，其特征在于，所述底盘两侧设置有侧向螺纹孔；所述支撑柱下部设置有横向螺纹孔；所述横向螺纹孔与所述侧向螺纹孔相匹配，所述横向螺纹孔与所述侧向螺纹孔用于所述底盘与所述支撑柱之间的连接。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体多块拼接模具，其特征在于，所述支撑柱顶面设置有竖向螺纹孔；所述横梁两端均设置有梁端螺纹孔；所述梁端螺纹孔与所述竖向螺纹孔相匹配；所述梁端螺纹孔与所述竖向螺纹孔用于所述横梁与所述支撑柱之间的连接。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：卢超，罗烨栋，赵新田，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：