【技术实现步骤摘要】
本申请涉及碳化硅制备领域，具体地涉及一种碳化硅晶片回收利用的方法。
技术介绍
1、sic作为新兴的第三代半导体，由于具有宽禁带、高饱和电子迁移率、高击穿电场和高热导率等优异特性受到人们的强烈关注。受益于sic的材料特性，sic功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势，使得sic功率器件在高电压应用领域具有比si功率器件更广阔的应用空间。
2、物理气相传输(pvt)法是目前大规模生产sic衬底片中较为成熟的一种方法，首先将sic粉料置于高温区间，粉料受热分解为气相物质(主要成分为si，si2c，sic2等)后，随着气体对流被传输到籽晶所处的低温区间，并在籽晶上再次凝结，实现同质外延生长，从而获得大尺寸的sic晶体。然而利用pvt法生长的碳化硅单晶仍然存在许多问题，受限于pvt法的生长特点，气相组分的碳化硅在籽晶上生长时，会不可避免的产生如微管、多晶、碳包裹等重要缺陷，这些缺陷限制了碳化硅衬底片的良率，增加了生产成本，同时也限制了碳化硅器件的应用范围。因此减少碳化硅单晶在生产过程中产生的缺陷以及回收利用报废碳化硅晶片对降低生产成本、提高良率具有重要作用。
3、目前，pvt法合成碳化硅单晶的生长过程非常依赖于合适的生长温度、精细的温度梯度调控和合适的生长压力等因素，气相组分的碳化硅在籽晶上凝结生长过程中会不可避免的产生大量镶嵌结构、位错、微管道等缺陷，其中碳包裹是其中重要一种缺陷。同时大量带有缺陷的碳化硅衬底片通常作为报废品处理，增加了生产成本。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S200中，所述碳化硅单晶碎料铺设的厚度不小于5mm。
3.如权利要求2所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S200中，所述碳化硅单晶碎料铺设的厚度为10mm～30mm。
4.如权利要求3所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S200中，所述碳化硅单晶碎料铺设的厚度为15mm～25mm。
5.如权利要求1-4任一所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S200中，所述碳化硅粉料的粒度为8-40目，纯度大于99.9999％。
6.如权利要求1-4任一所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S100进一步包括：
7.如权利要求6所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S120中还加入前次筛分得到的大于8目的碳化硅单晶碎料。
8.如权利要求6所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S120中的所述碳化硅晶块由废弃的碳化硅晶锭经
9.如权利要求6所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S120中的研磨容器为聚四氟乙烯研磨罐，步骤S120之后还包括步骤S130：对步骤S120得到的8-40目的所述碳化硅单晶碎料进行高温除碳，除碳后再次清洗烘干。
10.如权利要求1-4任一所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤S200具体为：提供碳化硅单晶生长用坩埚，在所述坩埚底部装入碳化硅粉料，所述碳化硅粉料的表面铺设一层所述碳化硅单晶碎料，在所述坩埚的顶部设置籽晶片，然后采用PVT法进行碳化硅单晶生长。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤s200中，所述碳化硅单晶碎料铺设的厚度不小于5mm。
3.如权利要求2所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤s200中，所述碳化硅单晶碎料铺设的厚度为10mm～30mm。
4.如权利要求3所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤s200中，所述碳化硅单晶碎料铺设的厚度为15mm～25mm。
5.如权利要求1-4任一所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤s200中，所述碳化硅粉料的粒度为8-40目，纯度大于99.9999％。
6.如权利要求1-4任一所述的碳化硅晶片回收利用的方法，其特征在于，步骤s100进一步包括：
7.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝真旺，浩瀚，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。