【技术实现步骤摘要】
本申请涉及碳化硅生产，具体涉及一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法和设备。
技术介绍
1、碳化硅(sic)衬底片是制造sic器件的关键材料，碳化硅衬底经切片，薄化，抛光加工后，通过长外延再做成器件，器件被广泛应用于电子电力，汽车电子，通信设备，太阳能逆变器，风力发电机等领域。衬底表面需要有超高的光滑度，若表面有划伤缺陷会影响长外延的结合力，影响器件的功能性，最终影响成品应用。
2、但是，现有的缺陷检测过程存在以下缺陷：碳化硅衬底片经研磨抛光后衬底片表面较为通透，通过平光源的目视或者大视野观察设备，光线会在碳化硅衬底片的表面发生折射和散射，无法较为直观和完全的发现表面缺陷，尤其无法显现其表面划伤，并且由于光线容易透过碳化硅衬底片，观察检测时也难以直观区分表面划痕分布在碳化硅衬底片的正面还是反面。
技术实现思路
1、本申请的一个目的在于提供一种能够提升缺陷检测精度，检测过程洁净度较高的冷凝法检测晶片表面缺陷的方法和设备。
2、为达到以上目的，本申请采用的技术方案为：一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，包括步骤：
3、s100预处理，清洗待检测晶片，去除待检测晶片表面的杂质，然后对待检测晶片进行脱水干燥；
4、s200冷凝成膜，将环境温度和环境湿度保持在设定值，使用转移装置将待检测晶片转移至冷凝装置处，使用冷凝装置降低待检测晶片表面温度，在设定时间后分离冷凝装置和待检测晶片，等待待检测晶片表面形成水凝膜；
5、s300缺陷检测，使用转
6、s400出料，等待完成检测的晶片表面的水凝膜完全散去恢复至初始状态，使用转移装置将完成检测的晶片转移出检测装置。
7、在一些实施例中，还包括步骤：
8、s500对照检测，步骤s200之前，使用转移装置，将初始状态下的待检测晶片转移至检测装置处，进行检测操作，记录缺陷图像和数据。
9、在一些实施例中，步骤s100中，清洗待检测晶片的工艺包括酸洗、碱洗、超声清洗和兆声清洗中的至少一种。
10、在一些实施例中，步骤s200中，环境温度的设定值为21-25℃之间，环境湿度的设定值为40-60％之间，待检测晶片表面形成的水凝膜的厚度为1-10nm。
11、在一些实施例中，步骤s300中，检测装置需在待检测晶片上的水凝膜消失之前完成检测操作。
12、一种冷凝法检测晶片表面缺陷的设备，包括转移装置、检测装置和冷凝装置，所述转移装置包括多个间隔设置的支撑件，所述支撑件适于配合对晶片的非检测区进行承托，所述转移装置适于使晶片移动至所述检测装置处，所述转移装置适于使晶片移动至所述冷凝装置处。
13、在一些实施例中，所述支撑件在晶片的至少一侧检测面上进行承托，所述支撑件适于配合对晶片的侧边进行限位。
14、在一些实施例中，所述冷凝装置上设置有冷凝部，所述转移装置适于使晶片转移至冷凝部上，所述冷凝部至少完全覆盖晶片一侧检测面上的被检测区域。
15、在一些实施例中，所述冷凝部上设置有柔性防护层，所述柔性防护层适于减少晶片和所述冷凝部之间的接触磨损。
16、在一些实施例中，所述转移装置还包括吸取器，所述吸取器适于手动或自动控制的配合吸取晶片，并使晶片放置于所述支撑件上，或并使晶片脱离所述支撑件。
17、与现有技术相比，本申请的有益效果在于：
18、1、本申请的冷凝法检测晶片表面缺陷的方法通过对晶片进行降温的方式，将空气中的水分子凝结至晶片表面形成水凝膜，改变光线在晶片表面的折射方向，从而提升晶片表面缺陷的精度，检测完成后，这层水凝膜能够自动蒸发，晶片表面的洁净度不会发生降低，晶片的其他特性也不会受到影响，因此无需增设清理流程，具有较高的便利性、实用性和可操作性。
19、2、本申请的冷凝法检测晶片表面缺陷的设备能够通过冷凝装置对晶片进行降温，使晶片表面能够均匀的形成水凝膜，以改变光线的折射率，然后通过检测装置对具有水凝膜的晶片进行检测，以提升缺陷检测精度，另外还通过转移装置对晶片进行稳定承托，并能够控制晶片在冷凝装置和检测装置之间进行活动，晶片的活动过程既不会影响到冷凝装置和检测装置的正常工作，也不会对缺陷检测造成遮挡。
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1.一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于，包括步骤：
2.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于，还包括步骤：
3.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于：步骤S100中，清洗待检测晶片的工艺包括酸洗、碱洗、超声清洗和兆声清洗中的至少一种。
4.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于：步骤S200中，环境温度的设定值为21-25℃之间，环境湿度的设定值为40-60％之间，待检测晶片表面形成的水凝膜的厚度为1-10nm。
5.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于：步骤S300中，检测装置需在待检测晶片上的水凝膜消失之前完成检测操作。
6.一种冷凝法检测晶片表面缺陷的设备，其特征在于：包括转移装置、检测装置和冷凝装置，所述转移装置包括多个间隔设置的支撑件，所述支撑件适于配合对晶片的非检测区进行承托，所述转移装置适于使晶片移动至所述检测装置处，所述转移装置适于使晶片移动至所述冷凝装置处。
7.如权利要求6所述的
8.如权利要求6所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的设备，其特征在于：所述冷凝装置上设置有冷凝部，所述转移装置适于使晶片转移至冷凝部上，所述冷凝部至少完全覆盖晶片一侧检测面上的被检测区域。
9.如权利要求8所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的设备，其特征在于：所述冷凝部上设置有柔性防护层，所述柔性防护层适于减少晶片和所述冷凝部之间的接触磨损。
10.如权利要求6所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的设备，其特征在于：所述转移装置还包括吸取器，所述吸取器适于手动或自动控制的配合吸取晶片，并使晶片放置于所述支撑件上，或并使晶片脱离所述支撑件。
...【技术特征摘要】
1.一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于，包括步骤：
2.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于，还包括步骤：
3.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于：步骤s100中，清洗待检测晶片的工艺包括酸洗、碱洗、超声清洗和兆声清洗中的至少一种。
4.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于：步骤s200中，环境温度的设定值为21-25℃之间，环境湿度的设定值为40-60％之间，待检测晶片表面形成的水凝膜的厚度为1-10nm。
5.如权利要求1所述的一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法，其特征在于：步骤s300中，检测装置需在待检测晶片上的水凝膜消失之前完成检测操作。
6.一种冷凝法检测晶片表面缺陷的设备，其特征在于：包括转移装置、检测装置和冷凝装置，所述转移装置包括多个间隔设置的支撑件，所述支撑件适于配合对晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：浩瀚，赵新田，张万林，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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