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本申请公开了一种冷凝法检测晶片表面缺陷的方法和设备，包括步骤：S100预处理，清洗待检测晶片，去除待检测晶片表面的杂质，然后对待检测晶片进行脱水干燥；S200冷凝成膜，将环境温度和环境湿度保持在设定值，使用转移装置将待检测晶片转移至冷凝装置...
该专利属于宁波合盛新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波合盛新材料有限公司授权不得商用。

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