一种碳化硅单晶的生长方法及生长装置制造方法及图纸

本申请公开了一种碳化硅单晶的生长方法及生长装置，其中生长方法包括以下步骤，S1：提供一种籽晶，所述籽晶包括竖直部和设置在所述竖直部下方的倾斜部，所述倾斜部外围形成圆锥面，所述倾斜部的直径向远离所述竖直部的方向逐渐减小；S2：将所述籽晶设置在籽晶托上，所述倾斜部朝向石墨坩埚放置生长原料的一侧；S3：进行碳化硅单晶的生长。本申请的碳化硅单晶生长装置，能够减少碳化硅晶体的相变，提高碳化硅单晶的晶体品质。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种碳化硅单晶的生长方法及生长装置。

技术介绍

1、碳化硅单晶的生长采用物理气相运输法(称pvt法)的技术日趋成熟，该方法通常使用石墨坩埚生长sic晶体，将sic原料置于生长室下部，籽晶固定在生长室顶部的石墨圆板。通过控制生长室的温度和压力条件，使sic原料从坩埚下部升华，上升至籽晶上进行堆积生长，最终获得sic单晶。

2、长晶过程中，碳化硅生长是在石墨坩埚腔体内实现的。晶体生长模块由石墨坩埚、籽晶与生长原料(碳化硅粉料)三部分构成，在一定的温度和压力条件下，碳化硅颗粒发生分解升华，产生各种形式的气相组分，再通过温度梯度的作用下，气相由温度高、浓度高的料源输送至温度低、浓度低的籽晶表面，当籽晶表面的气相浓度大于饱和浓度即发生沉积与固化，从而实现在籽晶表面生长。

3、当前碳化硅均为<11-20>偏4°角生长，因此不可避免的在晶体边部有个小面。衬底小面的位错(104/cm2量级)远高于其他区域，例如基平面位错bpd，贯穿型螺纹错tsd，贯穿型刃位错ted等；位错容易在小面聚集，同时因为小面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述倾斜部的圆锥面与所述倾斜部的中轴线形成夹角α，82°≤α≤87°。

3.如权利要求2所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述倾斜部的圆锥面与所述倾斜部的中轴线形成夹角α，α＝86°。

4.如权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述S1还包括提供一籽晶元，将所述籽晶元的一侧研磨形成所述籽晶的倾斜部，从而得到所述籽晶。

5.如权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述S2还包括在籽晶托的上方设置面型...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述倾斜部的圆锥面与所述倾斜部的中轴线形成夹角α，82°≤α≤87°。

3.如权利要求2所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述倾斜部的圆锥面与所述倾斜部的中轴线形成夹角α，α＝86°。

4.如权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述s1还包括提供一籽晶元，将所述籽晶元的一侧研磨形成所述籽晶的倾斜部，从而得到所述籽晶。

5.如权利要求1所述的碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，所述s2还包括在籽晶托的上方设置面型调节器，所述面型调节器的顶端向下凹陷形成凹陷部。

6.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括籽晶托、石墨坩埚和面型调节器，所述籽晶托与所述石墨坩埚形成密闭的中空...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨弥珺，黄延旺，浩瀚，赵新田，周幼梅，朱凤，章宣，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：