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本申请公开了一种碳化硅单晶的生长方法及生长装置，其中生长方法包括以下步骤，S1：提供一种籽晶，所述籽晶包括竖直部和设置在所述竖直部下方的倾斜部，所述倾斜部外围形成圆锥面，所述倾斜部的直径向远离所述竖直部的方向逐渐减小；S2：将所述籽晶设置在...
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