清扫装置、切割设备和晶体的切割方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种清扫装置、切割设备和晶体的切割方法。本发明专利技术实施例的清扫装置包括：气液混合件，所述气液混合件具有混合腔和与混合腔连通的气体进口、液体进口和气液出口；喷射件，所述喷射件通过所述气液出口与所述混合腔连通，所述喷射件上设有喷射部，所述喷射部沿第一方向延伸，且所述喷射部在所述第一方向上的喷射范围可调。根据本发明专利技术的清扫装置能高效、更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，同时对待清扫件进行降温，并减少清扫过程中的用水量。水量。水量。

【技术实现步骤摘要】
清扫装置、切割设备和晶体的切割方法


[0001]本专利技术涉及晶体切割的清扫装置
，具体而言，涉及一种清扫装置、具有清扫装置的切割设备和晶体的切割方法。

技术介绍

[0002]在切割晶体(例如晶圆或晶棒)的过程中会产生热量，并且会产生灰尘与颗粒，沾污晶体。现有技术通过冷却水对晶体降温，依靠水流带走切割过程中产生的灰尘和颗粒。但是，清扫效果并不理想。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本专利技术提出一种清扫装置，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。
[0004]本专利技术还提出了一种包括上述清扫装置的切割设备。
[0005]本专利技术还提出了一种包括上述清扫装置的晶体的切割方法。
[0006]根据本专利技术实施例的清扫装置包括：气液混合件，所述气液混合件具有混合腔和与混合腔连通的气体进口、液体进口和气液出口；喷射件，所述喷射件通过所述气液出口与所述混合腔连通，所述喷射件上设有喷射部，所述喷射部沿第一方向延伸，且所述喷射部在所述第一方向上的喷射范围可调。
[0007]根据本专利技术实施例的清扫装置，通过喷射部喷出气体和液体的混合物高效、彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，同时对待清扫件进行降温；喷射部的喷射范围可调节，能减少清洗过程中的用水量，节约用水量，精准清洗。
[0008]根据专利技术的一些实施例，所述喷射部包括多个喷孔，多个所述喷孔沿所述第一方向依次排布。r/>[0009]根据专利技术的一些实施例，所述喷射件还包括止挡部，所述止挡部可活动地设于所述喷射部上用于打开和关闭至少部分所述喷孔。
[0010]根据专利技术的一些实施例，所述喷射件还包括多个喷头，至少部分所述喷孔位置设有所述喷头，且每个所述喷头均绕预设的球心可转动地设于对应的所述喷孔位置。
[0011]根据专利技术的一些实施例，所述喷射部包括两个，两个所述喷射部在垂直于所述第一方向的方向上间隔布置，其中一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷射孔，另一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷雾孔。
[0012]根据本专利技术另一方面实施例的切割设备，包括：切割装置，所述切割装置包括用于切割晶体的切割刀具；上述的清扫装置，所述喷射部朝向所述切割刀具和所述晶体设置。
[0013]根据本专利技术另一方面实施例的切割设备，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。
[0014]根据本专利技术又一方面实施例的晶体的切割方法，所述晶体利用上述的切割设备进
行切割，所述切割方法包括：根据所述切割刀具与所述晶体的切割接触长度，调节所述喷射部的所述喷射范围。
[0015]根据本专利技术又一方面实施例的晶体的切割方法，能根据切割接触长度智能调节喷射部的喷射范围，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。
[0016]根据专利技术的一些实施例，所述控制所述喷射部的所述喷射范围包括：控制所述喷射部平行于所述切割接触长度所在的方向，控制所述喷射范围在所述第一方向上完全覆盖所述切割刀具与所述晶体的切割接触区域。
[0017]根据专利技术的一些实施例，所述晶体为圆柱状，设定所述切割接触长度所在方向为所述第一方向，与所述切割接触长度方向垂直的方向为第二方向，平行于所述第二方向的所述晶体的直径与所述晶体的外周面的交点为原点，
[0018]所述喷射范围在所述第一方向上的长度L满足：L＝2*[(D+a)*X
‑
X2]1/2
，
[0019]其中，X为所述切割刀具在所述晶体上的切割位置与所述原点在所述第二方向上的距离，D为所述晶体的直径，a为补偿常数，且1≤a≤10。
[0020]根据专利技术的一些实施例，所述晶体为晶圆或晶棒。
[0021]根据专利技术的一些实施例，所述晶体为晶棒，当所述切割刀具沿垂直于所述晶体的轴向切割所述晶体时，所述控制方法还包括：
[0022]当所述切割刀具在所述晶体上的切割位置与所述原点在所述第二方向上的距离X大于所述晶棒的半径之后，控制所述喷射范围在所述第一方向上的长度L保持不变。
[0023]根据专利技术的一些实施例，在切割所述晶体之前，所述控制方法还包括：向所述晶体的表面喷雾，并持续预设时间。
[0024]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0025]图1是清扫装置的示意图；
[0026]图2是晶体的切割方法的流程图；
[0027]图3是切割刀具的位置(X)与切割接触长度(Y)的坐标关系示意图；
[0028]图4是带喷雾步骤的晶体的切割方法的流程图。
[0029]附图标记：
[0030]清扫装置100、气液混合件1、喷射件2、气体进口11、液体进口12、气液出口13、喷孔21。
具体实施方式
[0031]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或
位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0033]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0034]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0035]下面结合图1详细描述根据本专利技术实施例的清扫装置100。
[0036]根据本专利技术实施例的清扫装置100可以包括：气液混合件1和喷射件2。
[0037]其中，气液混合件1具有混合腔和与混合腔连通的气体进口11、液体进口12和气液出口13，气体从气体进口11进入混合腔内，液体从液体进口12进入混合腔内，气体和液体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清扫装置，其特征在于，包括：气液混合件(1)，所述气液混合件(1)具有混合腔和与混合腔连通的气体进口(11)、液体进口(12)和气液出口(13)；喷射件(2)，所述喷射件(2)通过所述气液出口(13)与所述混合腔连通，所述喷射件(2)上设有喷射部，所述喷射部沿第一方向延伸，且所述喷射部在所述第一方向上的喷射范围可调。2.根据权利要求1所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射部包括多个喷孔(21)，多个所述喷孔(21)沿所述第一方向依次排布。3.根据权利要求2所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射件(2)还包括止挡部，所述止挡部可活动地设于所述喷射部上用于打开和关闭至少部分所述喷孔(21)。4.根据权利要求2所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射件(2)还包括多个喷头，至少部分所述喷孔(21)位置设有所述喷头，且每个所述喷头均绕预设的球心可转动地设于对应的所述喷孔(21)位置。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射部包括两个，两个所述喷射部在垂直于所述第一方向的方向上间隔布置，其中一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷射孔，另一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷雾孔。6.一种切割设备，其特征在于，包括：切割装置，所述切割装置包括用于切割晶体的切割刀具；根据权利要求1
‑
5中任一项所述的清扫装置，所述喷射部朝向所述切割刀具和所述晶体设置。7.一种晶体的切割方法，其特征在于，所述晶体利用权利要求6所述的切割设...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄末，陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：