低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板由聚四氟乙烯织布制得的介质层和铜箔进行层叠搭配，经高温压合制备而成；以体积百分数总和100％计，所述介质层包括下述组分：体积百分数15％

【技术实现步骤摘要】
低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及覆铜板
，尤其涉及一种低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着信息技术的革命，数字电路逐渐步入信息处理高速化、信号传输高频化阶段，为处理不断增加的数据，电子设备的频率变得越来越高，高频覆铜板将朝着低介电常数、低热膨胀系数、薄型多层化及耐热化等趋势方向发展，以满足当前及未来电子和通讯产品的需求。
[0003]目前高性能的高频覆铜板主要被海外企业垄断，国内外产品差距主要表现在：覆铜板品种相对单一，产品质量稳定性、一致性欠佳，产品可靠性(CTE稳定性、Dk/Df稳定性等)有待提高，部分高端领域用产品仍存在空白等。随着市场需求的多样化，对覆铜板的介电性能、CTE、可加工制造性等方面提出了更高的要求。
[0004]目前市场上的聚四氟乙烯覆铜板一般采用E
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GLASS玻璃布作为增强材料，用纯聚四氟乙烯树脂或陶瓷聚四氟乙烯树脂进行涂覆上胶。因E
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GLASS玻璃布的DK值为6.8,DF值为0.006，较聚四氟乙烯树脂的DK值为2.0,DF值为0.0003高，故采用E
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GLASS玻璃布作为增强材料的聚四氟乙烯覆铜板DF最低也只能达到0.0012这个水准。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是设计一种低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板，解决现有的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板由聚四氟乙烯织布制得的介质层和铜箔进行层叠搭配，经高温压合制备而成；以体积百分数总和100％计，所述介质层包括下述组分：体积百分数15％
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30％的氟类树脂乳液，体积百分数3％
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6％的硅烷偶联剂，体积百分数7％
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20％的聚四氟乙烯增强材料和体积百分数60
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65％的无机填料，聚四氟乙烯增强材料为聚四氟乙烯布。
[0007]进一步的，所述氟类树脂乳液选自聚四氟乙烯乳液、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物乳液或全氟乙烯丙烯共聚物乳液中的一种或几种的组合。
[0008]进一步的，所述硅烷偶联剂为γ
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缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ
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缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷中的一种或几种的组合。
[0009]进一步的，所述无机填料包括钛白粉、氧化铝、氮化硼和二氧化硅，以体积百分数总和100％计，无机填料中，钛白粉的体积百分数为3
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25％，氧化铝的体积百分数为5
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15％，氮化硼的体积百分数为5
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20％，二氧化硅的体积百分数为40
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80％。
[0010]本专利技术还提供前述低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板的制备方法，包括如下步骤：
[0011]步骤S1：将硅烷偶联剂与水比例混合，再加入无机填料混合，得到第一混合物；
[0012]步骤S2：将第一混合物进行烘干后与水、氟类树脂乳液进行混合，得到胶水；
[0013]步骤S3：将聚四氟乙烯布与胶水进行多次浸渍涂覆、晾干、烘烤，制得介质层；
[0014]步骤S4：取多张介质层，在介质层上方和下方各加一层铜箔，再在铜箔上下表面加上钢板，然后放入高温压机进行压合，制得四氟乙烯高频覆铜板。
[0015]进一步的，步骤S1中，硅烷偶联剂与水的混合比例为1:20。
[0016]进一步的，步骤S1中，硅烷偶联剂与水的混合方式为搅拌混合，混合的温度为30
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45℃，搅拌速度为50rpm/min
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80rpm/min，搅拌的时间为30
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40min；与无机填料的混合方式为搅拌混合，搅拌的速度为4000
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5500rpm/min，搅拌时间为20
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30min。
[0017]进一步的，步骤S2中，第一混合物的烘干温度为150
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200℃，烘干时间为60min；烘干后的第一混合物、水和氟类树脂乳液的混合方式为搅拌混合，混合的温度为30
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45℃，搅拌速度为3500
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5500rpm/min，搅拌时间为60
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90min。
[0018]进一步的，步骤S3中，晾干的时间为30min；烘烤包括低温烘烤和高温烘烤，低温烘烤的温度为150
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200℃，烘烤的时间为10
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15min；高温烘烤的温度为300℃，烘烤的时间为10
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15min。
[0019]进一步的，步骤S4中，压合的温度设定为320℃，压力设定为60kg，压合时间为120min。
[0020]本专利技术的有益效果：本专利技术使用了聚四氟乙烯织布作为增强材料，替代了原有的玻璃纤维布，可有效的降低玻璃纤维布导致的信号传输损失大(即介电损耗高)的问题。同时聚四氟乙烯布又兼具聚四氟乙烯的有良性能，可降低聚四氟乙烯乳液上胶的含量，简化了加工工艺。同时，胶水中添加了无机填料，使得板材在超低损耗的情况下，具有低膨胀性。
附图说明
[0021]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做进一步阐明。
[0022]图1为本专利技术低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板的制备工艺流程图；
[0023]图2为本专利技术低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板的结构示意图。
具体实施方式
[0024]实施例1
[0025]结合图1
‑
2，本实施例的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板由聚四氟乙烯织布制得的介质层1和铜箔2进行层叠搭配，经高温压合制备而成；
[0026]以体积百分数总和100％计，所述介质层包括下述组分：体积百分数15％的氟类树脂乳液，体积百分数5％的硅烷偶联剂，体积百分数20％的聚四氟乙烯增强材料和体积百分数60％的无机填料，，聚四氟乙烯增强材料为聚四氟乙烯布。
[0027]本实施例中，所述氟类树脂乳液包括体积百分数5％的聚四氟乙烯乳液和体积百分数10％四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物乳液。
[0028]本实施例中，所述硅烷偶联剂包括体积百分数2％的γ
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缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和体积百分数3％的乙烯基三乙氧基硅烷。
[0029]本实施例中，所述无机填料包括钛白粉、氧化铝、氮化硼和二氧化硅，以体积百分数总和100％计，无机填料中，钛白粉占的体积百分数为3％，氧化铝占的体积百分数为
12％，氮化硼占的体积百分数为5％，二氧化硅占的体积百分数为80％。
[0030]本实施例的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板的制备方法，包括如下步骤：
[0031]步骤S1：将体积百分数2％的γ
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缩水甘油醚氧丙基三甲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板，其特征在于：该高频覆铜板由聚四氟乙烯织布制得的介质层和铜箔进行层叠搭配，经高温压合制备而成；以体积百分数总和100％计，所述介质层包括下述组分：体积百分数15％
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30％的氟类树脂乳液，体积百分数3％
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6％的硅烷偶联剂，体积百分数7％
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20％的聚四氟乙烯增强材料和体积百分数60
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65％的无机填料。2.根据权利要求1所述的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板，其特征在于：所述氟类树脂乳液选自聚四氟乙烯乳液、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物乳液或全氟乙烯丙烯共聚物乳液中的一种或几种的组合。3.根据权利要求1所述的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板，其特征在于：所述硅烷偶联剂为γ
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缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ
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缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷中的一种或几种的组合。4.根据权利要求1所述的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板，其特征在于：所述无机填料包括钛白粉、氧化铝、氮化硼和二氧化硅，以体积百分数总和100％计，无机填料中，钛白粉的体积百分数为3
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25％，氧化铝的体积百分数为5
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15％，氮化硼的体积百分数为5
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20％，二氧化硅的体积百分数为40
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80％。5.如权利要求1
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4中任一项所述的低损耗低膨胀的聚四氟乙烯高频覆铜板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1：将硅烷偶联剂与水混合，再加入无机填料混合，得到第一混合物；步骤S2：将第一混合物进行烘干后与水、氟类树脂乳液进行混合，得到胶水；步骤S3：将聚四氟乙烯布与胶水进行多次浸渍涂覆、晾干、烘烤，制得介质层；步骤S4：取多张...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨萍，雷成，
申请(专利权)人：江苏生益特种材料有限公司，
类型：发明
国别省市：