一种有机发光装置，通过形成具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的黑矩阵的栅极布线与数据布线来改善对比度。该装置包括：形成在绝缘衬底上的栅极布线与数据布线，由栅极布线与数据布线形成的像素部分，设置在像素部分中的像素，其中栅极布线与数据布线中至少一个由导电光吸收材料形成。至少一个布线由具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。高反射率导电材料由Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ等的至少一种构成，具有高透射率的导电材料由ＩＴＯ、ＩＯ、ＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等的至少一种构成。栅极布线包括栅极线、栅电极、电容器电极或电源线，而数据布线包括数据线、源漏电极、电容器电极或电源线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机发光装置，并更具体地，涉及一种通过形成黑矩阵的数据布线和栅极布线来改善对比度的有机发光装置，所述黑矩阵具有透明导电材料和高反射性金属材料之间的浓度梯度。
技术介绍
图1示出了一种传统有源矩阵有机发光装置(active matrix organic lightemitting device，AMOLED)的平面构造，其聚焦在由红(R)、绿(G)和蓝(B)单位像素组成的像素上。参照图1，传统的AMOLED包括多个彼此绝缘并沿一个方向设置的栅极线110，多个彼此绝缘并沿与栅极线110交叉的方向设置的数据线120，以及与栅极线110交叉的电源线130，电源线与数据线120平行设置并彼此绝缘。所述AMOLED还包括由栅极线110、数据线120和电源线130形成的多个像素部分140，以及具有设置在各像素部分140中的开口155的多个像素电极150。尽管在图中未示出，R、G和B单位像素被设置在各像素部分140中，并且每个像素单元包括薄膜晶体管、电容器以及与像素电极150耦合的场致发光(EL)器件。通孔160连接像素电极150和所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一个。当EL器件发射光束时，由于外部光被金属材料如薄膜晶体管的栅极电极、源极和漏极电极、电容器电极和其他布线反射，故具有上述平面结构的传统有机发光装置存在对比度降低的问题。由于外部光的高反射率，使得广泛暴露于外部光的可移动显示器存在对比度降低的问题。为了阻止由外部光反射所引起的对比度降低，可在显示器的前表面上附加偏振器。可是，因为偏振器本身遮挡从有机发光层发射的光束，所以使用所述偏振器会引起生产成本增加以及造成对比度降低的已降低了的透射率。可选地，由Cr/CrOx或有机层构成的黑矩阵被单独地形成在形成有薄膜晶体管和电容器的区域上。可是，需要单独的掩模工序以形成黑色矩阵，这使得制造工艺相对复杂化。当通过减少对外部光的反射率来改善对比度时，重要的是实现黑色比实现白色更努力。韩国专利申请No.2001-0085187已经公开了一种技术，运用该技术，可通过使用底部发光型的有源矩阵有机发光装置中的浓度梯度层(MIHL，metal insulator hybrid layer，金属绝缘混合层)形成所述黑矩阵。可是，这种技术需要形成所述黑矩阵的单独工序。
技术实现思路
本专利技术的一个示意性实施例提供一种有机发光装置，其通过最小化外部光的反射率来改善对比度。本专利技术的另一示意性实施例提供一种有机发光装置，其通过形成材料的栅极布线和数据布线而不需要单独的黑色矩阵，所述材料具有透明导电材料和金属材料之间的浓度梯度。本专利技术的又一示意性实施例提供一种薄膜晶体管，其包括形成在绝缘衬底上的半导体层、栅极电极以及与半导体层相连的源极电极和漏极电极，其中所述栅极电极、源极电极和漏极电极中的至少一个由导电光吸收材料形成。同样，有机发光装置的栅极布线和数据布线中的至少一个可包含导电光吸收材料。在本专利技术的又一示意性实施例中，所述有机发光装置为底部发光型。至少一个电极可由浓度梯度层形成，在浓度梯度层中，透明导电材料的含量朝向衬底逐渐增加，而金属材料的含量离开衬底逐渐增加。所述像素可包括晶体管、电容器和EL器件。所述栅极布线可包括从栅极线、晶体管的栅极电极、电容器电极以及电源线中选出的至少一个，以及数据布线可包括从数据线、晶体管的源极电极和漏极电极、电容器电极以及电源线中选出的至少一个。栅极布线与数据布线的每一个可形成在除从EL器件发射光束的衬底区域之外的衬底上，并还包括光吸收材料图案，形成所述光吸收材料图案以便与所述栅极布线电分离。在顶部发光型有机发光装置的示意性实施例中，所述浓度梯度层可以是这样的，即金属材料的含量朝向所述衬底逐渐增加，而透明导电材料的含量远离所述衬底逐渐增加。在双侧发光型的有机发光装置的示意性实施例中，至少一个电极可由所述浓度梯度层形成，其中金属材料的含量朝向其中心部分逐渐增加，而透明导电材料的含量远离中心部分朝向衬底和衬底的相对部分逐渐增加。附图说明对于本领域的普通技术人员来讲，通过参照附图详细地说明本专利技术的优选实施例，使得本专利技术的上述及其他特征和优势变得更清晰。图1为传统有机发光装置的布局图；图2A为根据本专利技术实施例的有机发光装置的布局图；图2B为根据本专利技术实施例的有机发光装置中单位像素的布局图；图3为根据本专利技术实施例的底部发光型有机发光装置的截面构造；图4为根据本专利技术实施例的顶部发光型有机发光装置的截面构造；图5为根据本专利技术实施例的双侧发光型有机发光装置的截面构造。具体实施例方式在下文中，将参照附图更充分地说明本专利技术，所述附图中示出了本专利技术的示意性实施例。可是，本专利技术可以以不同的形式实施并不应认为限制于此处所阐明的实施例。更适合地，提供这些示意性实施例以使公开透彻和完整，并向本领域技术人员充分地表达本专利技术的范围。在附图中，为清楚起见，层的厚度以及区域被放大。整个说明书中，相同的标记指代相同的元件。图2A为根据本专利技术示意性实施例的有机发光装置的平面示意图，其中像素具有R、G和B单位像素。图2B为关于图2A中有机发光装置的一个单位像素的平面结构的实例。参照图2A和2B，根据本专利技术的示意性实施例的有源矩阵有机发光装置(AMOLED)包括多个相互绝缘并沿一个方向设置的栅极线210，以及多个相互绝缘并沿与栅极线210交叉的方向设置的数据线220。进一步，电源线230与栅极线210交叉并沿与数据线220平行的方向设置，且相互绝缘。另外，AMOLED可以包括多个由栅极线210、数据线220和电源线230形成的像素区域240。栅极线210、数据线220和电源线230可由光吸收材料形成，所述光吸收材料具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度。在每个像素电极250中设置R、G和B单位像素。各像素包括两个薄膜晶体管260和280、电容器270和具有像素电极250的EL器件。可用作开关的薄膜晶体管260可以包括具有源极和漏极区域的半导体层261，与栅极线210相连并由光吸收材料形成的栅极电极263，所述光吸收材料具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度。薄膜晶体管260可进一步包括源极电极265和漏极电极267，其通过接触孔264和266分别与半导体层261的源极和漏极区域相连，并由具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。可用于驱动的薄膜晶体管280可包括具有源极和漏极区域的半导体层281和由光吸收材料形成的栅极电极283，所述光吸收材料具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度。所述薄膜晶体管280可以进一步包括源极电极285和漏极电极287，其通过接触孔284和286分别与半导体层281的源极和漏极区域相连。它们由具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。电容器270可包括下电极271，其通过接触孔268与开关晶体管260的漏极电极267相连以及与驱动晶体管280的栅极电极283相连，其由具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度的遮光材料形成。电容器270可以进一步包括与电源线230相连的上电极273，其由具有金属材料和透明导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。所述像素电极250通过通孔257与驱动晶体管280的漏极电极287相本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：形成衬底上的半导体层；栅极电极；和与所述半导体层相连的源极电极和漏极电极，其中所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极中的至少一个包括一导电光吸收材料。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：具在本，朴志容，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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