一种扇出封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种扇出封装结构，其特征在于，包括：第一晶圆；第二晶圆，其具有空腔，并与所述第一晶圆阳极键合；芯片堆叠结构，其位于所述第二晶圆的空腔中，并通过键合层与所述第一晶圆连接。该扇出封装结构中的空腔深度均一，并且利用金属材质的键合层代替贴片胶，使得芯片背面的热阻低，且热阻分布均匀。本发明专利技术还涉及一种扇出封装结构的形成方法。还涉及一种扇出封装结构的形成方法。还涉及一种扇出封装结构的形成方法。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种扇出封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]目前扇出型封装主要有两种形式，一种是基于环氧塑封料(EMC)，一种是基于硅基材料。硅基扇出型封装是在硅晶圆上刻蚀空腔，然后通过贴片胶把芯片贴于空腔处，并使用填充材料进行缝隙的填充，最后进行重布线层(RDL)扇出结构的制作。硅基扇出型封装的方式主要存在两个的问题，第一是贴片胶的热导率较低，导致芯片背面的热阻很大，同时刻蚀的空腔不完全平整，是一个凹型结构，因此，贴片胶的厚度不均匀，使得热阻的分布不均。上述硅基扇出型封装的方式不适用于高功率密度的芯片扇出封装。第二是通过刻蚀方法在硅晶圆中不同位置形成的空腔的深度很难做到均一。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题，本专利技术提供了一种扇出封装结构及其形成方法，该扇出封装结构中的空腔深度均一，并且利用金属材质的键合层代替贴片胶，使得芯片背面的热阻低，且热阻分布均匀。
[0004]在本专利技术的第一方面，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：第一晶圆；第二晶圆，其具有空腔，并与所述第一晶圆阳极键合；芯片堆叠结构，其位于所述第二晶圆的空腔中，并通过键合层与所述第一晶圆连接。2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，还包括：绝缘材料，其位于所述芯片堆叠结构的正面和所述第二晶圆的正面以及二者之间的空隙；介质层，其位于绝缘材料之上；重布线层，其位于介质层中，并通过位于绝缘材料中的导电通孔与芯片堆叠结构电连接；以及焊球，其布置在所述重布线层上。3.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述键合层由位于芯片堆叠结构背面的第二焊层和位于第一晶圆正面的第一焊层键合形成；以及所述键合层的材料为金属，且所述键合层的厚度均匀。4.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述芯片堆叠结构由多个芯片背对面堆叠形成，且芯片之间填充有底充材料。5.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述第一晶圆具有位于第一晶圆背面或贯穿第一晶圆的微流道，所述微流道用于冷却所述芯片堆叠结构。6.一种扇出封装结构的形成方法，其特征在于，包括：在第一晶圆的正面制作第一焊层，并将晶圆的正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈钏，付融，李君，王启东，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：