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本发明涉及一种扇出封装结构，其特征在于，包括：第一晶圆；第二晶圆，其具有空腔，并与所述第一晶圆阳极键合；芯片堆叠结构，其位于所述第二晶圆的空腔中，并通过键合层与所述第一晶圆连接。该扇出封装结构中的空腔深度均一，并且利用金属材质的键合层代替贴...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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